薄膜晶体管阵列基板及其修复方法技术

本发明专利技术公开了一种膜晶体管阵列基板及其修复方法，膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线，并分布在数据线的两侧；其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一突起，所述突起使数据线与外侧遮光线交叠，外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠，修复线的另一端与栅极扫描线交叠的修复衬垫交叠；可修复数据线的断路和短路缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板及其修复方法，特别是涉及一种可修复数据线断路或短路的液晶显示用的。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶体管(TFT)控制液晶分子的取向从而控制透光的强弱来显示图像的。一块完整的TFTLCD面板通常包括背光模组、偏光片、TFT阵列下基板、CF(彩膜)上基板、夹在上下基板之间的液晶分子层以及驱动电路。TFT阵列基板上的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极扫描线与两条数据线交叉所形成的矩形或者其他形状区域，其内设置有薄膜晶体管以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。栅极扫描线与数据线主要用来提供影像信号以驱动像素电极，但是由于制作时候成膜、微影、刻蚀等制造工艺的影响，栅极扫描线与数据线容易发生断路或短路，导致线缺陷。另外，由于长宽比的原因，数据线一般比栅极扫描线设计得更窄一些，更容易发生断路的情况。因此，为避免LCD面板生产由于线缺陷而导致的良率下降，需要对线缺陷特别是最容易发生的数据线断路和短路缺陷进行修复。为此，美国专利US20050285989公开了一种对数据线断路进行修复的液晶显示基板的结构及其修复方法，该TFT阵列基板的结构如图1所示，TFT基板11包括在一个方向上延伸的栅极扫描线2和在与栅极扫描线2基本上垂直的方向上延伸的数据线6；栅极扫描线2和数据线6交叉形成像素区域，其内设置有TFT5和透明像素电极9，像素电极9通过接触孔9a和TFT5的源电极连接，其中数据线6含有至少两个与遮光线2a重叠的突起6a；遮光线2a和2a-2位于数据线6的两侧；其中栅极扫描线2、遮光线2a和2a-2形成在第一金属层上，数据线6形成在第二金属层上，第一金属层直接沉积在玻璃基板上，然后上面依次沉积第一保护层，非晶硅层，第二金属层，第二保护层以及ITO像素电极层。如果信号线断路发生在图1中的12处，就可以利用遮光线2a对数据线6断路的情况进行修复，修复时只需要在突起6a和遮光线2a的重叠部分(激光照射部分10)进行两次激光焊接就可以对数据线断路进行修复。但是采用以上技术存在其缺点，该技术只能修复像素区间数据线的断路，如果断路发生在数据线和栅极扫描线的交界处或是数据线上发生短路，则不能修复。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种可修复数据线断路或短路的。本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线，并分布在数据线的两侧；其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一突起，所述突起使数据线与外侧遮光线交叠，外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠，修复线的另一端与栅极扫描线交叠的修复衬垫交叠。本专利技术提供一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法，包括形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线；形成在第二金属层上并沿第二方向延伸的多条数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线，并分布在数据线的两侧；其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一突起，所述突起使数据线与外侧遮光线交叠，外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠，修复线的另一端与栅极扫描线交叠的修复衬垫交叠；当数据线发生断路时，在上述四个交叠处用激光进行照射连接，使数据线通过遮光线、修复线以及修复衬垫进行连接，形成绕开断路部分的路径。本专利技术还提供一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法，包括形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线；形成在第二金属层上并沿第二方向延伸的多条数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线，并分布在数据线的两侧；其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一突起，所述突起必须保证数据线与外侧遮光线交叠，外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠，修复线的另一端与栅极扫描线交叠的修复衬垫交叠；当数据线发生短路时，首先在其短路处的两侧进行激光切割，然后在上述四个交叠处用激光进行照射连接，使数据线通过遮光线、修复线以及修复衬垫进行连接，形成绕开短路部分的路径。基于上述构思，本专利技术的，由于在数据线和栅极扫描线的交界处设计了一段修复结构，克服了现有技术中只能修复像素区间数据线断路的缺点，不仅可以修复像素区间的数据线的断路情况，同时可以对数据线和栅极扫描线的交界处的断路进行修复，而且还可以对数据线和栅极扫描线短路的情况进行修复，且不影响开口率，只要在四个交叠处进行激光照射焊接即可达到修复的目的，修复方便简单。为了更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，不构成对本专利技术的限制。附图说明图1是现有技术中TFT基板结构示意图；图2是本专利技术实施例一的TFT基板结构示意图；图3是本专利技术实施例二的TFT基板结构示意图；图4是采用本专利技术实施例一结构对数据线断路进行修复的示意图；图5A和5B分别为修复前后沿图4I-I方向的截面示意图；图6A和6B分别为修复前后沿图4II-II方向的截面示意图；图7A和7B分别为修复前后沿图4III-III方向的截面示意图；图8是采用本专利技术实施例二结构对数据线与栅极扫描线交界处短路进行修复的示意图；图9A和9B分别为修复前后沿图8IV-IV方向的截面示意图；图10A和10B分别为修复前后沿图8V-V方向的截面示意图；图11A和11B分别为修复前后沿图8VI-VI方向的截面示意图。附图标号说明2栅极扫描线 2a、2a-2遮光线 5TFT6数据线 6a突起 9像素电极9a接触孔10激光照射部分 11TFT基板20栅极扫描线21内侧遮光线22外侧遮光线22a、22b突起23、33a、33b修复衬垫24玻璃基板 25第一绝缘保护层26第二绝缘保护层30数据线31薄膜晶体管(TFT) 311栅级312源极 313漏极 314非晶硅层32修复线40像素电极 41接触孔具体实施方式下面结合附图及典型实施例对本专利技术作进一步说明。实施例一图2是本专利技术实施例一的TFT基板结构示意图。参照图2、图5A，薄膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线20；多条沿第二方向延伸的数据线30，栅极扫描线20和数据线30交叉形成像素区域；像素区域内设置薄膜晶体管31和像素电极40，薄膜晶体管31由栅极311、源极312和漏极313构成，栅极311与栅极扫描线20电连接，漏极313与数据线30电连接，源极312通过接触孔41和像素电极40连接，栅极311形成在第一金属层上，源极312和漏极形成在第二金属层上，两层之间有SiNx绝缘层25隔开，源极312和与漏极313对称重叠沉积在栅极311两侧，非晶Si层314位于栅极和源、漏极之间；ITO像素电极层40沉积在最上层，与源、漏极层之间通过SiNx保护层26绝缘。数据线30的两侧分布有内侧遮光线21和外侧遮光线22，遮光线21和22形成在与栅极扫描线20同一金属层(第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线（２０）；多条沿第二方向延伸的数据线（３０），栅极扫描线（２０）和数据线（３０）交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管（３１）和像素电极（４０）； 形成在与栅极扫描线（２０）同一金属层上的内侧遮光线（２１）和外侧遮光线（２２），并分布在数据线（３０）的两侧；其中所述外侧遮光线（２２）或数据线（２０）的一端至少有一突起（２２ａ），所述突起（２２ａ）使外侧遮光线（２２）与数据线 （３０）交叠，外侧遮光线（２２）的另一端与横跨栅极扫描线（２０）的修复线（３２）的一端交叠，修复线（３２）的另一端与栅极扫描线（２０）交叠的修复衬垫（２３）交叠。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线(20)；多条沿第二方向延伸的数据线(30)，栅极扫描线(20)和数据线(30)交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管(31)和像素电极(40)；形成在与栅极扫描线(20)同一金属层上的内侧遮光线(21)和外侧遮光线(22)，并分布在数据线(30)的两侧；其中所述外侧遮光线(22)或数据线(20)的一端至少有一突起(22a)，所述突起(22a)使外侧遮光线(22)与数据线(30)交叠，外侧遮光线(22)的另一端与横跨栅极扫描线(20)的修复线(32)的一端交叠，修复线(32)的另一端与栅极扫描线(20)交叠的修复衬垫(23)交叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的突起(22a)由外侧遮光线(22)朝向数据线(30)延伸形成，或由数据线(30)朝向外侧遮光线(22)延伸形成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的外侧遮光线(22)的上端向外形成有突起(22b)，所述修复线(32)和突起(22b)重叠交叉，且所述修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上(第一金属层)，所述修复线(32)与数据线(30)形成在同一金属层上(第二金属层)。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于所述的修复线(32)和数据线(30)之间的距离大于等于6微米。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上，所述修复线(32)形成在像素电极层上，所述修复线(32)和修复衬垫(23)及外侧遮光线(22)的重叠交叉中间层还分别设置有与数据线(30)形成在同一金属层上的修复衬垫(33a)和(33b)。6.一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法，包括形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线(20)；形成在第二金...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]