一种高压器件动态特性测试电路、测试平台及测试方法技术

本发明专利技术属于电力电子技术领域，公开一种高压器件动态参数测试电路，包括：高压直流电源、充放电继电器、母线电容、负载电感、被测元件、控制器；其中，高压直流电源根据上位机设定的测试工况提供相应的母线电压；充放电继电器用于控制母线电容的充电与放电；母线电容用于提供动态参数测试时的瞬时功率；负载电感用于提供动态参数测试下的瞬时电流；被测元件根据接收到的测试信号导通或关断，测试其开关动态参数；控制器用于控制充放电继电器的通断以及触发被测元件双脉冲驱动信号。本发明专利技术提供了一种新颖便捷、安全可靠的高压器件动态参数测试手段。本发明专利技术实施例还公开了一种高压器件动态参数测试平台及测试方法。数测试平台及测试方法。数测试平台及测试方法。

【技术实现步骤摘要】
一种高压器件动态特性测试电路、测试平台及测试方法


[0001]本专利技术涉及电力电子
，特别涉及一种高压器件动态特性测试电路、测试平台及测试方法，尤其是针对高压快速器件SiC MOSFET的动态特性测试。

技术介绍

[0002]功率半导体器件是组成电力电子装置的基础有源元器件，决定了电力电子设备的应用水平。新能源并网、柔性直流输电等大功率电力电子变流技术的不断发展为功率半导体器件的应用提供了广阔空间。高压器件是大功率应用场合的核心器件，尤其是电力系统和大功率电力传动，目前的高压器件主要是硅基IGBT。随着以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体技术的快速发展，碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)作为一种新型的宽禁带电力电子器件，因其出色的物理及电特性，在高频、高压及大功率应用领域正在逐步取代传统的硅器件。目前，高压大功率的SiC MOSFET已经模块化，其性能更加优越，可靠性也更高，将会在今后大功率电能变换领域占据主导地位。
[0003]在电能变换装置中，SiC MOSFET的开关特性对整个变流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，包括：高压直流电源、充放电继电器、母线电容、负载电感、被测元件、控制器；其中，高压直流电源根据设定的测试工况提供相应的母线电压；充放电继电器用于控制母线电容的充电与放电；母线电容并接在正负母线之间，用于提供动态参数测试时的瞬时功率；负载电感用于提供动态参数测试下的瞬时电流；被测元件根据接收到的双脉冲驱动信号导通或关断；控制器用于控制充放电继电器的通断以及触发被测元件的双脉冲驱动信号。2.如权利要求1所述的一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，所述高压直流电源与母线电容之间在正母线端串联保护二极管和限流电阻。3.如权利要求1所述的一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，所述充放电继电器包括第一充电继电器、第二充电继电器和放电继电器；所述第一充电继电器和第二充电继电器分别串联在高压直流电源两端，控制高压直流电源与测试主回路的通断连接；所述放电继电器串接泄放电阻，放电继电器和泄放电阻并联在测试电路正负母线之间。4.如权利要求1所述的一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，所述被测元件是SiCMOSFET或高压IGBT。5.如权利要求1所述的一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，所述母线电容由四个高压薄膜电容两串两并而成，电容组的等效电压中点与另一条并接在正负母线之间的串联均压电阻支路中点相连接；所述测试电路还包括并联在正负母线之间的安全电阻。6.如权利要求1所述的一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括吸收电容，吸收电容并联于正负母线之间。7.如权利要求6所述的一种高压器件动态参数测试电路，其特征在于，所述吸收电容与母线电容通过母排相互连接，吸收电容与被测元件通过母排相互连接。8.一种高压器件动态参数测试平台，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的高压器件动态参数测试电路，还包括：示波器，用于采集被测元件的电压电流波形；上位机，根据示波器的测试数据提取出开关动态特性参数。9.一种高压器件动态参数测试方法，其特征在于，基于权利要求8所述的测试平台进行测试，包括以下步骤：步骤(1)，通过上位机设定高压器件动态特性测试电路的测试工况；步骤(2)，通过上位机设置示波器参数；步骤(3)，通过上位机发送指令给控制器，闭合充电继电器，高压直流电源给母线电容充电，当母线电压达到设定值时停止充电；步骤(4)，通过上位机发送指令给控制器，断开充电继电器，在被测元件的栅极触发双脉冲驱动信号；步骤(5)，通过示波器读取被测元件的源极电流、漏源极电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军明，李欣宜，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：