一种半导体器件的检测方法及检测系统技术方案

本申请提供一种半导体器件的检测方法及检测系统，所述检测方法包括：提供待检测样品，所述待检测样品包括检测单元，所述检测单元包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层的电势与所述第二金属层的电势不同；对所述待检测样品进行电子束检测，以得到检测图像；所述检测单元中的所述第一金属层在所述检测图像上呈现为第一子图像；所述检测单元中的所述第二金属层在所述检测图像上呈现为第二子图像；根据所述第一子图像和所述第二子图像的亮度，确定所述检测单元是否存在缺陷。本申请提供的检测方法，能够直接通过检测图像快速且精确地确定缺陷，无需设置标准样品进行对比，能够有效地节省检测时间及提高检测效率。能够有效地节省检测时间及提高检测效率。能够有效地节省检测时间及提高检测效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的检测方法及检测系统


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的检测方法及检测系统。

技术介绍

[0002]在半导体器件的生产过程中，进行检测分析可及时发现并纠正设计和生产过程中的缺陷，这对于提高生产效率，改善制造工艺的可靠性和稳定性起到了至关重要的作用。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种半导体器件的检测方法及检测系统。
[0004]本申请的技术方案是这样实现的：
[0005]本申请的第一方面提供一种半导体器件的检测方法，所述检测方法包括：
[0006]提供待检测样品，所述待检测样品包括检测单元，所述检测单元包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层的电势与所述第二金属层的电势不同；
[0007]对所述待检测样品进行电子束检测，以得到检测图像；
[0008]所述检测单元中的所述第一金属层在所述检测图像上呈现为第一子图像；所述检测单元中的所述第二金属层在所述检测图像上呈现为第二子图像；
[0009]根据所述第一子图像和所述第二子图像的亮度，确定所述检测单元是否存在缺陷。
[0010]根据本申请的一种实施方式，所述根据所述第一子图像和所述第二子图像的亮度，确定所述检测单元是否存在缺陷，包括：
[0011]所述第一子图像和所述第二子图像上不存在亮度相同的区域时，则确定所述检测单元不存在缺陷；
[0012]所述第一子图像和所述第二子图像上存在亮度相同的区域时，则确定所述检测单元存在缺陷。
[0013]根据本申请的一种实施方式，所述待检测样品包括多个检测单元。
[0014]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：
[0015]所述第一子图像和所述第二子图像上亮度相同的区域的亮度与第一标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元存在孔洞缺陷；
[0016]其中，所述第一标准子图像为不存在缺陷的所述第一金属层的检测图像。
[0017]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：
[0018]所述第一子图像和所述第二子图像上亮度相同的区域的亮度与第二标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元存在短接缺陷；
[0019]其中，所述第二标准子图像为不存在缺陷的所述第二金属层的检测图像。
[0020]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：
[0021]所述第一子图像的亮度与第二标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元中的所述第一金属层存在短接缺陷；
[0022]其中，所述第二标准子图像为不存在缺陷的所述第二金属层的检测图像。
[0023]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：
[0024]所述第二子图像的部分区域的亮度与第一标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元中的所述第二金属层存在孔洞缺陷；
[0025]其中，所述第一标准子图像为不存在缺陷的所述第一金属层的检测图像。
[0026]根据本申请的一种实施方式，所述检测方法还包括：
[0027]根据存在缺陷的检测单元的数量，计算所述半导体器件的缺陷密度。
[0028]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层为浮置金属层，所述第二金属层为接地金属层。
[0029]根据本申请的一种实施方式，所述电子束为扫描电子显微镜SEM电子束或聚焦离子束FIB电子束。
[0030]本申请的第二方面提供一种半导体器件的检测系统，所述检测系统包括：
[0031]电子束检测模块，所述电子束检测模块用于对待检测样品进行电子束检测，以得到检测图像；
[0032]所述待检测样品包括检测单元，所述检测单元包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层的电势与所述第二金属层的电势不同；
[0033]其中，所述检测单元中的所述第一金属层在所述检测图像上呈现为第一子图像；所述检测单元中的所述第二金属层在所述检测图像上呈现为第二子图像；
[0034]缺陷检测模块，所述缺陷检测模块用于根据所述第一子图像和所述第二子图像的亮度，确定所述检测单元是否存在缺陷。
[0035]根据本申请的一种实施方式，所述缺陷检测模块具体用于在所述第一子图像和所述第二子图像上不存在亮度相同的区域时，确定所述检测单元不存在缺陷；
[0036]所述第一子图像和所述第二子图像上存在亮度相同的区域时，则确定所述检测单元存在缺陷。
[0037]根据本申请的一种实施方式，所述待检测样品包括多个检测单元。
[0038]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述缺陷检测模块具体用于在所述第一子图像和所述第二子图像上亮度相同的区域的亮度与第一标准子图像的亮度相同时，确定所述检测单元存在孔洞缺陷；
[0039]其中，所述第一标准子图像为不存在缺陷的所述第一金属层的检测图像。
[0040]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述缺陷检测模块具体用于在所述第一子图像和所述第二子图像上亮度相同的区域的亮度与第二标准子图像的亮度相同时，确定所述检测单元存在短接缺陷；
[0041]其中，所述第二标准子图像为不存在缺陷的所述第二金属层的检测图像。
[0042]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势
情况下，所述缺陷检测模块具体用于在所述第一子图像的亮度与第二标准子图像的亮度相同时，确定所述检测单元中的所述第一金属层存在短接缺陷；
[0043]其中，所述第二标准子图像为不存在缺陷的所述第二金属层的检测图像。
[0044]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述缺陷检测模块具体用于在所述第二子图像的部分区域的亮度与第一标准子图像的亮度相同时，确定所述检测单元中的所述第二金属层存在孔洞缺陷；
[0045]其中，所述第一标准子图像为不存在缺陷的所述第一金属层的检测图像。
[0046]根据本申请的一种实施方式，所述检测系统还包括：计算模块；其中，
[0047]所述计算模块用于根据存在缺陷的检测单元的数量，计算所述半导体器件的缺陷密度。
[0048]根据本申请的一种实施方式，所述第一金属层为浮置金属层，所述第二金属层为接地金属层。
[0049]根据本申请的一种实施方式，所述电子束为SEM电子束或FIB电子束。
[0050]本申请提供了一种半导体器件的检测方法及检测系统，所述检测方法包括：提供待检测样品，所述待检测样品包括检测单元，所述检测单元包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层的电势本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：提供待检测样品，所述待检测样品包括检测单元，所述检测单元包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层的电势与所述第二金属层的电势不同；对所述待检测样品进行电子束检测，以得到检测图像；所述检测单元中的所述第一金属层在所述检测图像上呈现为第一子图像；所述检测单元中的所述第二金属层在所述检测图像上呈现为第二子图像；根据所述第一子图像和所述第二子图像的亮度，确定所述检测单元是否存在缺陷。2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一子图像和所述第二子图像的亮度，确定所述检测单元是否存在缺陷，包括：所述第一子图像和所述第二子图像上不存在亮度相同的区域时，则确定所述检测单元不存在缺陷；所述第一子图像和所述第二子图像上存在亮度相同的区域时，则确定所述检测单元存在缺陷。3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述待检测样品包括多个检测单元。4.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：所述第一子图像和所述第二子图像上亮度相同的区域的亮度与第一标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元存在孔洞缺陷；其中，所述第一标准子图像为不存在缺陷的所述第一金属层的检测图像。5.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：所述第一子图像和所述第二子图像上亮度相同的区域的亮度与第二标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元存在短接缺陷；其中，所述第二标准子图像为不存在缺陷的所述第二金属层的检测图像。6.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：所述第一子图像的亮度与第二标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元中的所述第一金属层存在短接缺陷；其中，所述第二标准子图像为不存在缺陷的所述第二金属层的检测图像。7.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一金属层的电势高于所述第二金属层的电势情况下，所述检测方法还包括：所述第二子图像的部分区域的亮度与第一标准子图像的亮度相同时，则确定所述检测单元中的所述第二金属层存在孔洞缺陷；其中，所述第一标准子图像为不存在缺陷的所述第一金属层的检测图像。8.如权利要求1至7中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：根据存在缺陷的检测单元的数量，计算所述半导体器件的缺陷密度。9.如权利要求1至7中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述第一金属层为浮置金属层，所述第二金属层为接地金属层。10.如权利要求1至7中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述电子束为扫描电子显
微镜SEM电子束或聚焦离子束FIB电子束。11.一种半导体器件的检测系统，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：