用于制造CMOS图像传感器的方法技术

公开了一种用于制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法。本方法包括以下步骤：（ａ）在包括光感测部和布线接合垫的半导体基板上形成保护层；（ｂ）通过移除所述布线接合垫上的保护层的一部分，暴露所述布线接合垫；（ｃ）在所述被暴露的布线接合垫和所述保护层上形成薄抗蚀剂膜；（ｄ）在所述薄抗蚀剂膜上形成滤色器阵列；（ｅ）在所述薄抗蚀剂膜上形成多个微透镜；以及（ｆ）在所述基板之上所得到的结构上执行毯式蚀刻直到所述布线接合垫被暴露。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种用于制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法。
技术介绍
作为一种半导体器件的图像传感器将光学图像转换成电信号，其通常可分类为电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。在这些图像传感器中，CMOS图像传感器包括用于检测入射光并将其转换成电信号的光电二极管，以及用于传输电信号并对其进行数据处理的逻辑电路。在制造CMOS图像传感器的过程中，需要提高所谓的填充因子以便改善CMOS图像传感器的光灵敏度，填充因子定义为光感测面积与全部图像传感器面积之比。然而，由于光感测部只形成在与形成有逻辑电路的区域不同的区域中，所以存在对改善器件的填充因子的限制。由此原因，用于在CMOS图像传感器的滤色器上形成多个微透镜的微透镜技术已被广泛用作用于将入射光路径改变到不同于光感测部的区并将光聚集到光感测部的可替选的光会聚技术之一。一种用于制造包括微透镜的CMOS图像传感器的传统方法将参考图1a至1d在下文中描述。传统CMOS图像传感器包括光感测部13，包括用于接收入射光并产生和积累电荷的光电二极管11；保护层21，形成于光感测部的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法，包括以下步骤：（ａ）在包括光感测部和布线接合垫的半导体基板上形成保护层；（ｂ）通过移除所述布线接合垫上的保护层的一部分，暴露所述布线接合垫；（ｃ）在所述被暴露的布线接合垫和所述保 护层上形成薄抗蚀剂膜；（ｄ）在所述薄抗蚀剂膜上形成滤色器阵列；（ｅ）在所述薄抗蚀剂膜上形成多个微透镜；以及（ｆ）在所述基板之上所得到的结构上执行毯式蚀刻直到所述布线接合垫被暴露。

【技术特征摘要】
KR 2005-6-27 10-2005-00556391.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤(a)在包括光感测部和布线接合垫的半导体基板上形成保护层；(b)通过移除所述布线接合垫上的保护层的一部分，暴露所述布线接合垫；(c)在所述被暴露的布线接合垫和所述保护层上形成薄抗蚀剂膜；(d)在所述薄抗蚀剂膜上形成滤色器阵列；(e)在所述薄抗蚀剂膜上形成多个微透镜；以及(f)在所述基板之上所得到的结构上执行毯式蚀刻直到所述布线接合垫被暴露。2.根据权利要求1的方法，其中所述薄抗蚀剂膜包括对可见射线透明的有机材料。3.根据权利要求1的方法，其中所述薄抗蚀剂膜包括热固性的树脂。4.根据权利要求1的方法，其中所述薄抗蚀剂膜包括丙烯酸树脂。5.根据权利要求1的方法，其中所述薄抗蚀剂膜以不大于50nm的厚度形成。6.根据权利要求1的方法，其中在所述步骤(f)中，覆盖所述布线接合垫的薄抗蚀剂膜被移除，且同时所述微透镜之间的间隙被浅蚀刻。7.根据权利要求1的方法，其中所述步骤(f)中的毯式蚀刻利用氧等离子体。8.根据权利要求1的方法，其中所述步骤(e)包括以下步骤(e1)在所述滤色器阵列上形成平坦化...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相植，
申请(专利权)人：东部电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]