【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及咔唑衍生物，尤其涉及可以作为原材料用于获得发光元件材料的咔唑衍生物。另外，本专利技术涉及使用该咔唑衍生物获得的发光材料，以及使用该发光元件材料制造的发光元件和电子设备。
技术介绍
近年来，发光元件开始用作显示器等的像素。此类发光元件通常具有其中含发光物质的层插在一对电极之间的结构。 在发光元件领域，为了获得具有有利的发光效率和色度的发光元件，或为了获得可以防止光猝灭的发光元件，对用于制造发光元件的材料物质进行了各种研究。在它们之中，用作发光物质(当驱动发光元件时显示发光的物质)的物质通常称作“客体”，并且具有更好效率的发光客体的发展正在推进。例如，专利文件1日本专利特许公开号2001-131541公开了一种与具有长的发光寿命具有高的发光效率的有机EL元件材料有关的技术。
技术实现思路
对于发光元件，电流由于空穴或电子的转移而流动，并且在发光层中，这些载流子被客体俘获并重组。换言之，客体在氧化或还原状态之后进入激发态。随后，已经进行激发态的客体当返回到基态时发光。已经回到基态的客体，在由于载流子的重组再次进行激发...
【技术保护点】
由以下通式表示的咔唑衍生物：＊＊＊其中Ｒ↑［１］表示选自含１－４个碳原子的烷基，和含１－１２个碳原子的芳基中的任一个。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-7-14 205386/20051.由以下通式表示的咔唑衍生物其中R1表示选自含1-4个碳原子的烷基，和含1-12个碳原子的芳基中的任一个。2.以下通式表示的发光元件材料其中R2表示氢或由以下通式表示的基团其中R4和R5表示氢、甲基或叔丁基中任一个，并且它们中至少一个表示氢，和其中R3表示选自氢、含1-4个碳原子的烷基，和含1-12个碳原子的芳基中的任一个。3.由以下结构式表示的发光元件材料4.由以下结构式表示的发光元件材料5.发光元件，包括在电极之间的包括发光物质和主体的发光层，其中该发光物质由以下通式表示其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，大泽信晴，中岛晴惠，小岛久味，江川昌和，野村亮二，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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