有机EL元件、有机EL显示装置和有机EL元件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机ＥＬ元件、有机ＥＬ显示装置和有机ＥＬ元件的制造方法。有机ＥＬ发光元件（Ａ１）具备：相互相对配置的阳极（２）和阴极（４）；和介于所述阳极（２）和阴极（４）之间，并且包括发光层（３ｂ）的有机层（３）。阴极（４）由ＭｇＡｇ合金构成，且具有２００＊以下的厚度。优选阴极（４）的厚度为４０～１００＊的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机EL (electroluminescent:场致发光)元件。此夕卜， 本专利技术还涉及使用有机EL元件的有机EL显示装置和有机EL元件的 制造方法。
技术介绍
图14表示下述专利文献1中公开的现有的有机EL元件。有机EL 元件X形成在透明基板91上，包括反射膜92、阳极93、有机层94和 阴极95。反射膜92由金属制成。阳极93为多层透明电极。更详细而 言，有机层94由空穴注入层94a、空穴输送层94b、发光层94c、电子 输送层94d和电子注入层94e构成。阴极95为透明电极。若在阳极93和阴极93之间赋与电场，则介于它们之间的发光层 94c放射光。在图中上方放射的光透过阴极95，向有机EL元件X的 上方放射。另一方面，在下方放射的光透过阳极93，在被反射膜92 反射后，透过阳极93、有机层94和阴极93，最终向有机EL元件X 的上方放射。结果是，有机EL元件X向着与位于下方的透明基板91 相反的方向放射光。这种结构称为顶部发射型。通常，阴极93通过在作为材料的ITO (Indiun Tin Oxide:铟锡氧 化物)或IZO (Indiun Zinc Oxide:铟锌氧化物)上实施溅射法、分子 线外延法(以下称为MBE法)、或离子电镀法而形成。但是，使用这 种方法，要使有机层94上升至超过IO(TC的高温。因此存在有机层94 受到化学损伤的情况。而且，上述方法使构成ITO或IZO的原子、分 子或离子等粒子与有机层94冲突。因此有机层94不可避免地受到物 理损伤。这些损伤可成为引起有机EL元件的特性异常，例如消耗电力 的不当增大或亮度降低等的原因。日本专利特开2004-247106号公报
技术实现思路
本专利技术考虑上述问题而提出，其课题是通过抑制制造工序中的有机层的损伤，提供表现出低消耗电力和高亮度的有机EL元件。此外， 本专利技术的另一课题是提供使用该有机EL元件的有机EL显示装置，以 及提供该有机EL元件的制造方法。本专利技术的第一方面提供的有机EL发光元件，具备相互相对配置 的阳极和阴极；和介于上述阳极和阴极之间，并且包括发光层的有机 层。上述阴极由MgAg合金构成，且具有200A以下的厚度。根据这种结构，能够使上述阴极的功函数小于由例如ITO构成的 阴极。因此，能够提高电子从上述阴极向上述有机层注入的效率，减 少上述有机EL元件的消耗电力。此外，上述发光层放射的光能够透过 上述阴极，能够实现上述有机EL元件的高亮度化。而且，上述阴极能 够通过以Mg和Ag为蒸镀源的共蒸镀形成，由此能够避免上述有机层 受损伤。在本专利技术的优选实施方式中，上述阴极具有40 100A的厚度。根 据这种结构，能够提高上述阴极的透过率，并且减小上述阴极的片电 阻。因此，上述有机EL元件能够表现出低消耗电力和高亮度。在本专利技术的优选实施方式中，上述阴极具有25 70atomic。/。的Ag 浓度。根据这种结构，上述阴极的功率功函数为3.7eV以下的程度。 这适合于降低消耗电力。在本专利技术的优选实施方式中，上述阴极由均匀浓度层和不均匀浓 度层构成，上述均匀浓度层在厚度方向上具有均匀的Ag浓度；上述不 均匀浓度层夹着上述均匀浓度层，位于与上述有机层相反一侧，'并且 在厚度方向上具有不均匀的Ag浓度。根据这种结构，可将上述均匀浓 度层的Ag浓度设定为适合于减小功函数的浓度；同时，将上述不均匀 浓度层中与上述均匀浓度层相反一侧的部分的Ag浓度设定为适合于 抑制气氛引起的侵蚀等的大浓度。因此，上述有机EL元件能够兼顾低 的消耗电力和对环境的耐性。在本专利技术的优选实施方式中，上述均匀浓度层具有25 70atomic% 的Ag浓度。这种结构适合于减小上述有机EL元件的消耗电力。在本专利技术的优选实施方式中，上述均匀浓度层具有20A以上的厚度。根据这种结构，能够适当地发挥提高电子从上述阴极向上述有机 层注入的效率的效果。在本专利技术的优选实施方式中，上述不均匀浓度层的最远离上述均 匀浓度层的部分的Ag浓度，比上述不均匀浓度层的最接近上述均匀浓度层的部分的Ag浓度大。根据这种结构，上述有机EL元件能够兼顾 低消耗电力和对环境的耐性。在本专利技术的优选实施方式中，上述不均匀浓度层的最远离上述均 匀浓度层的部分的Ag浓度为100atomic%。这种结构适合于抑制上述 阴极被气氛等侵蚀。在本专利技术的优选实施方式中，上述不均匀浓度层包括第一MgAg 合金层；和夹着上述第一 MgAg合金层，位于与上述均匀浓度层相反 一侧，并且具有比上述第一 MgAg合金层的Ag浓度大的Ag浓度的第 二MgAg合金层。根据这种结构，上述有机EL元件也能够兼顾低消耗 电力和对环境的耐性。在本专利技术的优选实施方式中，还包括夹着上述阴极，位于与上述 有机层相反一侧的Au层，并且上述阴极的厚度和上述Au层的厚度合 计为200A以下。根据这种结构，有利于避免上述阴极被气氛等侵蚀。 此外，上述阴极和上述Au层能够防止不恰当地衰减上述发光层放射的 光。在本专利技术的优选实施方式中，还包括介于上述阴极和上述有机层 之间，并且含有Li的层。根据这种结构，能够提高电子从上述阴极向 上述有机层的注入效率。本专利技术的第二方面提供的有机EL显示装置，其特征在于，包括 基板；被支承在上述基板上的多个由本专利技术的第一方面提供的有机EL 元件；和用于对上述多个有机EL元件进行发光驱动的有源矩阵电路。 根据这种结构，上述有机EL显示装置能够表现出低消耗电力和高显示 画质。在本专利技术的优选实施方式中，上述基板为硅基板，上述有源矩阵 电路具备在上述基板上形成的多个晶体管。根据这种结构，能'够以高 密度配置上述有机EL元件，由此，上述有机EL显示装置能够显示更 精细的图像。本专利技术的第三方面提供的有机EL元件的制造方法，其包括形成 阳极的工序；形成包括发光层的有机层的工序；和形成阴极的工序。 其特征在于，形成上述阴极的工序通过共蒸镀Mg和Ag而进行。根据 这种结构，能够适当地制造本专利技术的第一方面提供的有机EL元件。在本专利技术的优选实施方式中，上述共蒸镀以0.1 1.0A/sec的蒸镀 速度进行。根据这种结构，能够适当地制造上述阴极，不会不当地损 伤上述有机层。在本专利技术的优选实施方式中，形成上述阴极的工序包括分别使 Mg和Ag的蒸镀速度一定以进行共蒸镀的工序；和以Ag的蒸镀速度 与Mg的蒸镀速度之比随着时间的经过而变大的方式进行共蒸镀的工 序。根据这种结构，能够制造上述阴极，使其具有由Ag浓度均匀的均 匀浓度层和离上述均匀浓度层越远则Ag浓度越大的不均匀浓度层构 成的叠层结构。在本专利技术的优选实施方式中，其还包括在形成上述阴极的工序之 后，在上述阴极上蒸镀Au的工序。根据这种结构，能够避免上述阴极 被气氛等侵蚀。在本专利技术的优选实施方式中，其还包括在形成上述有机层工序之 后、形成上述阴极的工序之前，形成含有Li的层的工序。这种结构有 利于提高电子从上述阴极向上述有机层的注入效率。本专利技术的其他特征和优点，通过以下参照附图进行的详细说明， 可更加清楚。附图说明图1为表示本专利技术的有机EL元件的第一实施方式的主要部分截面图2为图1所示有机EL元件的主要部分放大截面图3为表示图1所示有机EL元件的阴极厚度和Ag浓度的关系的图4为表示使用图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机ＥＬ发光元件，其特征在于，具备：相互相对配置的阳极和阴极；和介于所述阳极和阴极之间，并且包括发光层的有机层，其中，所述阴极由ＭｇＡｇ合金构成，且具有２００＊以下的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-6-9 169212/20051.一种有机EL发光元件，其特征在于，具备相互相对配置的阳极和阴极；和介于所述阳极和阴极之间，并且包括发光层的有机层，其中，所述阴极由MgAg合金构成，且具有200以下的厚度。2. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极具有40 100A的厚度。3. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极具有25 70atomic。/。的Ag浓度。4. 如权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于 所述阴极由均匀浓度层和不均匀浓度层构成，所述均匀浓度层在厚度方向上具有均匀的Ag浓度；所述不均匀浓度层夹着所述均匀浓度 层，位于与所述有机层相反一侧，并且在厚度方向上具有不均匀的Ag 浓度。5. 如权利要求4所述的有机EL元件，其特征在于 所述均匀浓度层具有25 70atomicG/。的Ag浓度。6. 如权利要求4所述的有机EL元件，其特征在于 所述均匀浓度层具有20A以上的厚度。7. 如权利要求4所述的有机EL元件，其特征在于 所述不均匀浓度层的最远离所述均匀浓度层的部分的Ag浓度，比所述不均匀浓度层的最接近所述均匀浓度层的部分的Ag浓度大。8. 如权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于 所述不均匀浓度层的最远离所述均匀浓度层的部分的Ag浓度为100atomic%。9. 如权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于所述不均匀浓度层包括第一 MgAg合金层；和夹着所述第一MgAg合金层，位于与所述均匀浓度层相反一侧，并且具有比所述第一 MgAg合金层的Ag浓度大的Ag浓度的第二 MgAg合金层。10. 如权利要求1所述的有机E...

【专利技术属性】
技术研发人员：下地规之，守分政人，渊上贵昭，加藤弘树，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]