化学机械研磨方法与研磨液组合物技术

本发明专利技术中一种化学机械平坦化（ＣＭＰ）研磨液包括至少一种研磨颗粒，至少一种氧化剂，至少一种载体。该研磨颗粒可以从下列几种中选择：全部软材料颗粒，外层软材料内层硬材料颗粒，内部带电颗粒，磁化颗粒与空芯颗粒。抛光的衬底可以是：铝，铜，钛，氮化钛，银，钨，或它们的合金，氧化物，镍－磷，四氮化三硅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种化学机械平坦化(CMP)方法中的研磨液组合物。 技术背景在一衬底表面上制备集成电路与其它电子器件的方法，主要是在一衬底表面上形成或淀积多层导体、半导体与介电材料层。其可以采用各种淀积技术来淀积各种导体、半导体与介电材料层，如物理气相沉积法(PVD)，又称溅镀，化学气相沉积法(CVD)，等离子增强化学气相沉积法(PECVD)与电化学镀法(ECP)等。由于各材料层是依次淀积与除去的，衬底最上层表面可能出现不平坦，因而需要平坦化。平坦化一表面或者说“抛光”一表面，是指从衬底表面上除去物质，从而制成一个均勻平坦表面的制程。在除去不需要的表面形貌和表面缺陷，如粗糙表面、结块材料、晶格损坏、刮痕、沾污层面或材料时，平坦化制程十分有用。平坦化还可用于在衬底上制备特征图形时，清除填入特征图形内的多余的淀积材料，为随后金属互联和加工提供一个平坦表面。化学机械平坦化或化学机械研磨法(CMP)是用于衬底平坦化的一种常用技术。 CMP法是采用一种化学组合物，一般是一种研磨浆液或其它流体介质，有选择地从衬底上磨除材料。通常的CMP技术中，是将衬底托头或抛光头安装在CMP装置中的托架上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春晓，俞昌，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]