用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统，属于芯片老化分析领域。所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数，然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数，在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度，使得老化仿真结果更准确。确。确。

【技术实现步骤摘要】
用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统


[0001]本专利技术涉及芯片老化分析领域，具体地涉及一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、一种用于分析芯片老化的模拟仿真装置以及一种用于分析芯片老化的模拟仿真系统。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺不断发展，器件尺寸越来越小，器件电压越来越低。随着器件使用时长的增加，各器件逐渐发生老化，特别是金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide Semiconductor，简称MOS)的老化越来越严重。器件老化会使得器件性能退化，从而导致电路的时序越来越难收敛。
[0003]为保证电路在生命周期内的正常工作，在电路实际应用之前，需通过电路仿真软件对该电路进行老化时序仿真，以检测该电路的时序是否收敛。老化时序仿真的结果会用于评估电路或器件的使用寿命等等，随着电路的精确化程度越来越高，微小的差异也会影响评估结果，因此如何提高老化时序仿真的准确度是现阶段急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施方式的目的是提供一种用于分析芯片老本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。2.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，器件的热网表根据芯片的版图、封装信息、PCB板信息和空气信息仿真获取。3.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述热网表包括：器件在版图中的坐标、器件热阻值和器件热熔值。4.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述第一电网表包括：器件在不同工作温度下的器件电压和器件电流。5.根据权利要求4所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数，包括：将器件在工作温度下的器件电压和器件电流输入可靠性模型进行模拟仿真，得到该器件老化后的性能参数。6.根据权利要求5所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述可靠性模型支持至少包括热载流子注入、经时击穿、正偏执温度不稳定性以及负偏置温度不稳定性的老化效应。7.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述性能参数包括：饱和电流、阈值电压、线性电流和跨导。8.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化，包括：根据器件的老化后的性能参数，建立该器件老化后的第二电网表；根据各器件的第二电网表进行SPICE仿真，得到所述芯片老化后的性能变化。9.一种用于分析芯片老化的模拟仿真装置，其特征在于，包括：控制器，用于：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵东艳，陈燕宁，刘芳，付振，王帅鹏，王凯，邓永峰，郁文，刘倩倩，潘成，林文彬，
申请(专利权)人：北京芯可鉴科技有限公司国网信息通信产业集团有限公司国家电网有限公司国网福建省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：