【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有半导体纳米晶体的发光器件。 联邦资助的研究或开发依据来自空军宇舶研究(Air Force Aerospace Research)的第FA9550-04-1-0462 号拨款(Grant Number FA9550-04-l-0462)和来自国家科学基金(National Science Foundation)的第DMR-0213282号拨款(Grant Number DMR-0213282)，美国J愤对本专利技术可具有一定的4又益。
技术介绍
发光器件可以用于例如显示器(如平板显示器)、荧M(例如计算机荧M)和 其他需要照明的物体。因此，发光器件的亮M该器件的重要特征。同时，低工 作电压和高效率可以 文进制造发光器件的耐久性。在许多应用中，期望长的器件 寿命。发光器件可响应该器件活性成分的j敫发而释放光子。可以通过对该器件的活 性成^C例如电ft^光成分)^口电压而Jlt^^射。电fi^光成分可以是聚合物，例过器件的层之间的受激发的电荷的辐射性复合而产生发射。发出的光具有包括最 W射波长和发射强度的发射分布(emission profile),...
【技术保护点】
发光器件，包括： 包括第一无机材料的第一电荷传输层，其与第一电极接触，该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷； 第二电极；和 布置在该第一电极和第二电极之间的多个半导体纳米晶体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-16 60/653,0941、发光器件，包括包括第一无机材料的第一电荷传输层，其与第一电极接触，该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷；第二电极；和布置在该第一电极和第二电极之间的多个半导体纳米晶体。2、 如权利要求1所述的发光器件，进一步包括与该第二电极接触的第二电荷 传输层，其中第二电极被布置以在该第二电荷传输层中引入电荷。3、 如权利要求1所述的发光器件，其中该第一无积4才料是无定形的或多晶的。4、 如权利要求1所述的发光器件，其中该第一无才;U才料是无机半导体。5、 如权利要求4所述的发光器件，其中该无机半导体包括金属辟j臭化物。6、 如权利要求5所述的发光器件，其中该金属辟^i矣化物是混合的金属好u^化物。7、 如权利要求5所述的发光器件，其中该金属辟Li矣化物包括氧化锌、氧化钬、 氧化铌、硫化锌、氧化锢锡、或其〉V曰^物。8、 如权利要求1所述的发光器件，其中该第二电荷传输层包括第二无枳射料。9、 如权利要求8所述的发光器件，其中该第二无枳4才料是无定形的或多晶的。10、 如权利要求8所述的发光器件，其中该第二无枳射料是无机半导体。11、 如权利要求10所述的发光器件，其中该无机半导体包括金属辟u^化物。12、 如权利要求ll所述的发光器件，其中该金属好ii臭化物是混合的金属辟u^ 化物。13、 如权利要求ll所述的发光器件，其中该金属石^矣化物包括氧化锌、氧化 钛、氧化铌、硫化锌、氧化铟锡、或其'/V曰^物。14、 如权利要求1所述的发光器件，其中该第一电荷传输层是空穴传输层。15、 如权利要求1所述的发光器件，其中该第一电荷传输层是电子传输层。16、 如权利要求1所述的发光器件，其中该多个半导体纳米晶体形成单层。17、 如权利要求1所述的发光器件，其中该多个半导体纳米晶体是半导体纳 米晶体的M上单^W体。18、 如权利要求1所述的发光器件，其中该多个半导体纳米晶体以图案排列。19、 如权利要求1所述的发光器件，其中该器件是透明的。20、 制^^发光器件的方法，包括 将含有第一无枳浙料的第一电荷传输层沉积到电极上；和 在该电扨上沉积多个半导体纳米晶体；其中，该多个纳米晶体与该第一电荷传输层电接触。21、 如权利要求20所述的方法，其中沉积多个半导体纳米晶体包括将多个半导体纳米晶体沉积作为单层。22、 如权利要求20所述的方法，其中沉积多个半导体纳米晶体包括形成图案。23、 如权利要求20所述的方法，其中沉积第一无才;U才料包括溅射。24、 如权利要求23所述的方法，其中该第一无才;U才料是无机半导体。25、 如权利要求24所述的方法，其中该无机半导体材料包括金属碌u^化物。26、 如权利要求25所述的方法，其中该金属發^矣化物是混合的金属錄Li矣化物。27、 如权利要求26所述的方法，其中该金属辟ii矣化物包括氧化锌、氧化钬、 氧化铌、硫化锌、氧化锢锡、或其混合物。28、 如权利要求20所述的方法，进一步包括将含有第二无机材料的第二电荷传ir层沉积到电招丄；其中，该多个纳米晶体与该第二电荷传输层电接触。29、 如权利要求28所述的方法，其中沉积第二无枳尉料包括溅射。30、 如权利要求29所述的方法，其中该第二无枳浙料B机半导体。31、 如权利要求30所述的方法，其中该无机半导体材料包括金属好u^化物。32、 如权利要求31所述的方法，其中该金属好^i矣化物是';f^的金属辟u^化物。33、 如权利要求31所述的方法，其中该金属辟u^化物包括氧化锌、氧化钬、 氧化铌、硫化锌、氧化铟锡、或其混合物。34、 如权利要求20所述的方法，其中该器件是透明的。35、 发光方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：芒吉G巴温迪，弗拉迪米尔布洛维克，塞思科沙利文，让米歇尔卡鲁奇，乔纳森斯特克尔，亚历克西阿兰戈，乔纳森E哈尔珀特，
申请(专利权)人：麻省理工学院，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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