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本发明提供了一种制备ＣＭＯＳ图像传感器的技术。提供了一个半导体衬底，并且在衬底的外围区和衬底的感光区之间形成至少一个隔离区。形成了衬底的外围区中的第一阱和感光区中的第二阱。还形成了与光电二极管相关联的第三阱。栅极氧化物层、多晶硅层和第一金属...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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