晶片压紧圈及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为１．５２ｍｍ，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为１．８８ｍｍ，压紧圈的内径在２０２．１ｍｍ至２０２．３ｍｍ之间。本发明专利技术还公开了制造上述内径为２０２．２ｍｍ的晶片压紧圈的制造方法，铣削掉压紧圈小压块之间的部分，使压紧圈的内径从２００．７ｍｍ增加到２０２．２ｍｍ。本发明专利技术通过增加晶片压紧圈的内径，减小制程位置时晶片和晶片压紧圈之间刮擦的可能，防止发生晶片黏附。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路工艺领域，尤其是集成电路工艺中的一种晶片压 紧圈，该晶片压紧圈可以防止发生晶片黏附。本专利技术还设计一种晶片压紧 圈的制造方法。
技术介绍
在应用材料Endura 5500型机台上进行物理汽相沉积会导致铝黏附到 晶片边缘上。粘片往往会导致晶片位置的移动或者晶片的损坏。如图l所 示，当晶片10处于升降环20举起位置时，晶片升降环20将晶片10举到 升降环的爪子上，晶片升降环将压紧圈30举离防护罩，压紧圈30压在晶 片10的上方，如图2所示，加热器将晶片移动到制程位置，在晶片10和 压紧圈30之间有小的空隙。这种存在于晶片和压紧圈之间的空隙，由于晶 片和压紧圈的中心不能准确对应，压紧圈的内侧会刮到晶片的边缘。这样 当加热器将晶片移动到制程位置时会发生晶片移动从而造成粘片。如图3 到图5所示，已有技术中的压紧圈内径为200.7腿，压紧圈的小压块40的 宽为1.88ram，压块处遮檐50宽为1. 52mm，标记罩60位于遮檐50上，已 有技术中制造晶片压紧圈时通过铣削使晶片压紧圈的内径为200. 7ram。在上 述图1和图2的工艺过程中，已有压紧圈过小的内径容易造成晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为１．５２ｍｍ，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为１．８８ｍｍ，其特征在于，压紧圈的内径在２０２．１ｍｍ至２０２．３ｍｍ之间。

【技术特征摘要】
1、一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为1.52mm，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm，其特征在于，压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。2、 如权利要求1所述的晶片压紧圈，其特征在于，压紧圈的内径为 202. 2mm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂鲲，吴秉寰，刘兆虎，杨小军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]