CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法。该ＣＭＯＳ图像传感器包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，该有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区中；第一扩散区，具有与半导体衬底相同的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，靠近隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与半导体衬底相反的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，远离隔离层，其中第一扩散区设置在第二扩散区和隔离层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种图像传感器，更具体而言，涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。
技术介绍
作为一种半导体器件，图像传感器将光图像变换成电图像，其一般被分类为电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。传统上，CCD包括多个光电二极管，其以矩阵形式设置以将光信号变换成电信号；多个垂直电荷耦合器件(VCCD)，形成在光电二极管之间，以在垂直方向上传输每个光电二极管中所生成的电荷；多个水平电荷耦合器件(HCCD)，用于在水平方向上传输从每个VCCD传输的电荷；以及感测放大器(amp)，用于感测在水平方向上传输的电荷，以输出电信号。众所周知，CCD具有复杂的操作机构和高功率消耗。另外，因为在其制作中需要光刻工艺的多个步骤，所以其制造方法非常复杂。特别地，难以将CCD与诸如控制电路、信号处理电路、模拟/数字转换器等的其它装置一起集成到单个芯片中。CCD的这种缺点阻碍了产品的小型化。为了克服CCD的上述缺点，近来CMOS图像传感器已被开发为新一代的图像传感器。CMOS图像传感器包括通过CMOS制作技术在半导体衬底中形成的MOS晶体管。在CMOS图像传感器中，MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，所述有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在所述半导体衬底的所述隔离区中；第一扩散区，具有与所述半导体衬底相同的导电类型，形成在 所述蓝光电二极管区中，靠近所述隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在所述晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与所述半导体衬底相反的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，远离所述隔离层，其中所述第一扩散区设置在所述第二扩散区 和所述隔离层之间。

【技术特征摘要】
KR 2005-6-7 10-2005-00484831.一种CMOS图像传感器，包括第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，所述有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在所述半导体衬底的所述隔离区中；第一扩散区，具有与所述半导体衬底相同的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，靠近所述隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在所述晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与所述半导体衬底相反的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，远离所述隔离层，其中所述第一扩散区设置在所述第二扩散区和所述隔离层之间。2.权利要求1的CMOS图像传感器，其中所述第一扩散区具有等于或大于所述第二扩散区扩散深度的扩散深度。3.权利要求1的CMOS图像传感器，进一步包括在所述蓝光电二极管区中在所述第二扩散区之上形成的第三扩散区，其中所述第三扩散区具有与所述半导体衬相同底的导电类型。4.权利要求3的CMOS图像传感器，其中所述第一扩散区具有比所述第三扩散区的掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。5.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括下列步骤准备由隔离区和有源区来限定的第一导电型半导体衬底，所述有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；在所述半导体衬底的表面上形成牺牲绝缘层；选择性地去除所述牺牲绝缘层的一部分，以暴露所述衬底的所述隔离区；蚀刻所述衬底的暴露部分，以在所述隔离区...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：东部电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]