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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法。该ＣＭＯＳ图像传感器包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，该有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区中；第一扩散区，具有与半导体衬底相同的导电类型，...
该专利属于东部电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子株式会社授权不得商用。

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