【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地，涉 及借助液体将物体啄光的膝光方法和膝光装置、以及在光刻工序中使用 上述曝光方法和膝光装置的器件制造方法。
技术介绍
以往，在制造半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等的电子器件的光刻工序中，主要使用以下装置，即借助光学投影系统将掩模 (或母版)的图案像分别转印到涂敷有抗蚀剂(感应材料)的晶片或玻 璃平板等感应性物质(以下统称为晶片)上的多个拍摄区域的步进 重复方式的缩小投影曝光装置(所谓步进曝光装置)；或步进扫描方式 的投影瀑光装置(所谓扫描步进机(也称为扫描仪))等。在这种投影膝光装置中，随着因集成电路的高度集成化所致的图案的 细微化，每年都要求具有更高的析像力(析像度)，最近，作为实质上缩 短膝光波长并与空气中相比增大(扩大)焦深的方法，利用浸液法的膝光 装置受到关注。作为该利用浸液法的膝光装置，已知有用水或有机溶媒等 液体将投影光学系统的下面和晶片表面之间局部充填的状态下进行膝光 的装置(例如，参照下述专利文献l)。在该专利文献l中记栽的啄光装置 中，利用在液体中的曝光用光的波长是在空气中波长的l/n倍(n是液体 的折射率且通...
【技术保护点】
一种曝光方法，借助液体对物体进行曝光，其特征在于，包括：在液体中溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质，并将该溶解有规定物质的液体供应到在上述物体上形成的膜上并形成浸液区域的工序；借助上述液体将曝光用光照射在上述物体上并进行 曝光，而形成规定图案的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-4-25 127025/2005;JP 2005-8-19 238373/20051.一种曝光方法，借助液体对物体进行曝光，其特征在于，包括在液体中溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质，并将该溶解有规定物质的液体供应到在上述物体上形成的膜上并形成浸液区域的工序；借助上述液体将曝光用光照射在上述物体上并进行曝光，而形成规定图案的工序。2. 根据权利要求l所述的啄光方法，其特征在于，上述物体上的 膜由用于形成上述图案的感应性材料形成。3. 根据权利要求2所述的啄光方法，其特征在于，上述物体上的 膜相对形成上述浸液区域的液体具有疏液性。4. 根据权利要求l所述的膝光方法，其特征在于，上述物体上的 膜形成为覆盖用于形成上述图案的感应性材料。5. 根据权利要求4所述的啄光方法，其特征在于，上述物体上的 膜相对形成上述浸液区域的液体具有疏液性。6. 根据权利要求l所述的膝光方法，其特征在于，通过调整上述 液体的电阻率，来防止因上述液体的带电导致的上述物体上的膜的劣 化。7. 根据权利要求l所述的膝光方法，其特征在于，上述规定物质 包括二氧化碳。8. —种器件制造方法，其特征在于，包括通过使用权利要求1-7 中任意一项所述的曝光方法将物体曝光，来在上述物体上形成器件图案 的光刻工序。9. 一种曝光装置，借助光学部件以及液体将爆光光束照射到物体 上，并对上述物体进行瀑光，由此在该物体上形成规定的图案，其特征 在于，具备传感器，其借助配置于上述光学部件的光射出侧的部件表面的疏液 膜、和该疏液膜上的液体，接受与啄光光束相同波长的光；浸液装置，其具有向供应到上述疏液膜上的液体中混入并溶解对该 液体的电阻率进行调整的规定物质的混入机构，并且将溶解有该规定物 质的上述液体供应到上述疏液膜上并形成浸液区域。10. 根据权利要求9所述的膝光装置，其特征在于，还具备放置上 述物体的物体栽台，并且，在上述物体载台上设置有上述部件。11. 根据权利要求9所述的瀑光装置，其特征在于，还具备放置 上述物体的物体载台；设置有上述部件、且与上述物体载台不同的计测 载台。12. 根据权利要求10所述的瀑光装置，其特征在于，上述物体载 台上的物体以及上述物体载台上的与上述液体相接触的部件中至少一 个被接地。13. 根据权利要求10所述的瀑光装置，其特征在于，与上述物体 相接触的上述物体栽台的一部分由导电性材料形成。14. 根据权利要求9所述的膝光装置，其特征在于，通过调整上述 液体的电阻率，来防止因上述液体的带电导致的上述疏液膜的劣化。15. 根据权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，还具备调整装 置，该调整装置考虑到因上述规定物质的溶解导...
【专利技术属性】
技术研发人员：白石健一，星加隆一，藤原朋春，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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