制作邻接接触体的半导体制造工艺与半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种制作邻接接触体的半导体制造工艺，包含以下步骤：提供一基体，此基体上具有至少两个邻接的晶体管栅极；对该两晶体管栅极间的区域，全面进行斜角度离子植入，形成第一传导型的淡掺杂区；在该两晶体管栅极间的区域，形成第一传导型和第二传导型的浓掺杂区，并以第二传导型的浓掺杂区盖过部分第一传导型的淡掺杂区，且以第二传导型的浓掺杂区将第一传导型的浓掺杂区分隔；沉积介电层；以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体，此邻接接触体同时接触受分隔的第一传导型的浓掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种半导体制造工艺中的邻接接触体(butting contact) 的制法，特别是指一种制作邻接接触体的半导体制造工艺与具有邻接 接触体的半导体装置。
技术介绍
半导体装置中，若两个相邻场效晶体管的源/漏极彼此需要连接， 且两者都需要连接至第一层内联机层(interconnection)时，两晶体管可 使用同一个接触体(contact)来与第一层内联机层连接；如此可以节省电 路面积。此种结构称为邻接接触体(butting contact);以N型金氧半场效 晶体管(NMOSFET)为例，上述结构的一实施例可参见图1，其中的标 号10的部份，即为邻接接触体。此外，为了加强电性效果，图中在各 N+区的上方，分别设有较淡的NLDD区，且在邻接接触体下方的P+ 区上方，设有较淡的PLDD区。又，为了使场效晶体管的源/漏极掺杂区具有较佳的形状轮廓， 有时会使用斜角度的离子植入制造工艺(tilt-angle implant),以将杂质植 入晶体管栅极的下方；例如袋状植入(pocket implant)制造工艺即为其一例。图2A-2F示意说明现有技术中包含斜角度离子植入的邻接接触体 制造工艺，同样是以NMOSFET为例，首先，如图2A所示在晶圆基体 上分隔出主动区并制作完成晶体管栅极21之后，在晶圆基体上形成N 型淡掺杂(下称NLDD)区的光阻图案22 (图2B)，之后进行斜角度 离子植入23，以形成NLDD区24 (图2C),接着以光阻(未示出)定 义图案后，进行P型淡掺杂(下称PLDD)区25的离子植入步骤，再 形成间隔物(spacers)26 (图2D)，后续再经过两次的微影与离子植入步 骤，形成浓掺杂区N+ 27和卩+ 2S (图2E)，最后如图2F所示，沉积 介电层29并通过微影蚀刻步骤打开接触孔后填入导电材料，即可形成 附图中的各个接触体。图中接触体10同时接触相邻的两个晶体管，此 即邻接接触体。图2A-2F所示的制造工艺有以下缺点。请参照图2C，在需要形成 邻接接触体的位置，两晶体管势必十分靠近，否则即失去使用邻接接 触体制造工艺的意义；但由于两晶体管的源/漏极十分靠近，因此在 进行斜角度离子植入23时，由于邻接接触体处的光阻阻隔，将使离子 不易从斜角度植入晶体管的栅极下方，甚至不易植入栅极两侧(未来 形成间隔物26的位置)下方。且除了横向空间狭窄之外，因光阻高度 与栅极高度的差距，实际状况比附图更为严重。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的之一便是提出一种制 作邻接接触体的半导体制造工艺，而得以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于提供一种具有邻接接触体的半导体装置。本专利技术的再一目的在于提供一种制作邻接接触体的光罩组。为达上述目的，在本专利技术的其中一个实施例中，提供了一种制作 邻接接触体的半导体制造工艺，包含以下步骤提供一基体，此基体上具有至少两个邻接的晶体管栅极；对该两晶体管栅极间的区域，全面进行斜角度离子植入，形成第一传导型的淡掺杂区；在该两晶体管栅极间的区域，形成第一传导型和第二传导型的浓掺杂区，并以第二 传导型的浓掺杂区盖过部分第一传导型的淡掺杂区，且以第二传导型的浓掺杂区将第一传导型的浓掺杂区分隔；沉积介电层；以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体，此邻接接触体同时接触受分隔的第一传导型的浓掺杂区。上述实施例中，可更包含在第一传导型的淡掺杂区的一部份中， 形成第二传导型的淡掺杂区的步骤。所述第一传导型可以是N型或P型。此外，根据本专利技术的另一个实施例，也提供了一种具有邻接接触 体的半导体装置，其包含至少两个邻接的晶体管，第一晶体管的源/漏极之一与第二晶体管的源/漏极之一相邻，且两者均为第一传导 型；同时接触该第一晶体管的该源/漏极之一与该第二晶体管的该源/漏极之一的邻接接触体；位于该邻接接触体下方的第一传导型的淡 掺杂区；以及位于该邻接接触体下方的第二传导型的浓掺杂区，此浓 掺杂区与该第一传导型的淡掺杂区至少部分重叠。又，根据本专利技术的另一个实施例，也提供了一种制作邻接接触体 的光罩组，包含第一淡掺杂区光罩，供进行第一传导型的离子植入， 此光罩图案可供全面打开邻接接触体区域；第一浓掺杂区光罩，供进 行第一传导型的离子植入，此光罩图案仅部分打开邻接接触体区域； 以及第二掺杂区光罩，供进行第二传导型的离子植入，此光罩图案仅 部分打开邻接接触体区域。根据本专利技术，第二掺杂区光罩可以共享为第二传导型淡掺杂植入 和浓掺杂植入制造工艺的光罩。底下通过参照附图对具体实施例详加说明，当更容易了解本专利技术 的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成之功效。附图说明图1以剖面示意显示邻接接触体结构。图2A-2F以剖面示意显示现有技术制作邻接接触体并含有斜角度 离子植入步骤时的制造工艺。图3A-3G以剖面示意显示根据本专利技术一实施例的制造工艺。图中符号说明 10邻接接触体20两晶体管间欲形成邻接接触体的区域 21栅极 22光阻23斜角度离子植入24 NLDD区25 PLDD区 26间隔物27 N+区28 P+区 29介电层 30邻接接触体 31栅极32光阻33斜角度离子植入 341,342 NLDD区 35 PLDD区 36间隔物37 N+区38 P+区 39介电层具体实施方式以下本专利技术将根据实施例并参照附图来加以说明。附图仅供示意 解释说明之用；附图中的直径、厚度、宽度，并未按照比例绘制。请参考图3A-3G，其中以示意方式示出根据本专利技术的邻接接触体 制造工艺。本实施例是以NMOSFET为例，但熟悉本技术者当可类推 应用至PMOSFET或其它型式的半导体元件制造工艺。本实施例的步 骤如下图3A:在晶圆基体上分隔出主动区并制作完成晶体管栅极31。 图3B:在晶圆基体上以旋涂或其它方式沉积一光阻层32。 图3C:使用根据本专利技术的NLDD光罩(如为PMOSFET则为PLDD 光罩)，对光阻层32进行微影制造工艺，在该光罩图案与搭配的曝光 显影步骤中，打幵两晶体管间欲形成邻接接触体的区域20，在其间不 留下任何光阻。至于光罩图案的安排，应视光阻类型(正或负光阻) 及电路布局来决定。图3D:根据前步骤所形成的光阻图案32 (图3B)，进行斜角度 离子植入33，以形成NLDD区341和342。请注意此时由于区域20间 无任何光阻，故对于该区域而言，是全面进行离子植入而无任何阻隔 的；其所致的NLDD区341连接了两个晶体管，其间并未分隔。图3E:洗去光阻层32之后，使用PLDD光罩，在两晶体管间欲 形成邻接接触体的位置处，进行PLDD区35的离子植入步骤(光阻涂 布与曝光显影步骤省略未示出)。事实上，并不一定需要在图标35的 位置植入PLDD杂质，目前如不在该处植入任何P型杂质也是可以的。 不过由于未来必须在此处进行P+离子植入步骤，如PLDD和P+离子植 入步骤共享光罩，便可节省光罩制作成本，故为了顾及光罩制作，此 时以在此处植入PLDD杂质为佳。同图中，另也依据众所熟知的间隔物沉积制造工艺，形成了间隔 物36。需注意的是，PLDD离子植入步骤与间隔物沉积步骤的次序可 以调换。图3F:后续再经过两次的微影与离子植入步骤，形成浓掺杂区 N+37和P+38。此两步骤可以调换，但一般会先进行N+浓掺杂区的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作邻接接触体的半导体制造工艺，包含以下步骤：提供一基体，此基体上具有至少两个邻接的晶体管栅极；对该两晶体管栅极间的区域，全面进行斜角度离子植入，形成第一传导型的淡掺杂区；在该两晶体管栅极间的区域，形成第一传导型和第二传导型的浓掺杂区，并以第二传导型的浓掺杂区盖过部分第一传导型的淡掺杂区，且以第二传导型的浓掺杂区将第一传导型的浓掺杂区分隔；沉积介电层；以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体，此邻接接触体同时接触受分隔的第一传导型的浓掺杂区。

【技术特征摘要】
1. 一种制作邻接接触体的半导体制造工艺，包含以下步骤提供一基体，此基体上具有至少两个邻接的晶体管栅极；对该两晶体管栅极间的区域，全面进行斜角度离子植入，形成第一传导型的淡掺杂区；在该两晶体管栅极间的区域，形成第一传导型和第二传导型的浓掺杂区，并以第二传导型的浓掺杂区盖过部分第一传导型的淡掺杂区，且以第二传导型的浓掺杂区将第一传导型的浓掺杂区分隔；沉积介电层；以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体，此邻接接触体同时接触受分隔的第一传导型的浓掺杂区。2. 如权利要求l所述的制作邻接接触体的半导体制造工艺，更包 含在该栅极外侧形成间隔物的步骤。3. 如权利要求l所述的制作邻接接触体的半导体制造工艺，更包 含在第一传导型的淡掺杂区的一部份中，形成第二传导型的淡掺杂 区的步骤。4. 如权利要求3所述的制作邻接接触体的半导体制造工艺，其中 第二传导型淡掺杂区的图案与第二传导型浓掺杂区的图案相同。5. 如权利要求l所述的制作邻接接触体的半导体制造工艺，其中 第一传导型淡掺杂区的图案与第一传导型浓掺杂区的图案不同。6. —种具有邻接接触体的半导体装置，包含至少两个邻接的晶体管，第一晶体管的源/漏极之一与第二晶体管的源/漏极之一相...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏宏德，杨清尧，詹前陵，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]