磁阻元件及其制造方法技术

本发明专利技术的磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于该第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于该薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过对磁阻膜提供检测电流来检测磁力的磁阻元件。
技术介绍
通过利用巨磁阻效应(GMR)，磁器件尤其是磁头的性能有明显改善。尤其是对磁头、MRAM(Magnetic Random Access Memories，磁随机存取存储器)等应用自旋阀膜(SV膜)，在磁器件领域带来了巨大的技术进步。“旋阀膜”是包括非磁性间隔层介于两层铁磁层之间这种结构的多层膜，该多层膜结构其发生阻抗变化的部分称为自旋相依散射单元。两层铁磁层其中一层(称为“被固定层”、“磁化被固定层”等)的磁化由反铁磁层等固定，而其中另一铁磁层(称为“自由层”、“磁化自由层”等)的磁化方向则可随外部磁场而旋转。在旋阀膜中，被固定层和自由层的磁化方向的相对角度的变化产生巨磁阻。这里，间隔层使被固定层和自由层彼此间磁分离，以允许被固定层和自由层各自的磁化方向独立变化。利用旋阀膜的磁阻效应元件包括CIP(Current-In-Plane，电流在平面内)-GMR元件、CPP(Current-Perpendicular-to-Plane，电流垂直于平面)-GMR元件、以及TMR(Tunneling Magneto Res本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻元件，其特征在于，包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于所述第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于所述薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-28 2006-1258561.一种磁阻元件，其特征在于，包括具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于所述第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于所述薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。2.如权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述薄膜层包括包含从钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)、钽(Ta)、钼(Mo)、以及钨(W)中选出的至少一种元素的氧化物、氮化物、或氧氮化物。3.如权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述薄膜层包括包含从钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、以及钯(Pd)中选出的至少一种元素的金属。4.如权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述薄膜层具有的厚度不小于0.5nm，也不大于3nm。5.如权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述薄膜层具有随外部磁场变化的磁化方向。6.如权利要求5所述的磁阻元件，其特征在于，当没有施加外部磁场时，所述第一和第二磁性层的磁化方向均与所述薄膜层的磁化方向基本上正交。7.如权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述第一和第二磁性层其中至少一层包含从铁(Fe)、钴(Co)、以及镍(Ni)中选出的至少一种元素作为主要组分。8.如权利要求7所述的磁阻元件，其特征在于，所述第一和第二磁性层其中至少一层包含从面心立方的钴铁合金(fcc-CoFe合金)、体心立方的铁钴合金(bcc-FeCo合金)、面心立方的镍铁合金(fcc-NiFe合金)、以及密排六...

【专利技术属性】
技术研发人员：福泽英明，藤庆彦，汤浅裕美，岩崎仁志，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]