一种TFT阵列结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＴＦＴ阵列结构，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，栅线和栅电极的上方依次覆盖有栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层；一绝缘层，形成在栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层的两侧；一沟道，截断欧姆接触层；一数据线及与其一体的源电极和漏电极；一钝化层，形成在数据线、源电极及漏电极的上方；一过孔，形成在漏电极的上方；一像素电极，形成在钝化层上，并通过过孔与漏电极连接。其中绝缘层的材料为聚合物。本发明专利技术同时公开了一种ＴＦＴ矩阵结构的制造方法。本发明专利技术通过提供一种无狭缝光刻工艺的ＴＦＴ四次光刻制造方法，能使ＴＦＴ阵列的制造工艺向简单化和低成本化方向发展。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＴＦＴ阵列结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，形成在所述基板上，栅线和栅电极的上方依次覆盖有栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层；一绝缘层，形成在所述栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层的 两侧；一沟道，形成在所述欧姆接触层上并在所述半导体层上方位置截断欧姆接触层；一数据线及与其一体的源电极，形成在所述绝缘层及欧姆接触层的上方；一漏电极，形成在所述绝缘层及欧姆接触层的上方；一钝化层，形成在所述数 据线、源电极及漏电极的上方；一过孔，形成在所述漏电极的上方；一像素电极，形成在所述钝化层上，并通过过孔与所述漏电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王章涛，邱海军，闵泰烨，林承武，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]