存储器件和半导体器件制造技术

一种存储器件，包括：　　　　存储元件，　　　　其中，所述存储元件包括一对传导层和插入在所述一对传导层之间的有机化合物，　　　　其中，所述有机化合物具有液晶特性，以及　　　　其中，数据是通过对所述一对传导层施加电压并加热所述有机化合物，以引起所述有机化合物从第一相到第二相的相变来记录的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器件以及配备了该存储器件的半导体器件。
技术介绍
近年来，具有集成在绝缘表面上的多个电路并具有各种功能的半导体器件已被开发出来。此外，通过提供天线而能够进行无线数据发射/接收的半导体器件的开发也已有所进展。这一半导体器件被称为无线芯片(也称为ID标签、IC标签、IC芯片、RF(射频)标签、无线标签、电子标签或是RFID(射频识别)标签)，并且已被引入一部分市场。这些半导体器件中的许多已被投入实际使用的器件包括使用诸如硅衬底等半导体衬底(也称为IC(集成电路)芯片)和天线的电路，并且该IC芯片包括存储电路(也称为存储器)、控制电路等等。特别地，通过提供能够存储许多数据的存储电路，就可提供一种能够提供更高性能的高附加值的半导体器件。此外，要求以低成本来制造此类半导体器件，近年来，在控制电路、存储电路等中使用有机化合物的有机存储器、有机TFT等已被积极地开发出来(参考1日本专利申请公开第2002-26277号)。
技术实现思路
作为存储电路，给出DRAM(动态随机存取存储器)、SRAM(静态随机存取存储器)、FeRAM(铁电随机存取存储器)、掩模ROM(只读存储器)、EP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，包括： 存储元件， 其中，所述存储元件包括一对传导层和插入在所述一对传导层之间的有机化 合物， 其中，所述有机化合物具有液晶特性，以及 其中，数据是通过对所述一对传导层施加电压并加热所述有机化合物，以引 起所述有机化合物从第一相到第二相的相变来记录的。

【技术特征摘要】
2005.04.28 JP 2005－1328161.一种存储器件，包括存储元件，其中，所述存储元件包括一对传导层和插入在所述一对传导层之间的有机化合物，其中，所述有机化合物具有液晶特性，以及其中，数据是通过对所述一对传导层施加电压并加热所述有机化合物，以引起所述有机化合物从第一相到第二相的相变来记录的。2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于其中，所述有机化合物在第一温度范围内处于各向同性相，在第二温度范围内处于近晶相，而在第三温度范围内处于结晶相，其中，所述第一温度范围高于所述第二温度范围，并且其中，所述第二温度范围高于所述第三温度范围。3.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，在加热所述有机化合物以处于所述第一相，然后迅速冷却所述有机化合物之后，对所述一对传导层施加电压。4.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是各向同性相，且所述第二相是近晶相。5.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是各向同性相，且所述第二相是结晶相。6.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是近晶相，且所述第二相是结晶相。7.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是结晶相，且所述第二相是近晶相。8.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是结晶相，且所述第二相是各向同性相。9.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是近晶相，且所述第二相是各向同性相。10.一种具有如权利要求1所述的存储器件的半导体器件。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，还包括起到天线功能的传导层、连接到所述一对传导层中的至少一个的第一晶体管、以及连接到所述起到天线功能的传导层的第二晶体管。12.一种存储器件，包括存储单元阵列，其中所述存储元件以矩阵形式排列；以及写入电路，其中，每个所述存储元件都具有一对传导层和插入在所述一对传导层之间的有机化合物，其中，所述有机化合物具有液晶特性，其中，数据是通过对所述一对传导层施加第一电压并加热所述有机化合物，以引起所述有机化合物从第一相到第二相的相变来记录的，以及其中，所述第一电压是由所述写入电路施加的。13.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，还包括擦除电路，其中，数据是通过对所述一对传导层施加第二电压并加热所述有机化合物，以引起所述有机化合物从所述第二相到所述第一相的相变来擦除的，以及其中，所述第二电压是由所述擦除电路施加的。14.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，还包括擦除电路，其中，数据是通过对所述一对传导层施加第二电压并加热所述有机化合物，然后停止加热并且冷却所述有机化合物，以引起所述有机化合物从所述第二相到所述第一相的相变来擦除的，以及其中，所述第二电压是由所述擦除电路施加的。15.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于其中，所述有机化合物在第一温度范围内处于各向同性相，在第二温度范围内处于近晶相，而在第三温度范围内处于结晶相，其中，所述第一温度范围高于所述第二温度范围，以及其中，所述第二温度范围高于所述第三温度范围。16.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，在加热所述有机化合物以处于所述第一相，然后迅速冷却所述有机化合物之后，对所述一对传导层施加电压。17.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是各向同性相，且所述第二相是近晶相。18.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是各向同性相，且所述第二相是结晶相。19.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是近晶相，且所述第二相是结晶相。20.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是结晶相，且所述第二相是近晶相。21.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是结晶相，且所述第二相是各向同性相。22.如权利要求12所述的存储器件，其特征在于，所述第一相是近晶相，且所述第二相是各向同性相。23.一种具有如权利要求12所述的存储器件的半导体器件。24.如权利要求23所述的半导体器件，其特征在于，还包括起到天线功能的传导层、连接到所述一对传导层中的至少一个的第一晶体管、以及连接到所述起到天线功能的传导层的第二晶体管。25.一种存储器件，包括存储单元阵列，其中，所述存储单元以矩阵形式排列；以及写入电路，其中，每个所述存储单元都具有晶体管和存储元件，其中，所述存储元件具有一对传导层、以及插入在所述一对传导层之间的有机化合物，其中，所述有机化合物具有液晶特性，其中，数据是通过对所述一对传导层施加第一电压并加热所述有机化合物，以引起所述有机化合物从第一相到第二相的相变来记录的，以及其中，所述第一电压是由所述写入电路施加的。26.如权利要求25所述的存储器件，其特征在于，还包括擦除电路，其中，数据是通过对所述一对传导层施加第二电压并加热所述有机化合物，以引起所述有机化合物从所述第二相到所述第一相的相变来擦除的，以及其中，所述第二电压是由所述擦除电路施加的。27.如权利要求25所述的存储器件，其特征在于，还包括擦除电路，其中，数据是通过对所述一对传导层施加第二电压并加热所述有机化合物，然后停止加热并且冷却所述有机化合物，以引起所述有机化合物从所述第二相到所述第一相的相变来擦除的，以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：大泽信晴，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：