【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种与衬垫集成的静电放电装置的结构，所述结构包含：一Ｐ型衬底；一Ｎ井，其形成于所述Ｐ型衬底中作为所述静电放电装置的一部分；至少一第一Ｎ＋区域，其形成于所述Ｎ井外部，所述第一Ｎ＋区域由场氧化物（ｆｉｅｌｄｏｘｉｄｅ ）与所述Ｎ井及其内的区域、以及所述Ｐ型衬底中的其它掺杂区域绝缘；至少一第一Ｐ＋区域，其形成于所述Ｎ井外部，所述第一Ｐ＋区域由场氧化物与所述Ｎ井及其内的区域、所述Ｐ型衬底中的其它掺杂区域和所述第一Ｎ＋区域绝缘；至少一第二Ｎ＋区 域，其形成于所述Ｎ井内部；至少一第二Ｐ＋区域，其形成于所述Ｎ井内部；一第一电极，其经由一包含金属的电导体连接至少一第二Ｎ＋区域与至少一第二Ｐ＋区域；一第二电极，其经由另一包含金属的电导体连接所述第一Ｐ＋区域与所述第一 Ｎ＋区域；和一衬垫，其形成于所述结构的顶部上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄志丰，简铎欣，林振宇，杨大勇，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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