薄膜晶体管基板及其制造方法技术

薄膜晶体管基板及其制造方法。该薄膜晶体管在ＬＣＤ板上包括选通线和数据线，它们形成像素区并由栅绝缘层分开。在像素区中的薄膜晶体管具有形成沟道的半导体图案。像素区中的像素电极包括透明导电膜。栅金属膜与在像素区中的一部分透明导电膜相邻。通过使沟道中的半导体暴露于氧或氮等离子体而形成半导体钝化膜。与所述选通线相连的选通焊盘包括在焊盘部分中的透明膜、以及在连接选通焊盘和选通线的连接区域中的透明膜和栅膜。与数据线相连的数据焊盘包括所述透明膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地，涉及适于减少掩模工艺数量的。
技术介绍
液晶显示装置使用电场控制透过液晶层的光透射率，以显示图像。如图1所示，液晶显示装置包括彼此面对的薄膜晶体管基板70和滤色器基板80，在它们之间具有液晶76。滤色器基板80包括用于在上基板11上形成滤色器阵列的多个层。该滤色器阵列包括用于防止通过其漏光的黑底68；实现各种颜色的滤色器62；公共电极64，其与形成在下基板1上的像素电极72形成垂直电场；以及覆盖在其上的上配向膜，用于对液晶进行配向。薄膜晶体管基板70包括形成在下基板1上的薄膜晶体管阵列。该薄膜晶体管阵列包括彼此交叉的选通线82和数据线74；形成在选通线82和数据线74的交叉处的薄膜晶体管58；与薄膜晶体管58相连的像素电极72；以及覆盖在其上的下配向膜，用于对液晶进行配向。在这种液晶显示装置中，薄膜晶体管阵列基板在制造期间包括大量工艺，包括多个掩模工艺。每个掩模工艺又包括多个工艺，例如薄膜淀积、清洗、光刻、蚀刻、光刻胶剥离、检查等。整个制造过程因而复杂，并增加了液晶显示板的成本。因此，希望减少在制造薄膜晶体管阵列基板中的掩模工艺的数量。
技术实现思路
仅以介绍的方式，在一个实施例中，一种薄膜晶体管基板包括在液晶显示基板上的选通线；和与该选通线交叉的数据线，在它们之间具有栅绝缘图案以提供像素区。在该像素区中形成薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有半导体图案，该半导体图案形成沟道并具有一个或更多个半导体层。像素电极设置在该像素区中并包括透明导电膜。栅金属膜与在像素区的一部分中的透明导电膜相邻。在半导体图案的与沟道相对应的部分上设置有半导体钝化膜。该半导体钝化膜包括经露出于等离子体的半导体(plasma-exposed semiconductor)。选通焊盘(gate pad)与选通线相连，并可以包括在连接选通焊盘和选通线的连接区域中的透明导电膜和栅金属膜、以及在焊盘部分(pad section)中的透明导电膜。同样，与数据线相连的数据焊盘(data pad)可以包括透明导电膜。可以形成一存储电极，该存储电极与数据线交叠，其间具有栅绝缘图案，并且与像素电极相连以形成存储电容器。在另一实施例中，一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括在液晶显示基板上设置透明导电膜、栅金属膜、栅绝缘膜和半导体；对所述栅金属膜和透明导电膜进行构图，以形成像素电极以及包括选通线、栅极、选通焊盘和数据焊盘的栅极图案；对所述半导体和栅绝缘膜进行构图，以形成半导体图案和栅绝缘膜，并使所述选通焊盘、数据焊盘和像素电极的透明导电膜露出；在所述半导体图案上形成包括数据线、源极和漏极的数据图案；以及在所述半导体图案的露出的有源层上形成半导体钝化膜。在另一实施例中，一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括在液晶显示基板上顺序设置透明导电膜、不透明栅膜、栅绝缘膜和半导体；由所述不透明栅膜和透明导电膜中的至少一个，形成像素电极以及包括选通线、栅极、选通焊盘和数据焊盘的栅极图案；对所述半导体和栅绝缘膜进行构图，以在栅极图案和像素电极上形成半导体图案和栅绝缘图案，并使所述选通焊盘、数据焊盘和像素电极的透明导电膜露出；在所述半导体图案上形成包括数据线、源极和漏极的数据图案；以及通过使在半导体图案的沟道中的有源层暴露于氧或氮等离子体中的至少一种，在该沟道上形成半导体钝化膜。附图说明下面将参照附图进行详细的描述，其中图1是表示现有技术的液晶显示板的立体平面图；图2是表示根据本专利技术第一实施例的薄膜晶体管基板的平面图；图3是表示沿着线I-I’、II-II’和III-III’截取的、图2中所示的薄膜晶体管基板的剖视图；图4A和图4B是表示图2和图3中所示的薄膜晶体管基板的第一掩模工艺的平面图和剖视图；图5A和图5B是表示图2和图3中所示的薄膜晶体管基板的第二掩模工艺的平面图和剖视图；图6A和图6B是表示图2和图3中所示的薄膜晶体管基板的第三掩模工艺的平面图和剖视图；图7A至图7C是详细地表示图6A和图6B中所示的第三掩模工艺的剖视图；图8是表示根据本专利技术第二实施例的薄膜晶体管基板的剖视图；以及图9A至图9D是详细地表示图8中所示的薄膜晶体管基板的第二掩模工艺的剖视图。具体实施例方式下面将详细地参考本专利技术的优选实施例，在附图中显示了其示例。下面将参照图2至图9D来说明本专利技术的实施例。图2是表示根据本专利技术第一实施例的液晶显示板的薄膜晶体管基板的平面图，并且图3是表示沿着图2中的线I-I’、II-II’、III-III’截取的薄膜晶体管基板的剖视图。图2和图3中所示的薄膜晶体管基板包括形成在下基板101上的选通线102和数据线104，它们彼此交叉，其间具有栅绝缘图案112；形成在其各个交叉部分处的薄膜晶体管130；形成在由所述交叉结构提供的像素区105中的像素电极122；半导体钝化膜120，用于保护薄膜晶体管130的沟道；存储电容器140，其形成在像素电极122和选通线102的交叠部分中；从选通线102伸出的选通焊盘150；以及从数据线104伸出的数据焊盘160。提供选通信号的选通线102和提供数据信号的数据线104彼此交叉，限定了像素区105。薄膜晶体管130允许响应于选通线102的选通信号将数据线104的像素信号充电并保持在像素电极122中。为此，薄膜晶体管130包括与选通线102相连的栅极106；与数据线104相连的源极108；以及与像素电极122相连的漏极110。薄膜晶体管130还包括与栅极106交叠的半导体图案114、116，在该栅极与半导体图案之间具有栅绝缘图案112，以在源极108和漏极110之间形成沟道。栅极图案包括栅极106和选通线102。栅极图案具有多层结构，包括透明导电膜170和在该透明导电膜170上的栅金属层172。选通焊盘150与栅驱动器(未示出)相连，以向选通线102提供在栅驱动器中生成的选通信号。在选通焊盘150中，从选通线102延伸的透明导电膜170露出。半导体图案在源极108和漏极110之间形成沟道，并包括有源层114，该有源层与栅极图案部分交叠，它们之间具有栅绝缘图案112。半导体图案还包括形成在有源层114上的欧姆接触层116。该欧姆接触层116在有源层114与存储电极128、源极108和漏极110之间建立欧姆接触。半导体钝化膜120在有源层114上，由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx形成，并在源极108和漏极110之间形成沟道。半导体钝化膜120防止了有源层114的沟道部分露出。半导体钝化膜120还防止有源层114露出，该有源层沿着选通线102形成，它们之间具有栅绝缘图案112。像素电极122直接与薄膜晶体管130的漏极110相连。像素电极122包括形成在像素区中的透明导电膜170、以及形成在与半导体图案交叠的区域的透明导电膜170上的栅金属层172。像素电极122的栅金属层172与透明导电膜170的导电率(conductivity)相比具有相对较高的导电率。因此，在像素电极122(通过薄膜晶体管130向该像素电极提供像素信号)与向其提供基准电压的公共电极(未示出)之间形成电场。该电场使滤色器基板和薄膜晶体管基板之间的液晶分子因介电各向异性而旋转。透过像素区105中的液晶的光透射率根据液晶分子的旋转程度而改变，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：在液晶显示基板上的选通线；数据线，其与选通线交叉，以提供像素区，所述选通线和数据线之间具有栅绝缘图案；形成在像素区中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有形成沟道的半导体图案；像素电极，其设 置在像素区中并包含透明导电膜；栅金属膜，其在像素区的一部分中与透明导电膜相邻；以及半导体钝化膜，其在半导体图案的与沟道相对应的部分上，该半导体钝化膜包含经露出于等离子体的半导体。

【技术特征摘要】
KR 2005-6-30 10-2005-00580581.一种薄膜晶体管基板，包括在液晶显示基板上的选通线；数据线，其与选通线交叉，以提供像素区，所述选通线和数据线之间具有栅绝缘图案；形成在像素区中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有形成沟道的半导体图案；像素电极，其设置在像素区中并包含透明导电膜；栅金属膜，其在像素区的一部分中与透明导电膜相邻；以及半导体钝化膜，其在半导体图案的与沟道相对应的部分上，该半导体钝化膜包含经露出于等离子体的半导体。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括源极和漏极，它们彼此相对，其间设置有所述半导体钝化膜，其中，所述半导体图案包括有源层；以及欧姆接触层，其设置在该有源层与源极和漏极之间，该欧姆接触层具有孔，所述半导体钝化膜通过所述孔与源极和漏极之间的有源层接触。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括包含所述栅金属膜的数据焊盘和栅极，该栅极从所述选通线延伸，其中所述半导体图案沿着所述选通线设置，其间具有所述栅绝缘图案，并且该半导体图案与所述数据焊盘和栅极的栅金属膜交叠。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅绝缘图案具有与所述半导体图案的有源层相同的图案。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述半导体钝化膜包括硅氧化物或硅氮化物中的至少一种。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述薄膜晶体管包括与所述选通线相连的栅极；与所述数据线相连的源极；以及与所述源极面对的漏极，所述源极和漏极之间具有所述半导体图案。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，所述选通线和栅极包括所述透明导电膜和栅金属膜。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，还包括与所述选通线相连的选通焊盘，该选通焊盘包括在连接所述选通焊盘和选通线的连接区域中的透明导电膜和栅金属膜、以及在焊盘部分中的透明导电膜；以及与所述数据线相连的数据焊盘，该数据焊盘包括透明导电膜。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括存储电极，其与所述数据线交叠并在它们之间具有所述栅绝缘图案，该存储电极与所述像素电极相连以形成存储电容器。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅金属膜与像素区的所述部分中的透明导电膜接触。11.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，所述源极和漏极设置成至少直到所述半导体钝化膜。12.一种薄膜晶体管基板的制造方法，该方法包括在液晶显示基板上设置透明导电膜、栅金属膜、栅绝缘膜和半导体；对所述栅金属膜和透明导电膜进行构图，以形成像素电极以及包括选通线、栅极、选通焊盘和数据焊盘的栅极图案；对所述半导体和栅绝缘膜进行构图，以形成半导体图案和栅绝缘膜，并使所述选通焊盘的透明导电膜、数据焊盘和像素电极露出；在所述半导体图案上形成包括数据线、源极和漏极的数据图案；以及在所述半导体图案的露出的有源层上形成半导体钝化膜。13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述像素电极包括在像素区中的透明导电膜，并且所述栅金属膜与组成像素电极的透明导电膜相邻并外接。14.根据权利要求12所述的制造方法，其中，沿着所述栅极图案的所述半导体图案和栅绝缘图案比所述栅极图案要宽。15.根据权利要求12所述的制造方法，其中，对所述半导体和栅绝缘膜进行构图包括在所述栅极图案和像素电极上顺序设置栅绝缘膜以及第一半导体层和第二半导体层；对该栅绝缘膜以及第一半导体层和第二半导体层进行构图，以形成具有相同图案的栅绝缘图案、有源层和欧姆接触层；以及使用栅绝缘图案作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑泰容，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]