硅烷化合物、聚硅氧烷以及放射线敏感性树脂组合物制造技术

本发明专利技术提供适合作为Ｉ－Ｄ偏差、焦点会聚范围（ＤＯＦ）等特别优异的化学放大型抗蚀剂中的树脂成分的新型聚硅氧烷，作为合成该聚硅氧烷的原料等有用的新型硅烷化合物，和含有该聚硅氧烷的放射线敏感性树脂组合物。硅烷化合物用下述式（Ⅰ）表示。聚硅氧烷具有下述式（１）表示的结构单元（Ｒ表示烷基，Ｒ↑［１］与Ｒ↑［２］表示氟原子、低级烷基或低级氟代烷基，ｎ是０或１，ｋ是１或２，ｉ是０～１０的整数）。放射线敏感性树脂组合物含有该聚硅氧烷和放射线敏感性酸发生剂。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型的硅烷化合物、新型的聚硅氧烷、以及含有该聚硅氧烷，适用于使用远紫外线、电子射线、X射线等放射线的微细加工的放射线敏感性树脂组合物。
技术介绍
近年来，对LSI(高集成电路)的高密度化、高集成化的要求日益增高，随之配线图案的微细化也在迅速地发展。作为可适应于这种配线图案微细化的手段之一，有使光刻蚀加工中使用的放射线短波长化的方法，近年来开始使用KrF受激准分子激光(波长248nm)、ArF受激准分子激光(波长193nm)、F2受激准分子激光(波长157nm)等远紫外线、电子射线、X射线等代替g射线(波长436nm)、i射线(波长365nm)等紫外线。以往的抗蚀剂组合物中，作为树脂成分使用酚醛清漆树脂、聚(乙烯基苯酚)等，但由于这些材料在结构中含芳香环，对193nm的波长有强的吸收，对于使用例如ArF受激准分子激光的光刻蚀加工，不能获得高感光度、高析像清晰度、与高纵横比相对应的高精度。因此，寻求对于小于等于193nm，特别是ArF受激准分子激光(波长193nm)、F2受激准分子激光(波长157nm)等呈透明，并且具有与芳香环同等水平或更好的耐干式蚀刻性的抗蚀剂用树脂材本文档来自技高网...

【技术保护点】
下述式（Ⅰ）表示的硅烷化合物，＊＊＊（Ⅰ）式（Ⅰ）中，各Ｒ相互独立地表示Ｃ↓［１－２０］的直链状、支链状或环状的烷基，Ｒ↑［１］与Ｒ↑［２］相互独立地表示氟原子、Ｃ↓［１－４］的直链状或支链状的烷基或Ｃ↓［１－４］的直链 状或支链状的氟代烷基，ｎ是０或１，ｋ是１或２，ｉ在ｋ＝１时是０～８的整数，在ｋ＝２时是０～１０的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-10-15 355112/2003;JP 2003-10-16 356898/2001.下述式(I)表示的硅烷化合物， 式(I)中，各R相互独立地表示C1-20的直链状、支链状或环状的烷基，R1与R2相互独立地表示氟原子、C1-4的直链状或支链状的烷基或C1-4的直链状或支链状的氟代烷基，n是0或1，k是1或2，i在k＝1时是0～8的整数，在k＝2时是0～10的整数。2.权利要求1所述的硅烷化合物，其中式(I)中，各R相互独立地是甲基或乙基。3.权利要求1所述的硅烷化合物，其中式(I)中，R1是甲基或乙基，i＝0。4.权利要求1所述的硅烷化合物，其中式(I)中，n＝0。5.具有下述式(1)所示的结构单元，采用凝胶渗透色谱(GPC)测定的聚苯乙烯换算重均分子量为500～1000000的聚硅氧烷， 式(1)中，R1与R2相互独立地表示氟原子、C1-4的直链状或支链状的烷基或C1-4的直链状或支链状的氟代烷基，n是0或1，k是1或2，i在k＝1时是0～8的整数，在k＝2时是0～10的整数。6.具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(3)所示的结构单元，采用凝胶渗透色谱(GPC)测定的聚苯乙烯换算重均分子量为500～1000000的聚硅氧烷， 式(1)中，R1与各R2相互独立地表示氟原子、C1-4的直链状或支链状的烷基或C1-4的直链状或支链状的氟代烷基，n是0或1，k是1或2，i在k＝1时是0～8的整数，在k＝2时是0～10的整数，式(3)中，E表示具有氟代烃基的1价的有机基团。7.具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元(但不包括式(1)所示的结构单元)，采用凝胶渗透色谱(GPC)测定的聚苯乙烯换算重均分子量为500～1000000的聚硅氧烷， 式(1)中，R1与各R2相互独立地表示氟原子、C1-4的直链状或支链状的烷基或C1-4的直链状或支链状的氟代烷基，n是0或1，k是1或2，i在k＝1时是0～8的整数，在k＝2时是0～10的整数，式(2)中，各R3相互独立地表示C1-4的直链状或支链状的烷基或C4-20的1价的脂环式烃基或其衍生物，或者任何2个R3相互结合，与各自结合的碳原子一起形成C4-20的2价的脂环式烃基或其衍生物，其余的R3表示...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村功，山原登，田中正人，下川努，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]