薄膜晶体管及其制造方法、和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种通过激光晶化法使晶界在一个方向上一致的晶态半导体膜及其制造方法。当通过利用线状激光使形成在衬底上的半导体膜晶化时，使用凹凸被形成为条形的相移掩模。形成在相移掩模上的条形凹凸与线状激光的长轴方向形成近似于垂直的角度地被形成。使用连续振荡激光作为激光，并且该激光的扫描方向与条形凹凸（槽）的方向大体上平行。通过在长轴方向上周期性地改变激光的亮度，可以控制完全熔化的半导体膜的结晶核生成位置。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：晶态半导体膜，其中，所述晶态半导体膜包括一个或多个结晶带，所述多个结晶带分别包括在一个方向上延伸的晶粒，并且，所述多个结晶带中的至少一个在其中包括源区、沟道形成区以及漏区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宫入秀和，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]