解析方法、曝光装置及曝光装置系统制造方法及图纸

本发明专利技术为提供一解析方法，能容易且适当对相关于处理程式（ｒｅｃｉｐｅ）或处理单元（ｕｎｉｔ）的组合的元件制造上的测量资料进行分析。依本发明专利技术的解析方法，将例如线宽精度或重叠精度等曝光结果的特性，从各批次（ｌｏｔ）的曝光处理结果任意检出，将该特性，与呈现该特性所进行的曝光处理时例如处理程式、曝光装置、或曝光前后处理装置（ｔｒａｃｋ）中的处理单元或其组合，建立对应关系而分类之。又，根据其分类结果来判定，曝光结果的特性是否与特定的处理程式或处理单元有相关性。在具有相关性时，在其后，于使用该处理程式或处理单元的批次投入时，则发出警告或施以自动修正等，以防止施以精度不佳的处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关一解析方法，其适用于，例如制造半导体元件、液晶显示元件、CCD等摄影元件、等离子显示元件、薄膜磁头等电子元件(以下仅以电子元件或元件称之)时，用来解析曝光结果的相关资料，可早期检测出线宽控制精度或重叠精度的恶化现象。又，本专利技术是有关曝光装置及曝光装置系统，借使用该解析方法能早期检测出线宽控制精度或重叠精度的恶化现象，以提高电子元件的生产性。
技术介绍
就电子元件的制造而言，于微影步骤中使用曝光装置，将形成于光罩或标线片(以后统称为标线片)的微细图案像，投影曝光在涂布有光阻等感光剂的半导体晶圆或玻璃板等的基板(以下统称为晶圆)。此时，使标线片与晶圆高精度对位(对准)，使标线片的与形成于晶圆上的图案重叠，以进行投影曝光。近年来，图案的微细化或高集积度化急速进展，故对该曝光装置要求较以前更高的的曝光精度。因此，对准的精度亦要求的更为严格，期能达到更高精度的对准。作为标线片对准的标记检测方式，一般而言，是使用曝光用光的方式。其可适用于VRA(Visual Reticle Alignment)方式等，将曝光用光照射于已描绘在标线片上的对准标记，对于以CCD摄影机等所摄影的对准标记的影像资料施以影像处理，以测量标记的位置。作为晶圆对准的标记检测方式有LSA(Laser Step Alignment)方式，将激光照射在晶圆的点列状对准标记，以利用由该标记绕射或散射的光来测量标记位置。又，有FIA(Field ImageAlignment)方式，利用卤素灯等为其光源，以宽波长带的光来照明于对准标记，将由CCD摄影机等所摄影的对准标记的影像资料进行影像处理，以测量标记位置。此外，还有LIA(Laser Interferometric Alignment)方式，将频率仅是微幅改变的激光从2个方向照射在晶圆上的绕射格子状的对准标记，使产生的2个绕射光干涉，可由其相位来测量对准标记的位置。晶圆对准方式，有逐一对晶圆的各照射(shot)区域检测对准标记以进行对位的晶粒(die by die、D/D方式)对准方式；以及，仅检测晶圆中数个照射区域的对准标记，借以取得照射区域排列的规则性，以使各照射区域对位的全对准(global alignment)方式。在现今的电子元件的生产线上，为顾及产能，主要使用全对准方式。特别是在近日，利用统计方法来高精度检测出晶圆上照射区域的排列规则性的增强型全晶圆对准(EGAEnhanced GlobalAlignment)方式已被广为使用(例如，参照专利文献1)。在其等的光学式对准中，先检测出标线片上的对准标记，以测量位置座标。接着检测出晶圆上的对准标记，以测量位置座标。其次，根据其等的测量结果，求出标线片位置和与其重叠的照射区域位置的相对位置关系。根据其等的结果，以晶圆载台移动晶圆，可使标线片的图案像重叠于照射区域位置，以进行标线片的图案像的投影曝光。又，亦要求能在短期间内制造多种类的电子元件，以提高生产性。故而，在电子元件的生产线上，为能早点检测出制造上的不良状况以迅速采取对应，或为了要借此而高效率制造特性优异的元件，甚至为了要提升装置的运转率及提高良率，乃导入资讯收集、解析装置、诊断系统、及装置支援系统等。在上述的诊断系统或装置支援系统中，从曝光装置或制程(process)处理装置等的制造装置、检查装置、及测量装置等收集各种资料，于伺服器装置等，对该等资料进行解析，借此来掌握状况，以进行控制参数等的调整。借此，能进行例如分析及掌握装置的运转状况、以统计方式来解析装置的倾向以检测其异常、以及根据装置的倾向来预测及防止未来异常的发生(例如，参照专利文献2)。然而，在微影步骤中，会有在特定的处理中特定误差较大的状况。例如，使用某处理程式(process program，亦有称为recipe者)，对于已曝光有第1层图案的批次施以第2层图案的曝光时，会有EGA的非线性成分变大，对重叠精度造成不良影响；或是仅对于特定制程的晶圆，在晶圆边缘会有因照射区域不足而使对焦控制精度恶化的情形。在一般的曝光装置中的批次流动，须对各制程作成处理程式，以使处理程式内的参数对该制程达到最佳化。然而，欲使处理程式内的所有参数对各制程均达最佳化，须有众多的参数，故难以实现。因此，实际在使用时，不见得是在最佳处理程式的设定条件下来进行晶圆的曝光。故，在特定的处理程式下，可能因特定的误差而恶化。另一方面，在曝光前后处理装置(track)，于涂布、烘烤、冷却、及显影等各模组(module)内具备复数个相同功能的单元(unit)时，线宽控制精度或重叠精度会因相关于实际使用的单元组合而有所差别。当曝光装置内具备复数个载台、曝光单元、及对准系统时，同样有可能在使用特定单元或其等的组合时，使EGA的非线性成分变大，以致对线宽控制精度或重叠精度造成不良影响。此类问题，极可能造成电子元件性能的不均或导致降低良率，故如何能尽早将其检测出以迅速修正或提出对策，从提高生产性或品质的观点而言，亦相当重要。因此，本专利技术的目的，是提供一解析方法，对于在微影步骤中，相关于处理程式(处理程式)、处理单元或其等组合的线宽控制精度或重叠精度等之、与元件制造上的测量资料分析，能容易且适当进行。又，本专利技术的其他目的，是提供曝光装置及曝光装置系统，其可根据该解析方法施以适当的解析，可以适当且高生产性来制造电子元件。专利文献1日本特开昭62-84516号公报专利文献2日本专利第336436号公报
技术实现思路
依本专利技术的第1观点，是提供一解析方法，其具备以下步骤检测出曝光对象曝光后所得的曝光结果的既定特性(步骤S110)；检测处理程式，该处理程式是用以限定对该曝光对象进行微影步骤(包含该曝光)的既定处理条件(步骤S120)；将所检测的该曝光结果的既定特性，依该处理程式(步骤S130)别作分类；及检测出该曝光结果的既定特性对该处理程式的相关性。在该解析方法中，例如，将线宽精度或重叠精度等的曝光结果的特性，任意从曝光处理的结果而检测出，将该特性，与呈现该特性的曝光处理进行时的处理程式，建立对应关系而分类。借此，可将曝光结果的特性与各处理程式进行比较，其结果，可检测出该特性与处理程式的关系、相关性，亦即，检测出该特性对该处理程式的相关性。在本专利技术第1观点的解析方法中，可检测出对该曝光对象进行该微影步骤的既定处理时所使用的处理单元或处理单元的组合；将所检测的该曝光结果的既定特性，依该处理程式别、处理单元别或处理单元的组合别、或者是其等的组合别作分类；及检测出该曝光结果的既定特性，对该处理程式、该处理单元或处理单元的组合，或是其等的组合的相关性。较佳的具体例是该曝光结果的既定特性，是曝光后形成的图案的线宽、及该图案的重叠精度。在本专利技术第1观点的解析方法中，为了预测该曝光结果的既定特性是否超过预定基准值，根据该检测出的相关性来界定该处理程式、该处理单元或处理单元的组合、或是其等的组合的至少其一；当进行符合该界定的处理程式、该处理单元或处理单元的组合、或是其等的组合的处理时，则发出警报。根据本专利技术的第2观点，是提供一解析方法，其具备以下步骤检测出对曝光对象曝光后所得的曝光结果的既定特性；检测出对该曝光对象进行该微影步骤的既定处理时所使用的处理单元或处理单元的组合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解析方法，其特征在于具备以下步骤：检测出将曝光对象曝光后所得的曝光结果的既定特性；检测处理程式，该处理程式是用以限定对该曝光对象进行包含该曝光的微影步骤的既定处理条件；将所检测的该曝光结果的既定特性，依处理程式别 作分类；及检测出该曝光结果的既定特性对该处理程式的相关性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-4-28 133600/20041.一种解析方法，其特征在于具备以下步骤检测出将曝光对象曝光后所得的曝光结果的既定特性；检测处理程式，该处理程式是用以限定对该曝光对象进行包含该曝光的微影步骤的既定处理条件；将所检测的该曝光结果的既定特性，依处理程式别作分类；及检测出该曝光结果的既定特性对该处理程式的相关性。2.根据权利要求1所述的解析方法，其特征在于其中，检测出对该曝光对象进行该微影步骤的既定处理时所使用的处理单元或处理单元的组合；将所检测的该曝光结果的既定特性，依处理程式别、处理单元别或处理单元的组合别、或其等的组合别作分类；及检测出该曝光结果的既定特性，对该处理程式、该处理单元或处理单元的组合、或是其等的组合的相关性。3.根据权利要求1或2所述的解析方法，其特征在于其中所述曝光结果的既定特性，是曝光后形成的图案的线宽精度、及该图案的重叠精度。4.根据权利要求2或3所述的解析方法，其特征在于其中，为了预测该曝光结果的既定特性是否超过预定基准值，根据该检测出的相关性来界定该处理程式、该处理单元或处理单元的组合、或是其等的组合的至少其一；当进行符合该界定的处理程式、该处理单元或处理单元的组合、或是其等的组合的处理时，则发出警报。5.一种解析方法，其特征在于具备以下步骤检测出对曝光对象曝光后所得的曝光结果的既定特性；检测出对该曝光对象进行微影步骤的既定处理时所使用的处理单元或处理单元的组合；将所检测的该曝光结果的既定特性，依处理单元别或处理单元的组合别来分类；及检测出该曝光结果的既定特性对该处理程式的相关性。6.一种曝光装置，其特征在于具备曝光机构，用以将形成于光罩的图案曝光于基板上；检测机构，用以检测出该图案的曝光结果的既定特性；收集机构，用以收集处理程式，对被施以曝光的基板，限定在包含该曝光的微影步骤的既定处理中所使用的该处理条件；以及该微影步骤的既定处理中所使用的处理单元或处理单元的组合、或是其等的组合；及解析机构，将该检测机构所检测的该曝光结果的既定特性，依该收集机构所收集的该处理程式别、处理单元别或处理单元的组合别、或是其等的组合别作分...

【专利技术属性】
技术研发人员：白石健一，
申请(专利权)人：尼康股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]