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CMOS图像传感器及其制造方法技术
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文档序号:3190703
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本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括:至少一个光电二极管,其以规则间隔形成在衬底上;层间绝缘层,其形成在衬底上,同时在与光电二极管相对应的预定位置处具有至少一个沟槽;滤色器层,其形成在每个沟槽中;以及至少一...
该专利属于东部电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东部电子有限公司授权不得商用。
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