【技术实现步骤摘要】
本申请要求韩国专利申请号10-2005-0074582的优先权，其于2005年8月13日向韩国专利局递交，其内容在此全面结合供参考。本专利技术涉及到一种。尤其是，本专利技术涉及到一种具备优良加工效率的。
技术介绍
近年来，液晶显示器(LCD)作为显示装置被广泛应用于笔记本电脑及其它便携式装置，其驱动方法正在从简单的矩阵类型转变为有源矩阵类型。尤其是，一种在玻璃衬底上生成多个薄膜晶体管(TFT)的薄膜晶体管有源矩阵驱动方法已经成为驱动液晶显示器的主流技术。TFT通常包括作为栅极线的一部分的栅极，形成沟道的半导体层，作为数据线的一部分的源极，和关于半导体层与源极相对的漏极。TFT通常可以作为开关部件，它借助于通过栅极线传送来扫描信号，用于将经过数据线接收的图像信号传送到像素电极或阻止该信号传送到该像素电极。半导体层一般由非晶硅或多晶硅组成。根据半导体层与栅极的相对位置，薄膜晶体管可分为底栅型和顶栅型两种。多晶硅TFT的通常属于顶栅极类型，其栅极形成在半导体层上面。随着利用激光的各种结晶技术的发展，可以在类似于制造非晶硅的温度范围的条件下来制造多晶硅TFT，而且它比...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管衬底，包括：第一导电型ＭＯＳ晶体管，其包括：第一半导体层，它形成在阻挡层上并且具有与沟道区两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区，与第一导电型低浓度掺杂区相邻的第一导电型源／漏极区，在第一半导体层上形成的第一栅绝缘层，第二栅绝缘层，它形成在第一栅绝缘层上并且与所述沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂区重叠，和在第二栅绝缘层上形成的第一栅极；和第二导电型ＭＯＳ晶体管，其包括：第二半导体层，它形成在阻挡层上并且具有与沟道区两边相邻的第二导电型源／漏极区，在第二半导体层上形成的第一栅绝缘层，第二栅绝缘层，它形成在第一栅绝缘层上并且与第二半导体层重叠，和在第二栅绝缘层上形成的第二栅极。
【技术特征摘要】
KR 2005-8-13 10-2005-00745821.一种薄膜晶体管衬底，包括第一导电型MOS晶体管，其包括第一半导体层，它形成在阻挡层上并且具有与沟道区两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区，与第一导电型低浓度掺杂区相邻的第一导电型源/漏极区，在第一半导体层上形成的第一栅绝缘层，第二栅绝缘层，它形成在第一栅绝缘层上并且与所述沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂区重叠，和在第二栅绝缘层上形成的第一栅极；和第二导电型MOS晶体管，其包括第二半导体层，它形成在阻挡层上并且具有与沟道区两边相邻的第二导电型源/漏极区，在第二半导体层上形成的第一栅绝缘层，第二栅绝缘层，它形成在第一栅绝缘层上并且与第二半导体层重叠，和在第二栅绝缘层上形成的第二栅极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其特征在于所述第二栅绝缘层的厚度等于或大于第一栅绝缘层的厚度。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其特征在于还包括在第一导电型源/漏极区下方的第一导电型MOS晶体管的第一半导体层中的第二导电型掺杂杂质。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其特征在于所述第一导电型为N型，第二导电型为P型。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其特征在于所述第一栅绝缘层包含二氧化硅膜。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其特征在于所述第二栅绝缘层包含氮化硅膜。7.一种制造薄膜晶体管衬底的方法，所述方法包含提供一个衬底，其中在阻挡层上形成第一和第二半导体层；在第一半导体层上形成第一离子注入掩膜结构，它包括第一栅绝缘层，与第一半导体层的沟道区重叠的第二栅绝缘层，与第一半导体层的沟道区重叠的第一栅极，和与第二栅绝缘层重叠的第一光刻胶膜图案；在第二半导体层上形成第二离子注入掩膜结构，它包括第一栅绝缘层，与第二半导体层重叠的第二栅绝缘层，与第二半导体层的沟道区重叠的第二栅极，与第二栅极重叠的第二光刻胶膜图案；和利用第一和第二离子注入掩膜结构，将高浓度的第二导电型杂质离子注入到第二半导体层和第一半导体层下方的阻挡层而形成第二导电型源/漏极区。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于还包括除去第一和第二光刻胶膜图案；和将低浓度第一导...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴庆珉，柳春基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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