在铜化学机械研磨工艺中减少晶片被腐蚀的方法技术

本发明专利技术公开了一种在铜化学机械研磨工艺中减少晶片被腐蚀的方法，它可以在晶片等待从研磨设备转移到清洗装置期间，有效的清洗掉黏附在晶片上的研磨液，进而达到防止研磨液腐蚀晶片的目的。它包括：在晶片被研磨后并在晶片放回到研磨头清洗吸放装置前，等待从研磨设备转移到清洗装置期间，打开研磨设备上的研磨头清洗吸放装置中的喷水嘴，用以清洗掉黏附在晶片上的研磨液。所述打开喷水嘴是指同时打开研磨头清洗吸放装置中的清洗杯的喷水嘴和吸放平台上的喷水嘴。另外，同时让研磨头以一定速度旋转。还有在与所述喷水嘴相连的管路上增加调压阀。改进所述研磨头清洗吸放装置中的吸放平台上的喷水嘴的形状，使其喷射出的液体呈散开状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前，由于集成电路的集成度越来越高，器件尺寸越来越小，导 致金属互连变细、产生的热量增多，影响器件的性能。因此，以过去 被广泛使用的铝作为现在先进集成电路的互连结构的金属材料，铝线 的缺点越来越明显。和铝相比，铜互连具有许多优点，如铜的电阻率比铝的电阻率低(铜的电阻率为1.7w Q 'cm、铝的电阻率为3. lu Q wm)、铜互连的寄生电容比铝互连小、铜互连的功耗比铝互连低、 铜具有良好的导电性能和优异的电迁移特性、以及铜具有较好的理化 性能，铜作为互连材料可以承受更高的电流密度和更快的时钟速度。通常，可以采用双大马士革镶嵌(dual damascene)工艺实现集成 电路的铜互连。举例来说，采用双镶嵌工艺制造集成电路铜互连可以 包括如下的步骤将电介质层形成于衬底上，电介质层可以包含二氧 化硅(Si02)等材料；利用刻蚀技术如干法刻蚀，在电介质层中形成导 线沟槽；在形成有导线沟槽的电介质层上沉积由Ta/TaN等材料构成 的薄层，以作为阻挡层；利用例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉 积(PVD)、或电镀(ECP)等技术，在阻挡层上形成铜层，将铜填本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在铜化学机械研磨工艺中减少晶片被腐蚀的方法，其特征在于，在晶片被研磨后并在晶片放回到研磨头清洗吸放装置前，等待从研磨设备转移到清洗装置期间，打开研磨设备上的研磨头清洗吸放装置中的喷水嘴，用以清洗掉黏附在晶片上的研磨液。

【技术特征摘要】
1、一种在铜化学机械研磨工艺中减少晶片被腐蚀的方法，其特征在于，在晶片被研磨后并在晶片放回到研磨头清洗吸放装置前，等待从研磨设备转移到清洗装置期间，打开研磨设备上的研磨头清洗吸放装置中的喷水嘴，用以清洗掉黏附在晶片上的研磨液。2、 如权利要求1所述的在铜化学机械研磨工艺中减少晶片被腐 蚀的方法，其特征在于，所述打开喷水嘴是指同时打开研磨头清洗吸 放装置中的清洗杯的喷水嘴和吸放平台上的喷水嘴。3、 如权利要求1或2所述的在铜化学机械研磨工艺中减少晶片 被腐蚀的方法，其特征在于，它进一步包括，同时让研磨头以一定速 度旋转。4、 如权利要求1或2所述的在铜化学机械研磨工艺中减少晶片 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈肖科，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]