【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种，且特别是有关于一 种具有平坦层的。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display panel, TFT LCD panel)主要是由主动元件阵列结构(Active device array structure)、彩色滤光阵歹廿结构 (Color filter array structure)和液晶层所构成，其中主动元件阵列结构是由多个以阵列排列的主动元fK 也就是薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)，以及与每一薄膜晶体管 对应配置的一像素电极(Pixel Electrode)所组成。上述的薄膜晶体管包括 栅极(Gate)、通道区(Channel)、漏极(Drain)与源极(Source)，而薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关元件。图1为一种现有具有平坦层的主动元件阵列基板的俯视示意图，图2A 至图2E为沿图1中剖线n'的制造工艺的剖面示意图。请参照图1与图2A， 现有的主动元件阵列结构100的制造方法是首先进行第一道掩膜工艺，以在 基板...
【技术保护点】
一种主动元件阵列结构，配置于一基板上，其特征在于，该主动元件阵列结构包括：一第一图案化导体层，配置于该基板上，其包括多条扫描线以及与该些扫描线连接的多个栅极与多个扫描接垫；一图案化栅绝缘层，具有多个第一开口，以暴露出部分该第 一图案化导体层；一图案化半导体层，配置于该图案化栅绝缘层上；一第二图案化导体层，直接配置于该图案化半导体层上，该第二图案化导体层包括多条数据线、多个漏极以及与该些数据线连接的多个源极与多个数据接垫，其中该些数据线与该些扫描线 相交，而该些漏极与该些源极位于该些栅极上方；一图案化平坦层，该图案化...
【技术特征摘要】
1.一种主动元件阵列结构，配置于一基板上，其特征在于，该主动元件阵列结构包括一第一图案化导体层，配置于该基板上，其包括多条扫描线以及与该些扫描线连接的多个栅极与多个扫描接垫；一图案化栅绝缘层，具有多个第一开口，以暴露出部分该第一图案化导体层；一图案化半导体层，配置于该图案化栅绝缘层上；一第二图案化导体层，直接配置于该图案化半导体层上，该第二图案化导体层包括多条数据线、多个漏极以及与该些数据线连接的多个源极与多个数据接垫，其中该些数据线与该些扫描线相交，而该些漏极与该些源极位于该些栅极上方；一图案化平坦层，该图案化平坦层具有多个第二开口，位于该些第一开口上方的该些第二开口暴露出该些第一开口所暴露出的部分该第一图案化导体层，而部分该些第二开口暴露出部分该第二图案化导体层；以及一透明导电层，全面地配置于该基板上，其中配置于该些第一开口以及该些第二开口内的部分该透明导电层在该基板以及该图案化平坦层之间断开。2. 如权利要求1所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该第一图案 化导体层的结构包括叠层的一第一铝金属层以及一第一钛金属层，且该第二 图案化导体层的结构包括叠层的一第二铝金属层以及一第二钛金属层。3. 如权利要求2所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该第一钛金 属层位于该第一铝金属层以及该基板之间。4. 如权利要求3所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该些第一开 口所暴露出来的该第一铝金属层具有底切的侧壁。5. 如权利要求2所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该第二钛金属层位于该第二铝金属层以及该图案化半导体层之间。6. 如权利要求5所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该些第二开口暴露出部分该些数据接垫以及该些数据线，且该第二铝金属层在暴露 出来的该些数据接垫以及该些数据线处具有底切的侧壁。7. 如权利要求5所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该些第 二开口暴露出该些漏极，且该第二铝金属层在靠近对应的该些栅极处具有底 切的侧壁。8. 如权利要求1所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该第一图案 化导体层的结构包括叠层的一第一铝金属层以及一第一钼金属层，而该第二 图案化导体层的结构包括依次堆叠的一第一钛金属层、 一第二铝金属层以及 一第二钛金属层。9. 如权利要求8所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该第一图案 化导体层的结构更包括一第二钼金属层，该第一铝金属层位于该第一钼金属 层以及该第二钼金属层之间。10. 如权利要求8所述的主动元件阵列结构，其特征在于，更包括一图 案化保护层，而该图案化平坦层位于该图案化保护层以及该透明导电层之间。11. 如权利要求10所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该些第二 幵口暴露出该些数据接垫，而在该些数据接垫与该图案化平坦层之间，该图 案化保护层具有底切的侧壁。12. 如权利要求10所述的主动元件阵列结构，其特征在于，当该图案化平坦层、该图案化保护层及该图案化栅绝缘层紧密堆叠时，在该些第一开 口与该些第二开口连通处，该图案化保护层具有底切的侧壁。13. 如权利要求10所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该些 第二开口暴露出该些漏极，且该图案化保护层在靠近对应的该些栅极处具有 底切的侧壁。14. 如权利要求10所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该些第二开口暴露出该些数据线，且在该些数据线与该图案化平坦层之间，该图 案化保护层具有底切的侧壁。15. 如权利要求10所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该图 案化半导体层更配置于该图案化保护层以及该图案化栅绝缘层之间，位于该 些扫描接垫与该些扫描线上方。16. 如权利要求15所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该些第一开口暴露出该些扫描线以及该些扫描接垫，且在该些扫描线上方，该图 案化半导体层以及该图案化平坦层之间的该图案化保护层具有底切的侧壁。17. 如权利要求15所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该第二图 案化导体层更包括多个辅助扫描接垫，位于该些扫描接垫上方，且该透明导 电层透过位于该图案化半导体层与该扫描接垫之间的该些第一开口将该些 辅助扫描接垫分别与对应的该些扫描接垫电性连接。18. 如权利要求8所述的主动元件阵列结构，其特征在于，该些第一开 口暴露出该些扫描接垫边缘，且该第一图案化导体层在该些扫描接垫边缘具 有底切的侧壁。19. 如权利要求8所述的主动元件阵列结构，其特征在于，部分该第一 图案化导体层更包括多个辅助垫，位于该些数据接垫以及该基板之间，且该 些辅助垫具有底切的侧壁。20. 如权利要求8所述的主动元件阵列结构，其特征在于，在该些数据 线以及该些扫描线相交处，该第二铝金属层以及该图案化半导体层具有底切21. 如权利要求1所述的主动元件阵列结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：游伟盛，方国龙，林祥麟，曾贤楷，林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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