发光装置制造方法及图纸

本申请提供了发光装置。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层，并且发射层包括如本文描述的式1

【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年5月26日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0067891号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用由此并入，如同在本文中充分地陈述。


[0003]本专利技术的实施方式通常涉及显示装置，且更具体地，涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]有机发光装置(OLED)为自发射装置，其与现有技术的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性，并且产生全色图像。
[0005]OLED可包括基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。来自第一电极的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，并且来自第二电极的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。
[0006]该背景章节中公开的上面的信息仅用于对本专利技术构思的背景的理解，并且，因此，其可含有不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]与现有技术相比，发光装置和包括其的电子设备具有低驱动电压和提高的效率。
[0008]本专利技术构思的另外的特征将在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本专利技术构思的实践而了解到。
[0009]根据本专利技术的一个方面，发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层，并且发射层包括式1
‑
1或式1
‑
2的第一化合物和式2的第二化合物：
[0010]式1
‑1[0011][0012]式1
‑2[0013][0014]式2
[0015][0016]其中，在式1
‑
1和式1
‑
2以及式2中，变量为本文描述的。
[0017]根据另一实施方式的方面，电子设备可包括如上描述的发光装置。
[0018]应当理解，前述的一般描述和下述的详细描述都是示出性和解释性的，并且旨在提供如要求保护的本专利技术的进一步解释。
附图说明
[0019]为提供本专利技术的进一步理解而包括的并且并入本说明书中以及构成本说明书的一部分的所附附图，示出了本专利技术的示出性实施方式，并且与描述一起用于解释本专利技术构思。
[0020]图1为根据本专利技术的原理构造的发光装置的实施方式的示意性横截面图。
[0021]图2为包括根据本专利技术的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的示意性横截面图。
[0022]图3为包括根据本专利技术的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性横截面图。
具体实施方式
[0023]在以下描述中，为了解释的目的，陈述了许多具体的细节，以便提供对本专利技术的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词语，其为采用本文公开的一个或多个本专利技术构思的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，可在没有这些具体的细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。在其他情况下，熟知的结构和装置以框图形式显示，以避免不必要地混淆各种实施方式。进一步，各种实施方式可为不同的，但是不必是排他性的。例如，在不背离本专利技术构思的情况下，实施方式的具体形状、配置和特点可在另一实施方式中使用或实现。
[0024]除非另外指出，否则示出的实施方式应理解为提供其中可在实践中实现本专利技术构思的一些方式的不同细节的示出性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本专利技术构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。
[0025]通常提供所附附图中的交叉影线和/或阴影的使用，以阐明邻近元件之间的边界。正因如此，除非另外指出，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传递或指示对特定材料、材料性质、维度、比例、示出的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在所附附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，可放大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实现实施方式时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行两个连续描述的工艺。而且，相同的附图标记表示相同的元件，并且省略重复的解释以避免冗余。
[0026]当元件，比如层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层，或可存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更宽的意义上解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X，仅Y，仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，比如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。
[0027]尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。
[0028]空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“之上”、“上方”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等可在本文中用于描述性目的，并且，从而描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语也旨在涵盖使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将附图中的设备翻转，则描述为其他元件或特征“下面”或其他元件或特征“之下”的元件将接着定向为其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可囊括上面和下面的两种定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他定向)，并且，正因如此，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
[0029]本文使用的术语用于描述特定的实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如本文使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，其中所述夹层包括发射层，并且所述发射层包括式1
‑
1或式1
‑
2的第一化合物和式2的第二化合物：式1
‑
1式1
‑
2式2其中，在式1
‑
1和式1
‑
2以及式2中，L1至L4各自彼此独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，L5为*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(R5)
‑
*'、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
20
亚烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1至a4各自彼此独立地为选自0至5的整数，a5为选自1至10的整数，R1至R5各自彼此独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R1和R2任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基彼此结合，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，R3和R4任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基彼此结合，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，n1为选自1至4的整数，
X
11
为C(R
11
)或N，X
12
为C(R
12
)或N，X
13
为C(R
13
)或N，X
14
为C(R
14
)或N，X
15
为C(R
15
)或N，X
16
为C(R
16
)或N，X
17
为C(R
17
)或N，X
18
为C(R
18
)或N，且X
19
为C(R
19
)或N，R
11
至R
19
各自彼此独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，R
11
至R
19
中的任意两个基团任选地彼此结合，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基或腙基；各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
20
烷基、C1‑
C
20
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金美更，金润姬，权淳基，金楠宇，金智贤，朴炳熙，梁承珏，
申请(专利权)人：庆尚国立大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：