半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具有防止小片接合用粘接剂漏出到引线接合区域的功能。本发明专利技术的半导体装置具备：具有一对电极的半导体元件（２８）；具备容纳半导体元件（２８）的凹部（１４）的壳体（１２）；在凹部（１４）的底面露出的第一引线电极（１８）及第二引线电极（２０）；将半导体元件（２８）小片接合在第一引线电极（１８）的粘接层（３０）；将半导体元件的一对电极和第一及第二引线电极（１８、２０）分别引线接合的导电线（３２），壳体（１２）在凹部（１４）底面具备按照将第一引线电极（１８）的表面区域分成小片接合区域（２２）和引线接合区域（２４）横切的方式设置的壁部（２６），第一引线电极（１８）至少在壁部（２６）的正下方具备将第一引线电极（１８）的缘部切口的切口部（３６），壁部（２６）和壳体（１２）的底部通过切口部（３６）连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在壳体上安装有半导体元件的半导体装置，尤其是涉及使用了半导体发光元件的半导体发光装置及光学传感器等中使用的半导体受光装置。
技术介绍
作为半导体装置，提供在壳体内安装本专利技术发光元件的半导体发光装置。壳体具备容纳半导体发光元件的凹部，在凹部的表面，与半导体发光元件的电极连接的一对引线电极露出。在壳体内安装半导体发光元件时，在一方的引线电极上通过银糊剂等接合半导体发光元件的基板侧，在另一方的引线电极上通过结合线连接半导体发光元件的半导体侧。随着近年来的半导体装置的小型化，壳体小型化，随之壳体的凹部及凹部露出的引线电极的尺寸也减小。当在这样小型化的壳体上安装半导体元件时，容易引起小片接合时的银糊剂从一引线电极泄漏到另一引线电极的漏入(bleed)现象，从而可能会引起半导体装置短路。因此，为防止该漏入现象，已知在一对引线电极之间设置突起部(例如参照专利文献1及2)。另外，在具备LED芯片和保护元件(齐纳二极管)的发光装置中，在负极引线电极103的同一面上进行保护元件的二极管和LED芯片的引线接合的结构中，用于进行小片接合的第一接合区域和用于进行引线接合的第二接合区域通过壁部隔开(例如参照专利文献3)。该壁部防止用于保护元件的小片接合的小片接合材料流入到第二接合区域。专利文献1特开平10-294495号公报专利文献2实开昭62-47156号公报专利文献3特开2005-33194号公报在由氮化物半导体构成的半导体发光元件中，元件用基板使用蓝宝石这样的绝缘体基板，不能通过基板导通。因此，在半导体发光元件的半导体侧形成正电极及负电极两者，在安装时分别在不同的引线电极上进行引线接合。此时，半导体发光元件通过银糊剂等导电性粘接剂及小片接合树脂等绝缘性粘接剂粘合在任一引线电极上。在对该半导体发光元件进行小片接合时，若使用表面张力低的可塑剂等含有液态成分的粘接剂，则即使只是在引线电极上的小片接合的区域涂敷粘接剂，粘接剂中的液态成分及粘接剂自身(将它们统称为粘接剂成分)也能够容易地在引线电极的表面上扩散(这也是漏入现象)，覆盖引线电极表面。尤其是在同一引线电极内进行小片接合和引线接合时，由于在同一部件的同一平面上小片接合的区域和引线接合的区域相邻配置，故粘接剂充分极其容易漏入。这与目前那样间隔的引线电极之间相比，也极其容易漏入。而且，在小片接合之后，若引线电极的表面被粘接剂成分覆盖，则在引线电极和半导体发光元件的电极之间进行引线接合时不能以足够的强度固定导电线，进而在利用绝缘性粘接剂时不能通过引线接合导通。专利文献1及2中，使用具有导电性基板的半导体发光元件，通过利用由导电性粘接剂构成的粘接层在该导电性基板侧小片接合，可将半导体发光元件固定，并且可得到半导体发光元件和引线电极之间的导通。因此，为防止两个引线电极之间的短路，具有在引线电极间防止漏入的结构，但即使小片接合用粘接剂在小片接合的引线电极的表面扩散也是没有问题的。因此，对用于防止粘接剂成分在引线电极表面扩散的方法没有公开任何解决方案。与之相对，若在引线电极的表面设置专利文献3中公开的壁部，则可能能够解决该问题。但是，近年来的发光装置正在极小型化及薄型化，在形成壁部时，产生了专利文献3中不能解决的新的问题。首先，由于壁部的宽度、高度受小尺寸限制，故即使使用设有用于成形壁部的槽的金属模，可能也不能在该槽中成分充填成形材料。特别是当成形材料的粘度高时，充填不充分会容易成为有缺陷部分的壁部。其次，壁部和引线电极之间的粘附性变低，粘接剂成分沿这些界面漏出的可能性提高。特别是在粘接剂成分的表面张力低时，不能无视该影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种半导体装置，即使利用由含有表面张力低的粘接剂成分的粘接剂构成的粘接层进行小片接合(die bond)，粘接剂成分也不会漏出到引线接合(wire bond)区域，另外，即使小型化及薄型化，也能够充分地确保防漏出的功能。本专利技术第一方面提供一种半导体装置，其具备具有一对电极的半导体元件；具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；将所述半导体元件的所述一对电极和所述第一引线电极及所述第二引线电极分别引线接合的导电线，其特征在于，所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备将所述第一引线电极的缘部切除而形成的切口部，所述壁部和所述壳体的底部通过所述切口部连接。在第一方面中，在第一引线电极上，在第一壁部的正下方形成有切口部，因此，将第一壁部和壳体连接的部分增加。由此，可使第一壁部更加地粘附在第一引线电极的表面。粘附性的提高对防止粘接剂成分通过第一引线电极和第一壁部的界面浸入引线接合区域是有效的。另外，该切口部在形成第一壁部时具有容易注入成形材料的效果。通过切口部，成形材料流入第一壁部的流路的宽度加宽。第一壁部中，将高度降低至不妨碍引线接合的程度，就难以进行成形材料的充填，当使用粘度高的成形材料时，可能局部产生充填不充分。但是，通过设置切口部，充填流路加宽，成形材料的充填变容易。本专利技术中，作为切口部，有将第一引线电极的缘部切口的切口部的方式、和形成于所述第一引线电极上的贯通孔的方式。本申请第二方面提供一种半导体装置，其具备具有一对电极的半导体元件；具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；将所述半导体元件的所述一对电极和所述第一引线电极及所述第二引线电极分别引线接合的导电线，其特征在于，所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备形成于所述第一引线电极的贯通孔，所述壁部和所述壳体的底部通过所述贯通孔连接。第二方面中，在第一引线电极的表面形成有槽部，在该槽部上形成有第一壁部。该槽部沿将小片接合区域和引线接合区域之间区分的第一壁部形成，因此，即使小片接合用粘接剂的粘接剂成分通过第一引线电极和第一壁部的界面向引线接合区域方向侵入，其也不会贮留在槽部的凹部并进一步浸入。即，由于第一壁部的正下方具备槽部，从而能够可靠地防止粘接剂成分浸入引线接合区域。另外，通过将第一壁部的截面积增大相当于槽部的量，从而壁部和壳体的侧壁部的结合强度也增加。由于结合强度增加，从而第一壁部和第一引线电极表面的粘附性提高，由此，对抑制粘接剂成分通过第一引线电极和第一壁部的界面侵入引线接合区域是有效的。进而在第二方面中，在形成第一壁部时也是有利的。通过形成槽部，注入成形材料的开口加宽，容易进行充填，从而不容易产生第一壁部充填不不足而局部产生缺陷等的问题。第一壁部中，将高度降低到不妨碍引线接合的程度，而难以进行成形材料的充填，从而使用粘度高的成形材料时局部充填可能不充分。但是，通过设置槽，从而充填流路加宽，容易进行成形材料的充填。本专利技术的半导体装置，即使通过由含有表面张力低的粘接剂成分的粘接剂构成的粘接层进行小片接合，粘接剂成分也不会漏出到引线接合区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具备：具有一对电极的半导体元件；具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；将所述半导体元件的所述一对电极和所述第一引线电极及所述第二引线电极分别引线接合的导电线，其特征在于，所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备将所述第一引线电极的缘部切除而形成的切口部，所述壁部和所述壳体的底部通过所述切口部连接。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-19 2006-115771;JP 2006-12-20 2006-3423411.一种半导体装置，其具备具有一对电极的半导体元件；具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；将所述半导体元件的所述一对电极和所述第一引线电极及所述第二引线电极分别引线接合的导电线，其特征在于，所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备将所述第一引线电极的缘部切除而形成的切口部，所述壁部和所述壳体的底部通过所述切口部连接。2.一种半导体装置，其具备具有一对电极的半导体元件；具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；将所述半导体元件的所述一对电极和所述第一引线电极及所述第二引线电极分别引线接合的导电线，其特征在于，所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备形成于所述第一引线电极的贯通孔，所述壁部和所述壳体的底部通过所述贯通孔连接。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一引线电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本才气，新居育也，宇川宏明，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]