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公开了一种用于制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法。本方法包括以下步骤：（ａ）在包括光感测部和布线接合垫的半导体基板上形成保护层；（ｂ）通过移除所述布线接合垫上的保护层的一部分，暴露所述布线接合垫；（ｃ）在所述被暴露的布线接合垫和所述保护层上形成薄...
该专利属于东部电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子株式会社授权不得商用。

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