发光装置、包括其的电子设备和有机金属化合物制造方法及图纸

技术编号：31894063 阅读：27 留言：0更新日期：2022-01-15 12:23

提供了由式1表示的有机金属化合物、包括其的发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中发射层包括由式1表示的有机金属化合物。式1式1式1式1

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【技术实现步骤摘要】
发光装置、包括其的电子设备和有机金属化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2020年7月13日提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0086449号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。

[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及发光装置、包括其的电子设备和有机金属化合物。

技术介绍

[0004]发光装置中的自发射装置不仅具有宽视角和高对比度，而且具有短响应时间。此外，这种自发射装置在亮度、驱动电压和响应速度方面具有卓越的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子比如空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁(或弛豫)到基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]本公开的一个或多个实施方式提供了具有高发光效率和长寿命的发光装置以及包括发光装置的设备。另外，一个或多个实施方式提供具有特定结构式的有机金属化合物。
[0007]实施方式的另外方面将部分在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或者可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而认识到。
[0008]根据一个或多个实施方式，提供了发光装置，其包括：
[0009]第一电极，
[0010]面对第一电极的第二电极，...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括由式1表示的有机金属化合物：式1其中，在式1中，M为铂、钯、金、镍)、银或铜，在式1中，X1至X4各自独立地为C或N，在式1中，i)X1和M之间的键为配位键，并且ii)选自X2和M之间的键、X3和M之间的键以及X4和M之间的键中的一个键为配位键，且其余两个键为共价键，在式1中，环CY1为i)含X1的5元环，ii)与至少一个6元环稠合的含X1的5元环，或者iii)含X1的6元环，在式1中，环CY2为C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，在式1中，X
31
至X
36
和X
41
至X
44
各自独立地为C或N，在式1中，X
51
为*
‑
N(R5)
‑
*'、*
‑
B(R5)
‑
*'、*
‑
P(R5)
‑
*'、*
‑
C(R
5a
)(R
5b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
5a
)(R
5b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
5a
)(R
5b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R5)＝*'、*＝C(R5)
‑
*'、*
‑
C(R
5a
)＝C(R
5b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*'，其中*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，在式1中，L1为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，在式1中，b1为1至5范围内的整数，在式1中，R1至R5、R
5a
和R
5b
各自独立地为由式1
‑
1表示的基团、由式1
‑
2表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，
在式1中，c1为0至5范围内的整数，a1和a4各自独立地为0至4范围内的整数，a2为0至10范围内的整数，a3为0至6范围内的整数，a1至a4之和为1或更大，数量为a1的由*
‑
(L1)
b1
‑
(R1)
c1
表示的基团中的至少一个、数量为a2的R2中的至少一个、数量为a3的R3中的至少一个、数量为a4的R4中的至少一个或其任意组合各自独立地为由式1
‑
1表示的基团或由式1
‑
2表示的基团，在式1
‑
1和式1
‑
2中，L7为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，在式1
‑
1和式1
‑
2中，b7为1至5范围内的整数，在式1
‑
1和式1
‑
2中，环CY7为C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，在式1
‑
1和式1
‑
2中，n7为1至5范围内的整数，在式1
‑
1中，环CY8为非芳族C3‑
C
60
碳环基团或非芳族C1‑
C
60
杂环基团，在式1
‑
1和式1
‑
2中，R7至R9各自与结合R1描述的相同，在式1
‑
1和式1
‑
2中，a7和a8各自独立地为0至20范围内的整数，选自数量为a1的由*
‑
(L1)
b1
‑
(R1)
c1
表示的基团中的两个或更多个任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，选自数量为a2的R2中的两个或更多个任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，选自数量为a3的R3中的两个或更多个任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，选自数量为a4的R4中的两个或更多个任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，选自R1至R5、R
5a
和R
5b
中的两个或更多个任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合。2.如权利要求1所述的发光装置，其中：在式1的环CY1中，所述含X1的5元环为吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基或噻二唑基，并且在式1的环CY1中，与所述含X1的5元环稠合的所述6元环或者所述含X1的6元环为苯基、吡啶基或嘧啶基。3.如权利要求1所述的发光装置，其中式1中的a4为1至4范围内的整数，并且数量为a4的R4中的至少一个各自独立地为由式1
‑
1表示的基团或由式1
‑
2表示的基团。4.如权利要求1所述的发光装置，其中：在式1
‑
1和式1
‑
2中，环CY7为i)第一环，ii)第二环，iii)其中两个或更多个第一环彼此稠合的稠环基团，iv)其中两个或更多个第二环彼此稠合的稠环基团，或者v)其中至少一个第一环与至少一个第二环稠合的稠环基团，所述第一环为环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、环辛烯基、金刚烷基、降冰片烯基、降冰片烷基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，并且所述第二环为吡咯基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、1,2
‑
氮杂硼杂己环基、1,3
‑
氮杂硼杂己环基、1,4
‑
氮杂硼杂己环基、1,2
‑
二氢
‑
1,2
‑
氮杂硼杂己环基、1,4
‑
氧杂硼杂己环基、1,4
‑
硫杂硼杂己环基或1,4
‑
二氢硼杂己环基。5.如权利要求1所述的发光装置，其中式1
‑
1中的环CY8为环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、环辛烯基、金刚烷基、降冰片烯基、降冰片烷基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基或二环[2.2.2]辛烷基。6.如权利要求1所述的发光装置，其中式1
‑
1中的环CY8为由式CY8
‑
1至式CY8
‑
8中的一个表示的基团：
其中，在式CY8
‑
1至式CY8
‑
8中，*指示与式1中的相邻原子的结合位点，并且*'指示与式1
‑
1中的L7的结合位点。7.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述第二电极外侧的第二封盖层，所述第二封盖层包括具有等于或大于1.6的折射率的材料。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有在410nm至500nm范围内的最大发射波...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩定勋，权淳基，金润姬，高秀秉，李在晟，成旻宰，
申请(专利权)人：庆尚国立大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：

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