单个开关周期内芯片动态结温监测系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种单个开关周期内芯片动态结温监测系统，包括绝缘栅双极晶体管单元、主电路单元、电流采样单元、电压采样单元、温控单元和结温监测单元，绝缘栅双极晶体管单元包括串联的两个绝缘栅双极晶体管；主电路单元分别连接两个绝缘栅双极晶体管；电流采样单元连接到功率器件回路中，电流采样单元的传感点置于第二绝缘栅双极晶体管的发射极；电压采样单元并联到第二绝缘栅双极晶体管的集电极和发射极两端；温控单元连接到第二绝缘栅双极晶体管上；结温监测单元分别连接电流采样单元、电压采样单元、温控单元和驱动单元。本实用新型专利技术基于关断损耗

【技术实现步骤摘要】
单个开关周期内芯片动态结温监测系统


[0001]本技术涉及一种涉及电力电子设备健康管理
，具体涉及一种单个开关周期内芯片动态结温监测系统。

技术介绍

[0002]由电力电子系统可靠性调研报告可知，功率半导体器件是变流系统中失效率最高的，约占34％。在各类失效因素中，由温度因素诱发的电力电子系统失效占比高达55％。根据大量试验统计数据与失效机理分析可知，功率器件的结温摆动幅度、最大结温、平均结温、最低壳温以及周期内导通时间等因素共同决定了其在失效前所能经历的最大温度循环周期数。因此，对大容量电力电子变换器中IGBT结温的精准提取与检测是其使用寿命估计、健康状态管理与可靠性状态评估的基础。
[0003]现有的结温检测技术可大致分为如下四种方法：物理接触式测试法，光学非接触测试法，热阻抗模型预测法与热敏感电参数法。其中热敏感电参数法具有非接触、响应快、非破坏性、精度高、成本低等优点，是当今研究的热点。但现有的研究方法主要以单一热敏电参数进行研究，且忽略开关过程中芯片动态结温的变化，存在装置设计问题，鲁棒性较弱、结温预测精度较低的问题，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单个开关周期内芯片动态结温监测系统，其特征在于：包括绝缘栅双极晶体管单元、主电路单元、电流采样单元、电压采样单元、温控单元和结温监测单元，所述绝缘栅双极晶体管单元包括相互串联的第一绝缘栅双极晶体管(S1)和第二绝缘栅双极晶体管(S2)；主电路单元分别连接第一绝缘栅双极晶体管(S1)和第二绝缘栅双极晶体管(S2)，电流采样单元连接到功率器件回路中，电流采样单元的传感点置于第二绝缘栅双极晶体管(S2)的发射极；电压采样单元并联到第二绝缘栅双极晶体管(S2)的集电极和发射极两端；温控单元连接到第二绝缘栅双极晶体管(S2)上；结温监测单元分别连接电流采样单元、电压采样单元、温控单元和驱动单元。2.根据权利要求1所述单个开关周期内芯片动态结温监测系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国卿，王翔，武慧莉，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：新型
国别省市：