IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数；根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。采用本方法能够提高得到的待测IGBT器件的杂散参数的准确度。提高得到的待测IGBT器件的杂散参数的准确度。提高得到的待测IGBT器件的杂散参数的准确度。

【技术实现步骤摘要】
IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及电力电子
，特别是涉及一种IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的发展，电力电子器件越来越多的被用在高频率的电能变换上，而半导体器件在高频率的电能变换上起着重要作用。而杂散参数的存在对半导体器件在高频下的动作有较大影响，因此需要对半导体器件的杂散参数进行精确测试为电能变换器的设计与制作提供充足的技术支持。
[0003]常用的功率半导体器件通常是三端器件，包括G极、S极和D极，使用时通过控制GS极的电压来控制DS极之间的开断状态。目前常用的电力电子器件的杂散参数评估通常是使用阻抗分析仪直接依次测试功率半导体的三个待测端两两之间的阻抗，例如，测试DS之间的杂散参数则将DS两极通过同轴电缆连接到阻抗分析仪上，G极悬空，通过三个待测端两两之间的阻抗对功率半导体器件的杂散参数进行测试。
[0004]然而，传统的对半导体器件的杂散参数的测试方法，存在对杂散参数测试准确度较低的问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高半导体器件的杂散参数测试准确度的IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质。
[0006]一种IGBT参数的测试方法，所述方法包括：
[0007]从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；r/>[0008]对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数；
[0009]根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。
[0010]在其中一个实施例中，所述网络分析仪与所述待测IGBT器件通过同轴电缆连接，所述对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数，包括：
[0011]根据所述同轴电缆的特征阻抗值和预设的转换公式，对所述传递参数进行转换，得到所述阻抗参数。
[0012]在其中一个实施例中，所述杂散参数包括：电容参数、电感参数和电阻参数。
[0013]在其中一个实施例中，所述杂散参数包括电容参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：
[0014]在所述待测IGBT器件的测试频率小于谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电容参数。
[0015]在其中一个实施例中，所述杂散参数包括电感参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：
[0016]在所述待测IGBT器件的测试频率大于所述谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电感参数。
[0017]在其中一个实施例中，所述杂散参数包括电阻参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：
[0018]在所述待测IGBT器件的测试频率等于所述谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电阻参数。
[0019]在其中一个实施例中，所述待测IGBT器件的测试频率范围为300KHz
‑
300MHz。
[0020]一种IGBT参数的测试装置，所述装置包括：
[0021]第一获取模块，用于从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；
[0022]转换模块，用于对所述传递参数进行转换，得到阻抗参数；
[0023]第二获取模块，用于根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。
[0024]一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
[0025]从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；
[0026]对所述传递参数进行转换，得到阻抗参数；
[0027]根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。
[0028]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0029]从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；
[0030]对所述传递参数进行转换，得到阻抗参数；
[0031]根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。
[0032]上述IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质，从网络分析仪中获取的待测IGBT器件的传递参数是网络分析仪采用双端测试的方法对待测IGBT器件进行S参数测试得到的，由于通过双端测试的方法对待测IGBT器件进行S参数测试，避免了单端测试可能出现的结果不确定性，且只需要一次接线一次测试即可得到所有的传递参数，提高了得到的传递参数的准确度，而阻抗参数是通过对传递参数进行转换得到的，因此，阻抗参数的准确度也得到了提高，进而提高了根据阻抗参数得到待测IGBT器件的杂散参数的准确度。
附图说明
[0033]图1为一个实施例中IGBT参数的测试方法的应用环境图；
[0034]图2为一个实施例中IGBT参数的测试方法的流程示意图；
[0035]图2a为一个实施例中IGBT器件与网络分析仪的连接方式的示意图；
[0036]图2b为一个实施例中IGBT器件的等效电路示意图；
[0037]图2c为一个实施例中等效电路的星角变换的转换示意图；
[0038]图3为一个实施例中电阻电容电感串联等效电路及其阻抗随频率的变化示意图；
[0039]图4为一个实施例中待测IGBT器件的测试频率小于谐振频率的情况下待测IGBT器件的等效电路示意图；
[0040]图5为一个实施例中待测IGBT器件的测试频率大于谐振频率的情况下待测IGBT器件的等效电路示意图；
[0041]图6为一个实施例中待测IGBT器件的测试频率等于谐振频率的情况下待测IGBT器件的等效电路示意图；
[0042]图7为一个实施例中IGBT参数的测试装置的结构框图；
[0043]图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0044]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0045]本申请提供的IGBT参数的测试方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，IGBT可以为绝缘栅双极型晶体管，网络分析仪可以为矢量网络分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT参数的测试方法，其特征在于，所述方法包括：从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数；根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述网络分析仪与所述待测IGBT器件通过同轴电缆连接，所述对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数，包括：根据所述同轴电缆的特征阻抗值和预设的转换公式，对所述传递参数进行转换，得到所述阻抗参数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述杂散参数包括：电容参数、电感参数和电阻参数。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述杂散参数包括电容参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：在所述待测IGBT器件的测试频率小于谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电容参数。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述杂散参数包括电感参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：在所述待测IGBT器件的测试频率大于所述谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：党晓婧，吕启深，陈腾彪，徐曙，
申请(专利权)人：深圳供电局有限公司，
类型：发明
国别省市：