CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法。该ＣＭＯＳ图像传感器包括：至少一个光电二极管，其以规则间隔形成在衬底上；层间绝缘层，其形成在衬底上，同时在与光电二极管相对应的预定位置处具有至少一个沟槽；滤色器层，其形成在每个沟槽中；以及至少一个微透镜，其形成在具有滤色器层的衬底上，以与滤色器相对应。通过在层间绝缘层中形成沟槽并且在沟槽中形成滤色器来减小ＣＭＯＳ图像传感器的厚度，从而提高了ＣＭＯＳ图像传感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法，特别涉及一种通过减小CMOS图像传感器的整体厚度来提高灵敏度的CMOS图像传感器及其制造方法。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器被分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器。CCD具有诸如驱动方法复杂和高功耗的缺点。而且，由于需要多级光学处理而使CCD的制造方法复杂。因此，CMOS图像传感器作为克服CCD的缺点的下一代图像传感器而受到关注。通过在单元像素中形成光电二极管和MOS晶体管，从而CMOS图像传感器通过基于切换方式顺序地检测每个单元像素的电信号来重构图像。图1是根据现有技术的CMOS图像传感器的剖面图。如图1所示，为了形成根据现有技术的CMOS图像传感器，以规则间隔在衬底10上形成光电二极管20，并且在光电二极管20之间形成遮光层30。然后，在形成了遮光层的衬底10上形成层间绝缘层40。然后，在层间绝缘层40上形成滤色器层50R、50G和50B，在滤色器层50R、50G和50B上形成平坦化层60。由于滤色器层50R、50G和50B的台阶差，所以平坦化层60的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ（互补金属氧化物硅）图像传感器，包括：至少一个光电二极管，其以规则间隔形成在衬底上；层间绝缘层，其形成在衬底上，同时在与所述光电二极管相对应的预定位置处具有至少一个沟槽；滤色器层，其形成在每个所述沟槽中； 以及至少一个微透镜，其形成在包括滤色器层的衬底上，并且该微透镜与滤色器层相对应。

【技术特征摘要】
KR 2005-6-3 10-2005-00476361.一种CMOS(互补金属氧化物硅)图像传感器，包括至少一个光电二极管，其以规则间隔形成在衬底上；层间绝缘层，其形成在衬底上，同时在与所述光电二极管相对应的预定位置处具有至少一个沟槽；滤色器层，其形成在每个所述沟槽中；以及至少一个微透镜，其形成在包括滤色器层的衬底上，并且该微透镜与滤色器层相对应。2.根据权利要求1的CMOS图像传感器，进一步包括形成在具有沟槽的层间绝缘层上的钝化层。3.根据权利要求2的CMOS图像传感器，其中该滤色器层形成在形成于沟槽上的钝化层上。4.根据权利要求2的CMOS图像传感器，其中该钝化层由SiN形成。5.根据权利要求1的CMOS图像传感器，进一步包括形成在滤色器层和微透镜之间的平坦化层。6.根据权利要求5的CMOS图像传感器，其中该平坦化层的厚度大约小于100。7.根据权利要求1的CMOS图像传感器，进一步包括至少一个遮光层，其形成在光电二极管之间，用于阻挡入射到除了光电二极管区域之外的其它区域的光。8.根据权利要求7的CMOS图像传感器，其中该遮光层由不透明的电介质材料或者不透明的金属材料制成。9.根据权利要求1的CMOS图像传感器，其中如果在光电二极管的区域内不包括顶部金属线，则层间绝缘层中的沟槽的深度在从3000到7000的范围内。10.根据权利要求1的CMOS图像传感器，其中如果在光电二极管的区域内包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昇炫，
申请(专利权)人：东部电子有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]