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本发明提出一种制作邻接接触体的半导体制造工艺，包含以下步骤：提供一基体，此基体上具有至少两个邻接的晶体管栅极；对该两晶体管栅极间的区域，全面进行斜角度离子植入，形成第一传导型的淡掺杂区；在该两晶体管栅极间的区域，形成第一传导型和第二传导型的...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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