制造CMOS图像传感器的方法技术

一种制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法，该制造方法包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造CMOS图像传感器的方法。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器。CCD具有诸如驱动方法复杂和高功耗的缺点。而且，由于需要多级光学处理而使CCD的制造方法复杂。因此，CMOS图像传感器作为克服CCD的缺点的下一代图像传感器而受到关注。CMOS图像传感器是采用切换模式的器件，它通过采用使用控制电路和信号处理电路作为外围电路的CMOS技术，在半导体衬底上的每个单元像素处形成MOS晶体管，来顺序地检测使用MOS晶体管的每个单元像素的输出。根据晶体管的数量将CMOS图像传感器分为3T型、4T型和5T型。3T型CMOS图像传感器包括一个光电二极管和三个晶体管，4T型CMOS图像传感器包括一个光电二极管和四个晶体管。在下文中，将参考其平面图来描述4T型CMOS图像传感器的单元像素。如图1所示，根据现有技术的CMOS图像传感器的单元像素包括作为光电转换器的光电二极管10和四个晶体管。四个晶体管是传输晶体管(transfer transistor)20、复位晶体管30、存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法，包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极 两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电 型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧...

【技术特征摘要】
KR 2005-6-7 10-2005-00483431.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。2.根据权利要求1的方法，其中该第二杂质区比第一杂质区形成得更深。3.根据权利要求1的方法，进一步包括在栅电极上形成60或更薄的氧化物层。4.根据权利要求1的方法，其中在100℃到300℃的温度下执行光刻胶的回流。5.根据权利要求1的方法，进一步包括在形成第四杂质区之后对衬底执行热处理。6.根据权利要求1的方法，其中该第一绝缘层和第二绝缘层由具有不同刻蚀选择性的绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：全寅均，
申请(专利权)人：东部电子有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]