薄膜晶体管液晶显示器的像素结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构及其制作方法，首先在基板上设置一缓冲层，在像素驱动单元制作后，在制作具有接触孔的保护层的时候，在同一道制程中对像素显示区域进行蚀刻制程，直到该缓冲层过蚀刻为止，从而有效去除像素显示区域上残留的非晶硅微粒，以避免该非晶硅微粒在像素显示区域和后续制程形成的像素电极产生弱电容耦合效应，进而提高制作薄膜晶体管液晶显示器的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，尤其涉及一种有效去除薄膜晶体管液晶显示器像素显示区域的非晶硅微粒残留，以提升薄膜晶体管液晶显示器合格率的像素结构。本专利技术还涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay；TFT LCD)具有省电，画质佳和响应速度快等优点，故逐渐成为平面显示器中的主流。其中，主动式矩阵驱动技术又以非晶硅薄膜晶体管组件(Amorphous Silicon Thin Film Transistor；a-SiTFT)为主流。 薄膜晶体管的构造主要可分为四种，分别为(a)同平面结构，(b)逆同平面(inverted coplanar)结构，(c)交错型结构，(d)逆交错型(inverted staggered)结构。每种结构都有其应用与设计，然而，其中逆交错型结构则广泛地被非晶硅TFT制造业者所采用。 TFT LCD的制程，主要是依据电路设计要求，在基板表面反复进行薄膜、黄光、蚀刻等不同的制程，以完成薄膜晶体管矩阵结构。其与另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于包括：一基板（１０）；一缓冲层（２０），设于所述基板（１０）的一侧表面，且所述缓冲层（２０）形成一第一缓冲层（２０１）和一第二缓冲层（２０２），其中所述第一缓冲层（２０１）的厚度 小于所述第二缓冲层（２０２）的厚度；一像素驱动单元（３０），设于所述第二缓冲层（２０２）上；一保护层（４０），设于所述像素驱动单元（３０）上，且所述保护层（４０）具有一接触孔（６０）；一像素电极（５０），所述像素电极 （５０）覆盖所述第一缓冲层（２０１）并延伸覆盖所述接触孔（６０），所述像素电极（...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于包括一基板(10)；一缓冲层(20)，设于所述基板(10)的一侧表面，且所述缓冲层(20)形成一第一缓冲层(201)和一第二缓冲层(202)，其中所述第一缓冲层(201)的厚度小于所述第二缓冲层(202)的厚度；一像素驱动单元(30)，设于所述第二缓冲层(202)上；一保护层(40)，设于所述像素驱动单元(30)上，且所述保护层(40)具有一接触孔(60)；一像素电极(50)，所述像素电极(50)覆盖所述第一缓冲层(201)并延伸覆盖所述接触孔(60)，所述像素电极(50)通过所述接触孔(60)与所述像素驱动单元(30)电性连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述像素驱动单元(30)包括一晶体管(31)和一储存电容(32)。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述缓冲层(20)为氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅中的任意一种。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建忠，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]