【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有改进性能的用于去除蚀刻后残留物的新型溶液及其在生产半导体中的应用。本专利技术尤其涉及在半导体生产过程中,在必须没有蚀刻后残留物和颗粒的金属层和表面上具有降低的蚀刻速率的水溶液。现有技术半导体组件上的后段制程(BEOL)金属层(导电带)基本上由通过溅射施加的铜含量<0.5%的铝/铜层构成。用于铝工艺的BEOL金属层通过光刻法产生。所用电介质为介于各金属层之间的SiO2层,其通过通孔螺栓(钨或铝)垂直连接。这些结构体(导电带和通孔)由反应性离子蚀刻法产生。BEOL金属层通常由下列工艺步骤(1)至(6)产生产生Al/Cu导电带的工艺顺序1.将下列各层全面积溅射于SiO2绝缘层上a.作为扩散膜的薄Ti/TiN层b.AlCu金属层c.作为抗反射涂层(ARC)的薄Ti/TiN层2.通过旋涂施加正性光致抗蚀剂,随后暴露并形成结构体3.蚀刻使用含卤素的蚀刻气体进行反应性离子蚀刻(RIE)4.在任选添加有CF4的氧气或H2O等离子体中灰化光致抗蚀剂5.去离子水喷雾工艺(冷,热)6.利用湿法去除PER。在第3步骤过程中,在铝导电带的侧壁上优先形成所谓的蚀刻后残 ...
【技术保护点】
具有降低的蚀刻速率的用于蚀刻后残留物去除的水溶液,其在氧化剂以及任选的用于改进清洁作用和对Al、Cu、Ti、W、Al/Cu、TiN和SiO↓[2]表面的惰性的添加剂存在下,包含选自羟基羧酸和/或选自单羧酸、二羧酸和三羧酸的有机酸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-3-30 04007627.51.具有降低的蚀刻速率的用于蚀刻后残留物去除的水溶液,其在氧化剂以及任选的用于改进清洁作用和对Al、Cu、Ti、W、Al/Cu、TiN和SiO2表面的惰性的添加剂存在下,包含选自羟基羧酸和/或选自单羧酸、二羧酸和三羧酸的有机酸。2.如权利要求1所述的水溶液,包含选自咪唑啉化合物的缓蚀剂。3.如权利要求1或2所述的水溶液,包含作为缓蚀剂的一种或多种选自苯并咪唑、氨基苯并咪唑和2-烷基苯并咪唑的化合物,包括烷基取代的咪唑啉和1,2-二烷基咪唑啉和油酸羟乙基咪唑啉。4.如权利要求1所述的水溶液,包含至少一种非质子极性溶剂。5.如权利要求1或4所述的水溶液,包含至少一种选自N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇、丙二醇、二甲亚砜(DMSO)和乙酸1-甲氧基-2-丙酯(PGMEA)的非质子极性溶剂。6.如权利要求1所述的水溶液,包含至少一种表面活性物质。7.如权利要求1或6所述的水溶液,包含作为表面活性物质的至少一种阴离子表面活性剂和/或非离子表面活性剂。8.如权利要求7所述的水溶液,包含至少一种选自脂族羧酸和烷基苯磺酸的阴离子表面活性剂和/或至少一种选自烷基烷氧基化物和烷基酚乙氧基化物的非离子表面活性剂。9.如权利要求8所述的水溶液,包含至少一种选自庚酸、辛酸和十二烷基苯磺酸的阴离子表面活性剂和/或至少一种选自脂肪醇烷氧基化物、辛基酚乙氧基化物和聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯(Tween)的非离子表面活性剂。10.如权利要求1-9中任一项所述的水溶液,包含至少一种选自乙醇酸、乳酸、羟基丁酸、甘油酸、苹果酸...
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