半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在衬底上形成导电层；在所述导电层上形成透光层；以及通过从所述透光层上照射飞秒激光选择性地除去所述导电层及所述透光层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森末将文，田中幸一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[]