薄膜晶体管基板、液晶显示面板及其制造方法技术

一种能够防止闪烁并提高反射系数的液晶显示面板，包括薄膜晶体管基板和滤色器基板。所述薄膜晶体管基板包括栅极线、数据线、与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管、与薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖栅极线的至少一部分。所述滤色器基板具有滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场。在所述薄膜晶体管基板与所述滤色器基板之间设置有液晶。所述反射电极将液晶与栅极信号相屏蔽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管基板，更具体地，涉及一种能够防止闪烁并提高反射系数的薄膜晶体管基板、一种包括所述薄膜晶体管基板的液晶显示面板以及一种制造所述液晶显示面板的方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)设备使用液晶的电学和光学特性来显示图像。LCD设备包括LCD面板，用于通过像素矩阵来显示图像；驱动电路，用于驱动LCD面板；以及背光单元，用于向LCD面板提供光。从小型显示设备到大型显示设备(例如移动通信终端、笔记本计算机、监视器和LCD电视)，LCD设备都得到了广泛的使用。LCD设备可以根据光源类型而分为如下类型使用内部光线的透射型、使用外部光线的反射型以及使用内部光线和外部光线的透反射型。如果外部光线充足，那么透反射LCD设备以反射模式显示图像，如果外部光线不足，则处于使用背光单元的透射模式下。因此，透反射LCD设备减小了功耗，并且不受使用外部光线的限制。如图1所示，透反射LCD设备具有如下结构下层基板1面对上层基板11，其间设置有光学补偿弯曲(OCB)模式的液晶分子20。在下层基板1上，第一子像素区的透反射电极8和像素电极10A面对第二子像素区的像素电极10B，其间设置有栅极线4，所述栅极线被绝缘层6覆盖。上层基板11上形成有黑色矩阵2，将各个子像素区彼此分开；滤色器16，形成于每一个子像素区中；外涂层14，在反射区和透射区中具有不同的厚度；以及公共电极12，相对于像素电极10A、10B和反射电极8形成垂直电场。由于公共电极12(或反射电极8)和栅极线4之间形成了电场，所以液晶分子20的排列发生变化，例如，在反射电极8的边缘处(或栅极线4)发生反转。由于反射电极8的边缘处的液晶分子20的排列与其它区域中不同，反射电极8的边缘会发生光泄漏，从而产生了闪烁。在线反转方案中(即向其间设置有栅极线4的相邻像素电极10A和10B提供不同极性的数据电压)，光泄漏更加严重。如果为了防止光泄漏，加宽黑色矩阵2使其与第一子像素区部分重叠，从而阻挡反射电极8的边缘，则由于反射电极8的有效面积减小，导致反射系数降低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种能够防止闪烁并提高反射系数的薄膜晶体管(TFT)基板、一种包括所述TFT基板的LCD以及一种制造所述LCD面板的方法。根据本专利技术实施例，LCD面板包括TFT基板、滤色器基板。所述TFT基板包括栅极线、数据线、与栅极线和数据线相连的TFT、与TFT相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖栅极线的至少一部分。所述滤色器基板面对所述薄膜晶体管基板，并包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场。在所述薄膜晶体管基板与所述滤色器基板之间设置有液晶。反射电极将液晶与栅极信号相屏蔽。LCD面板还包括与TFT相连的像素电极。滤色器基板还包括外涂层，所述外涂层具有与所述反射电极重叠的第一端和第二端。所述外涂层形成于滤色器之上。TFT基板还包括存储电极，通过与TFT的漏电极相绝缘地重叠，形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，通过与像素电极相绝缘地重叠，形成第二存储电容器。所述第二存储线与栅极线的第二端相邻。第二存储线与在数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。TFT基板还包括屏蔽图案，所述屏蔽图案与数据线重叠，并具有比数据线宽的宽度。TFT基板还包括存储电极，通过与TFT的漏电极相绝缘地重叠，形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，通过与像素电极相绝缘地重叠，形成第二存储电容器。所述第二存储线与栅极线的第二端相邻，其中屏蔽图案与所述第二存储线电连接。根据本专利技术的实施例，一种TFT基板包括形成在基板上的栅极线、绝缘地与所述栅极线交叉的数据线、与所述栅极线和数据线相连的TFT以及与所述TFT相连的反射电极，其中形成所述反射电极以覆盖栅极线的至少一部分，从而屏蔽所述栅极线。第二存储线位于被提供具有不同极性的数据信号的两个像素电极之间。根据本专利技术的实施例，一种制造LCD面板的方法包括提供TFT基板，所述TFT基板包括栅极线、数据线、与栅极线和数据线相连的TFT、与TFT相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖栅极线的至少一部分；提供滤色器基板，所述滤色器基板包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及将所述TFT基板与所述滤色器相结合，在其间设置有液晶。提供TFT基板包括在基板上形成栅极线和数据线以及与所述栅极线和数据线相连的TFT；形成钝化层，以覆盖TFT；在所述钝化层上形成与所述TFT相连的像素电极；以及形成与所述栅极线重叠的反射电极。提供TFT基板还包括使用与栅极线相同的金属，在与栅极线相同的平面上，形成存储电极，通过与TFT的漏电极相绝缘地重叠，形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，通过与像素电极相绝缘地重叠，形成第二存储电容器，并与栅极线的第二端相邻。提供TFT基板还包括形成屏蔽图案，所述屏蔽图案与数据线重叠，并具有比数据线宽的宽度。使用与栅极线相同的金属，在与栅极线相同的平面上，形成所述屏蔽图案。屏蔽图案与第二存储线电连接。提供滤色器基板包括在基板上形成滤色器；在滤色器上形成外涂层，所述外涂层具有与反射电极重叠的第一端和第二端；以及在形成有外涂层的基板上形成公共电极。附图说明根据下文结合附图的详细描述，本专利技术的典型实施例将会变得更加明显，附图中图1是示出了传统的透反射LCD面板的剖面图；图2是示出了根据本专利技术实施例的透反射LCD面板的TFT基板的平面图；图3是示出了图2中沿着线I-I’和II-II’得到的TFT基板的剖面图；图4是示出了根据本专利技术实施例的透反射LCD面板的TFT基板的平面图；图5是示出了根据本专利技术实施例的LCD面板的剖面图，所述LCD面板包括图3所示TFT基板和滤色器基板；图6A和6B是用于描述根据本专利技术实施例的TFT基板中第一导电图案组的制造过程的平面图和剖面图；图7A和7B是用于描述根据本专利技术实施例的TFT基板中第二导电图案组和半导体图案组的制造过程的平面图和剖面图；图8A和8B是用于描述包根据本专利技术实施例的TFT基板中无机钝化层和有机钝化层的制造过程的平面图和剖面图；图9A和9B是用于描述根据本专利技术实施例的TFT基板中第三导电图案组的制造过程的平面图和剖面图；以及图10A和10B是用于描述根据本专利技术实施例的TFT基板中第四导电图案组的制造过程的平面图和剖面图。具体实施例方式将参考附图对本专利技术的典型实施例进行描述。然而，本专利技术可以以多种不同的形式具体实现，而且不应解释为受到这里提及的实施例的限制。图2和3是示出了根据本专利技术实施例的透反射LCD设备的TFT基板的平面图和剖面图。参考图2和3，TFT基板160包括彼此交叉的栅极线102和数据线104、与栅极线102和数据线104相连的TFT、在每一个子像素区SPA中形成的像素电极122、与TFT相连的反射电极124以及第一和第二存储电容器。所述第一和第二电容器维持充电到像素电极的视频信号的稳定性。反射电极124和像素电极122限定了每一个子像素区SPA中的反射区RA和透射区TA。数据线104通过TFT向像素电极12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，包括：第一基板，包括：栅极线、数据线、与所述栅极线和数据线相连的薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖所述栅极线的至少一部分；第二基板，面对第一基板，并包括滤色器和公共电极，其中 所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及液晶，设置在所述第一基板与所述第二基板之间。

【技术特征摘要】
KR 2006-5-11 10-2006-00425951.一种液晶显示面板，包括第一基板，包括栅极线、数据线、与所述栅极线和数据线相连的薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖所述栅极线的至少一部分；第二基板，面对第一基板，并包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及液晶，设置在所述第一基板与所述第二基板之间。2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，还包括与薄膜晶体管相连的像素电极。3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，还包括外涂层，其中所述外涂层包括与所述反射电极重叠的第一端和第二端。4.根据权利要求2所述的液晶显示面板，还包括存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其中所述第二存储线与在所述数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。6.根据权利要求2所述的液晶显示面板，还包括与所述数据线重叠的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案的宽度比所述数据线的宽度宽。7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，还包括存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极相绝缘地重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，与所述像素电极相绝缘地重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器；其中所述屏蔽图案与所述第二存储线电连接。8.一种薄膜晶体管基板，包括在基板上形成的栅极线；与所述栅极线交叉的数据线，其中所述数据线与所述栅极线绝缘；与所述栅极线和所述数据线相连的薄膜晶体管；以及反射电极，与所述薄膜晶体管相连，并覆盖所述栅极线的至少一部分。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，还包括与薄膜晶体管相连的像素电极。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包括存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承珪，朴源祥，金宰贤，赵容奭，吕庸硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]