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本发明公开了一种制造包括Ｓｉ，Ｃ，Ｏ和Ｈ原子（以后称为ＳｉＣＯＨ）的介质膜的方法，该介质膜与包括没有进行本发明的深紫外（ＤＵＶ）的现有技术ＳｉＣＯＨ介质膜的现有技术介质膜相比提高了绝缘特性。提高的特性包括在没有对ＳｉＣＯＨ介质膜的介电常数的...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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