SiCOH膜的DUV激光退火及稳定性制造技术

本发明专利技术公开了一种制造包括Ｓｉ，Ｃ，Ｏ和Ｈ原子（以后称为ＳｉＣＯＨ）的介质膜的方法，该介质膜与包括没有进行本发明专利技术的深紫外（ＤＵＶ）的现有技术ＳｉＣＯＨ介质膜的现有技术介质膜相比提高了绝缘特性。提高的特性包括在没有对ＳｉＣＯＨ介质膜的介电常数的不利影响（增加）下减小电流泄漏。根据本发明专利技术，通过对沉积的ＳｉＣＯＨ介质膜进行ＤＵＶ激光退火获得表现出泄漏电流减小和可靠性提高的ＳｉＣＯＨ介质膜。本发明专利技术的ＤＵＶ激光退火步骤可能从膜除去弱键合的碳，从而改善泄漏电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种形成介质膜的方法，包括如下步骤：　　　　在衬底表面上提供包括Ｓｉ，Ｃ，Ｏ和Ｈ原子的介质膜；以及　　　　使用深紫外（ＤＵＶ）激光器辐射所述介质膜以在所述介质膜内引起光化学反应，其与非ＤＵＶ激光处理的ＳｉＣＯＨ膜比较提高了膜的绝缘特性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：AC卡勒伽里，SA科恩，FE多安，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]