曝光装置以及器件制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在将液体充满于投影光学系统与基片之间来进行曝光之际，能够抑制起因于附着于基片的液体的器件的劣化的曝光装置。器件制造系统（ＳＹＳ）具备：在投影光学系统（ＰＬ）与基片（Ｐ）之间用液体（５０）充满，经由投影光学系统（ＰＬ）和液体（５０）将图案像投影到基片（Ｐ）上的曝光装置本体（ＥＸ）；曝光装置本体（ＥＸ）与进行基片（Ｐ）曝光后的处理的涂敷器.显影器本体（Ｃ／Ｄ）的接口部（ＩＦ）；以及在基片（Ｐ）曝光后、经由接口部（ＩＦ）将基片（Ｐ）搬出至涂敷器.显影器本体（Ｃ／Ｄ）之前，除去附着于基片（Ｐ）的液体（５０）的液体除去装置（１００）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在投影光学系统与基片之间的至少一部分充满液体、 用由投影光学系统所投影的图案像对基片进行曝光的曝光装置、该曝 光装置中所用的液体除去装置以及使用该啄光装置的器件制造方法。
技术介绍
半导体器件或液晶显示器件是通过将形成在掩模上的图案转印到感光性的基片上的、所谓的光刻法的方法来进行制造。在该光刻法 工序中所使用的曝光装置，具有支承掩模的掩模台和支承基片的基片 台， 一边逐次移动掩模台及基片台一边经由投影光学系统将掩模的图 案转印到基片。近年来，为了适应器件图案的更进一步的高集成化人 们希望投影光学系统进一步的高析像度化。使用的曝光波长越短、或 者投影光学系统的数值口径越大则投影光学系统的析像度就越高。为 此，曝光装置所使用的曝光波长逐年短波长化，投影光学系统的数值 口径也不断增大。而且，虽然当前主流的曝光波长是KrF激态复合物 激光器的248nm，但更短波长的ArF激态复合物激光器的193nm也正不 断被实用化。另外，在进行曝光之际，与析像度同样聚焦深度(DOF) 也很重要。析像度R及聚焦深度8分别用以下公式来表示。R- kl.X/NA…(1)3 = ±k2A/NA2 ... (2)这里，k是曝光波长，NA是投影光学系统的数值口径，kl、 k2是加工系数(process coefficient)。根据(1)式、(2)式可知为了 提高析像度R，若使曝光波长X变短、使数值口径NA变大则聚焦深度5 变得狭窄。若聚焦深度3过于狭窄使基片表面相对于投影光学系统的像面吻 合将变得困难，曝光动作时的容限(margin)恐怕就会不足。因而， 作为实质上缩短啄光波长且扩展聚焦深度的方法，例如提出了国际公 布第99 / 49504号公报所公开的浸液法。该浸液法是在投影光学系统的 下面与基片表面之间用水或有机溶媒等液体充满，利用液体中的曝光 光的波长为空气中的l/n (n是液体的折射率通常为1.2 1.6左右)这 一点使析像度改善，同时将聚焦深度扩大约n倍这样的方法。可是，在使用上述浸液法对基片进行曝光处理的情况下，有在曝 光处理后会在基片的表面残存液体的情况。若在使该残存的液体附着 于基片的状态下进行搬送，则在搬送中液体从基片落下，因所落下的 液体而使搬送路径周边的各装置或部件生锈、无法维持配置有曝光装 置的环境的清洁度等不良情形就会发生。或者，还有因所落下的液体 而造成膝光装置周边的环境变化(湿度变化)的情况。若发生湿度变 化则例如在工作台位置测量中所用的光干涉计的光路上的空气中将产 生起伏，工作台位置测量就不会精度良好地进行，而产生未得到所希 望的图案转印精度之类的问题。另外，若在啄光处理后在使液体附着 于基片的状态下执行例如显影处理，则会产生不能制造出具有所希望 的性能的器件的顾虑。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于这样的情形而完成的，其目的是提供一种在投影 光学系统与基片之间充满液体进行曝光处理之际，能够抑制起因于在 曝光后附着于基片的液体的器件的劣化的装置、组装了该装置的曝光 装置、以及使用该曝光装置的器件制造方法。为了解决上述课题，本专利技术采用实施方式所示的与图1~图15相 对应起来的以下的构成。其中，附加在各要素上的带括号的符号只不过是该要素的示例，并没有对各要素进行限定的意图。根据本专利技术的第l技术方案，提供一种曝光装置(EX)，它是经 由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的 曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统 (PL);与处理已被曝光的基片(P)的处理装置(C/D)的连接 部(IF);以及在通过连接部(IF)将基片(P)搬出至处理装置(C /D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100、 22、 33、 34)。根据本专利技术，由于设置在搬送到对实施了曝光处理的基片进行规 定处理的处理装置之前除去附着于基片的液体的液体除去装置，所以能够在除去了液体的状态下对基片进行规定的处理。从而，能够制造 具有所希望的性能的器件。根据本专利技术的第2技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)， 它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行 曝光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光 学系统(PL); 除去附着于已被曝光的基片(P)的液体(50)的液 体除去装置(100、 22、 33、 34);将已被啄光的基片(P)搬送到液 体除去装置(100、 22、 33、 34)的第l搬送部件(H2、 43 );以及将 已由液体除去装置(100、 22、 33、 34)除去液体(50)的基片(P) 从液体除去装置(100、 22、 33、 34)进行搬送的第2搬送部件(H2、 43)。根据本专利技术，由于设置在基片的膝光后除去附着于基片的曝光用 的液体的液体除去装置，所以能够抑制在基片搬送中液体从基片落下 而造成环境变化等不良情形的发生。在该情况下，就能够由第l搬送部 件将利用浸液法进行曝光处理并附着有液体的基片搬送到液体除去装 置。然后，通过将由液体除去装置除去了液体的基片用与第l搬送部件 不同的第2搬送部件进行搬送，就能够在基片上不附着液体的状态下将 此基片搬送到规定的位置。此外，在本专利技术中，最好是上述第l搬送部 件其表面的至少一部分为防液性(排斥液体性liquid-repellent)。根据本专利技术的第3技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)，它是 经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光 的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系 统(PL); 对已被曝光的基片(P)进行搬送的搬送系统(H); 以及设置于基片(P)的搬送路径、除去附着于基片(P)的液体(50) 的液体除去装置(100、 22、 33、 34、)，其中，液体除去装置(100、 22、 33、 34、)具有覆盖基片(P)周围的至少一部分以防止在进行 液体(50)除去时液体(50)飞溅的盖壳(25、 30、 40)。根据本专利技术，由于在搬送基片的搬送系统的搬送路径的途中设置 除去附着于基片的曝光用的液体的液体除去装置，所以能够同时进行 利用曝光装置(曝光装置本体)的曝光处理和利用设置于搬送路径的 途中的液体除去装置的液体除去处理。从而，能够不会使生产能力降 低地执行各处理。在此情况下，由于液体除去装置具有防止液体飞溅 的盖壳，所以能够防止液体飞溅在搬送路径周围。从而，就能够防止 湿度变化等环境变化或装置生锈等的发生。此外，在本专利技术中，最好 是上述盖壳包含腔室。在上述第1 3技术方案的膝光装置中，最好是上述液体除去装置 具有将上述曝光后的基片洗净的洗净装置，在利用上述洗净装置将上 述基片洗净后，除去附着于上述基片的洗净液。根据本专利技术的第4技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)它 是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝 光的啄光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学 系统(PL);保持基片(P)的基片台(PST);以及在从基片台(PST) 搬出已被曝光的基片(P)之前，除去附着于基片(P)的液体(50) 的液体除去装置(22)。根据本专利技术，通过在将基片从进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备：将图案像投影到基片上的投影光学系统；保持基片的基片台；以及在从基片台搬出已被曝光的基片之前，除去残留于基片的液体的液体除去装置。

【技术特征摘要】
JP 2002-12-10 2002-357957;JP 2003-8-28 2003-3052791.一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备将图案像投影到基片上的投影光学系统；保持基片的基片台；以及在从基片台搬出已被曝光的基片之前，除去残留于基片的液体的液体除去装置。2. 按照权利要求l所述的啄光装置，其特征在于 在上述膝光后，上述基片以相对于水平面倾斜规定角度的状态被搬送。3. 按照权利要求l所述的膝光装置，其特征在于 上述液体除去装置吸入上述基片上的液体。4. 按照权利要求l所述的曝光装置，其特征在于 上述液体除去装置散去上述基片上的液体。5. 按照权利要求4所述的曝光装置，其特征在于 上述液体除去装置包含使上述基片进行旋转的旋转机构。6. 按照权利要求l所述的膝光装置，其特征在于 上述液体除去装置使上述基片倾斜。7. 按照权利要求l所述的爆光装置，其特征在于 上述液体除去装置除去附着于上述基片两面的液体。8，按照权利要求l所述的爆光装置，其特征在于 上述液体除去装置除去附着于上述基片背面的液体。9. 按照权利要求l所述的爆光装置，其特征在于，还具备 供给上述液体的液体供给装置；和 回收由上述液体供给装置所供给的液体的液体回收装置，其中，上述液体除去装置在上述基片的曝光结束后，除去未被上 述液体回...

【专利技术属性】
技术研发人员：马込伸贵，高岩宏明，荒井大，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]