形成熔丝结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种熔丝结构，该熔丝结构包括插入在基板和熔丝材料层之间的空腔。所述空腔不形成于所述熔丝材料层的侧壁，或与所述基板相对的熔丝材料的表面。当所述熔丝材料层包括突出的端部和较窄的中间区时，在使用自对准蚀刻法时，空腔可以形成插入所述基板和熔丝材料层之间。所述空腔通过支撑所述熔丝材料层的一对牺牲层基座而被隔离。包封所述空腔从而通过使用包封介电层而形成空腔。作为替代，当形成插入所述基板和熔丝材料层之间的空腔时，可以使用阻挡掩模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及微电子结构中的熔丝。更具体地，本专利技术涉及微电子结 构中改进性能的熔丝。背景领域除了晶体管、电阻器、二极管和电容器之外，半导体结构和半导体电路 还经常包括熔丝。至今为止，半导体结构中的熔丝是期望的，因为熔丝提供 了切断否则有缺陷和不可工作的半导体电路的部分的有效装置。具体地，熔 丝经常在用于切断有缺陷和不可工作的存储器阵列的有缺陷部分时是有用的。尽管在半导体电路的制造中熔丝是必须的，但是熔丝并非完全没有问 题。具体地，当提供用于切断有缺陷和不可工作的半导体电路的部分的装置 时，熔丝可能不在所有条件下其自身无缺陷地有效工作。在一些情形，熔丝 不总是容易切断。在一些其他情形，看上去被切断的熔丝仍然可以允许减小的、但是残留的电流的流动。在半导体制造领域中熔丝和熔丝结构是已知的。例如，Arndt等在美国专利No.6,274,440教导了具有较高工作可靠性的 熔丝结构。该具体的熔丝结构包括由半导体结构内的栅极导体叠层制造并且位于半导体结构内的空腔内的熔丝层。半导体结构和装置的尺寸一定不断减小，并且因此希望具有提高的可靠性的熔丝和熔丝结构。此外还希望具有提高的可靠性的这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝结构，包括：通过空腔从基板分离的熔丝材料层，所述空腔不延伸至与所述基板相对的熔丝材料层侧。

【技术特征摘要】
US 2006-10-3 11/538,1701.一种熔丝结构，包括通过空腔从基板分离的熔丝材料层，所述空腔不延伸至与所述基板相对的熔丝材料层侧。2. 根据权利要求1的熔丝结构，其中所述空腔也不延伸从而暴露所述 熔丝材料层的侧壁。3. 根据权利要求1的熔丝结构，其中所述熔丝材料层包括选自由钽、 钛、鴒、氮化钽、氮化钨和氮化钛熔丝材料组成的组的一种熔丝材料。4. 根据权利要求1的熔丝结构，其中所述熔丝材料层具有从大约300 至大约700埃的厚度。5. 根据权利要求1的熔丝结构，其中所述熔丝材料层具有狗骨形状。6. 根据权利要求5的熔丝结构，其中所述狗骨形状包括 具有线宽从大约5至大约20微米的较宽的突出的端部；和 具有线宽从大约0.1至大约1微米的较窄的中心部。7. 根据权利要求6的熔丝结构，还包括分离所述基板和所述熔丝材料 层的突出的端部的至少一基座层。8. —种形成熔丝结构的方法，包括形成层叠结构，其包括基板层、在基板层上形成的牺牲层和在所述牺牲 层上形成的熔丝材料；蚀刻所述牺牲层从而形成支撑所述熔丝材料层的一对端部的一对牺牲 层基座；并且在所述熔丝材料层和牺牲层基座上方形成包封介电层从而形成插入在 所述熔丝材料层和基板层之间的空腔。9. 根据权利要求8的方法，其中所述层叠结构还包括在熔丝材料层上 对准形成的盖层。10. 根据权利要求8的方法，其中所述封装的介电层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尼尔K钦撒金迪，金德起，钱德拉撒克哈兰科塞恩达拉曼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]