半导体器件的制造方法技术

技术编号:3190650 阅读:180 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
用能使组件成形的电解镀敷法,将由铜等形成的柱状块,经过晶片上的接合膜和粘接膜,形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜,按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘,焊料将沾湿于柱状块上表面整个区域,和侧表面的部分区域。因此能形成稳定而可靠的连接。另外,由于柱状块不熔化,半导体线路板和组装线路板之间的距离不因焊料而变窄。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法,特别是涉及面朝下安装的倒装晶片型半导体元件的块结构及其制造方法,和它的组装结构及其制造方法。
技术介绍
半导体元件的电极与外部端子的连接方法有两种类型,就是用金属细线焊接的方法,和用半导体元件电极上形成的焊料块的倒装晶片方法。倒装晶片方法在近年来的高密度和高引脚数量的趋势中,被认为是有利的。近年来,为了提高半导体组件的组装密度,大量采用以焊料块作为外部端子的球格栅阵列型半导体组件工艺,它能响应高引脚数量的趋势,而保持较大的端子间距。倒装晶片型在许多情况下,也适用于安装至组装板(内插器)上的半导体元件。这种倒装晶片型连接方法有许多发展,例如被称为控制熔榻(高度)芯片连接(C4)技术是首先的值得一提的。图35是倒装晶片型半导体元件常规结构的剖视图。如图35中所示,在半导体衬底1上,形成连接至内部接线的电极2和在电极2上有开口的覆盖膜3。在电极2上,经过接合膜4和粘接膜5形成电极20。至于形成电极20的方法,通常是用各种方法例如蒸发法、电解镀敷法、焊糊印刷法、和焊球装载和供应法,和用焊剂进行焊料回流处理,供应焊料而形成半球形的块。图36是倒装晶片型半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,其特征在于:所述方法包括步骤:用等离子体激发的惰性气体物理激波,清洗在半导体元件电极上形成的金属柱状凸起前端部表面和布线基板上的焊盘表面;将所述金属柱状凸起和所述布线基板的焊盘对准;和在对所 述半导体元件和所述布线基板进行所述施加压力时,粘接所述金属柱状凸起和所述焊盘。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-7 2002-0303341.一种制造半导体器件的方法,其特征在于所述方法包括步骤用等离子体激发的惰性气体物理激波,清洗在半导体元件电极上形成的金属柱状凸起前端部表面和布线基板上的焊盘表面;将所述金属柱状凸起和所述布线基板的焊盘对准;和在对所述半导体元件和所述布线基板进行所述施加压力时,粘接所述金属柱状凸起和所述焊盘。2.如权利要求1所述半导体器件的制造方法,其特征在于所述粘接是使用加热和/或超声波振动两者或两者之一进...

【专利技术属性】
技术研发人员:西山知宏田子雅基
申请(专利权)人:日本电气株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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