CMOS图像传感器及其制造方法技术

公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法。本方法包括步骤：在半导体基片上形成隔离层，限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区中形成栅，所述栅包括栅电极和插入在所述栅电极和所述基片之间的栅绝缘层；在所述光电二极管区中形成第一低浓度扩散区；在所述晶体管区中形成第二低浓度扩散区；在所述基片的整个表面之上形成缓冲层，所述缓冲层被选择性地移除以覆盖所述光电二极管区；在所述基片的整个表面之上形成第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层具有彼此不同的蚀刻选择性；通过所述第二绝缘层的选择性移除在所述栅电极的两侧上形成绝缘侧壁；选择性地移除所述光电二极管区之外的其他区上的所述第一绝缘层；在被暴露的晶体管区中形成高浓度扩散区，部分地重叠所述第二低浓度扩散区；以及在形成所述高浓度扩散区的基片的表面上形成金属硅化物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。
技术介绍
作为一种半导体器件的图像传感器将光学图像变换成电信号，其一般可分类成电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。传统地，CCD包括设置成矩阵形式的多个光电二极管，用于将光学信号变换成电信号；形成在光电二极管之间的多个竖直的电荷耦合器件(VCCD)，用于在竖直方向上发射在每个光电二极管中产生的电荷；多个水平电荷耦合器件(HCCD)，用于在水平方向上发射从每个VCCD发射的电荷；以及感测放大器，用于感测在水平方向上发射的电荷以输出电信号。CCD具有复杂的操作机制和高功率消耗是公知的。另外，其制造方法是很复杂的，因为在其制造中要求多个步骤的光刻法(photolithography)过程。尤其是难以将CCD与其他器件如控制电路、信号处理电路、模拟/数字转换器等集成到单个芯片中。CCD的这些缺点可能阻碍包含CCD的产品的小型化。为了克服CCD的上述缺点，最近在新生代图像传感器中开发了CMOS图像传感器。同时，根据单位像素中晶体管的数目，CMOS图像传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法，包括步骤：在半导体基片上形成隔离层，限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区中形成栅，所述栅包括栅电极和插入在所述栅电极和所述基片之间的栅绝缘层；在所述光电二极管区 中形成第一低浓度扩散区；在所述晶体管区中形成第二低浓度扩散区；在所述基片的整个表面之上形成缓冲层，所述缓冲层被选择性地移除以覆盖所述光电二极管区；在所述基片的整个表面之上形成第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层具有 彼此不同的蚀刻选择性；通过所述第二绝缘层的选择性移除在所述栅电极的两侧上...

【技术特征摘要】
KR 2005-7-14 10-2005-00637321.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤在半导体基片上形成隔离层，限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区中形成栅，所述栅包括栅电极和插入在所述栅电极和所述基片之间的栅绝缘层；在所述光电二极管区中形成第一低浓度扩散区；在所述晶体管区中形成第二低浓度扩散区；在所述基片的整个表面之上形成缓冲层，所述缓冲层被选择性地移除以覆盖所述光电二极管区；在所述基片的整个表面之上形成第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层具有彼此不同的蚀刻选择性；通过所述第二绝缘层的选择性移除在所述栅电极的两侧上形成绝缘侧壁；选择性地移除所述光电二极管区之外的其他区上的所述第一绝缘层；在被暴露的晶体管区中形成高浓度扩散区，部分地重叠所述第二低浓度扩散区；以及在形成所述高浓度扩散区的基片的表面上形成金属硅化物层。2.如权利要求1的方法，其中所述第一绝缘层由氧化物形成。3.如权利要求1的方法，其中所述第二绝缘层由氮化物形成。4.如权利要求2的方法，其中所述第一绝缘层是热氧化层或基于TEOS的氧化物层。5.如权利要求1的方法，其中所述缓冲层使用O3-TEOS或BPSG形成。6.如权利要求1的方法，其中所述缓冲层以400～3000的厚度形成。7.如权利要求1的方法，其中所述缓冲层的选择性移除利用硅烷气。8.如权利要求1的方法，进一步包括在形成所述第一和第二低浓度扩散区之后第一热处理所述基片的步骤。9.如权利要求1的方法，进一步包括在形成所述高浓度扩散区之后第二热处理所述基片的步骤。10.如权利要求8或9的方法，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：东部电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]