【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及集成电路以及制造半导体器件的集成电路加工方法。更具体地说，本专利技术提供了一种形成选择性硅化物的方法与器件。本专利技术仅仅是以示例的方式被应用于互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。但是应当认识到，本专利技术具有更广阔的应用范围。
技术介绍
集成电路或“IC”已经从单个硅晶片上制备的少数互连器件发展成为数以百万计的器件。当前IC提供的性能和复杂度远远超出了最初的预想。一类这样的IC是CMOS成像系统。CMOS成像系统可以在标准硅生产线上制备，所以造价低廉。此外，CMOS图像传感器消耗较低的功率，所以特别适用于便携式应用。具体而言，CMOS成像系统将光信号转换成电信号，电信号的强度与光强度有关。图1是传统CMOS成像系统100的简化示图。系统100被配置成两个区感光区110和外围区120。在感光区110中，以行和列的方式组织了CMOS图像传感器的阵列来检测光强度。用于提供其它功能的电路被布置在外围区120中。例如，外围区120可以包括信号放大电路、模数转换器、图像信号处理器或数字信号处理器。图2是CMOS图像传感器的简化电路图。CMOS...
【技术保护点】
一种用于制备互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法包括：提供一个半导体衬底；在所述衬底的外围区和所述衬底的感光区之间形成至少一个隔离区；在所述衬底的所述外围区中形成一个第一阱，并在所述衬底的所述感光区中形成一 个第二阱；在所述衬底的所述感光区中形成与一个光电二极管相关联的一个第三阱；在所述衬底的表面上沉积一个栅极氧化物层；在所述氧化物层上沉积一个多晶硅层；在所述氧化物层上沉积一个第一金属层；刻蚀所述多晶硅层 和所述第一金属层，以在所述感光区中形...
【技术特征摘要】
1.一种用于制备互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法包括提供一个半导体衬底；在所述衬底的外围区和所述衬底的感光区之间形成至少一个隔离区；在所述衬底的所述外围区中形成一个第一阱，并在所述衬底的所述感光区中形成一个第二阱；在所述衬底的所述感光区中形成与一个光电二极管相关联的一个第三阱；在所述衬底的表面上沉积一个栅极氧化物层；在所述氧化物层上沉积一个多晶硅层；在所述氧化物层上沉积一个第一金属层；刻蚀所述多晶硅层和所述第一金属层，以在所述感光区中形成至少一个栅极并在所述外围区中形成至少一个栅极；形成用于所述感光区中的所述至少一个栅极和所述外围区中的所述至少一个栅极中的每个栅极的隔离物；注入第一复数个离子以在所述第一阱中形成至少两个掺杂区；注入第二复数个离子以在所述第二阱中形成一个掺杂区；在所述衬底的所述感光区上沉积一个硅化物块体层；在沉积了所述硅化物块体层之后，至少在所述外围区上沉积一个第二金属层；将所述衬底暴露到热环境，以在所述第一阱中的至少两个掺杂区和所述感光区中的至少一个栅极区中同时形成硅化物；以及在暴露到所述热环境之后进行刻蚀以去除所述第二金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括钨、钛、镍和钴中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二金属层包括钨、钛、镍和钴中的至少一种。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅化物块体层包括氧化物。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅化物块体层包括氧化硅和二氧化硅中的至少一种。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二金属层在整个硅化物块体层上延伸。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述热环境包括范围在约500摄氏度到约900摄氏度之间的温度。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅化物块体层在所述衬底的整个感光区上延伸。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个隔离区包括氧化硅和二氧化硅中的至少一种。10.一种用于制备互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法包括提供一个半导体衬底；在所述衬底的一个外围区和所述衬底的一个感光区之间形成至少一个隔离区；在所述衬底的所述外围...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨建平，霍介光，辛春艳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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