平坦化研磨法和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术披露将待研磨晶片研磨为平坦表面的平坦化研磨方法，该方法包括以下步骤：通过使用研磨浆将被研磨面研磨为平坦表面，所述研磨浆含有磨粒和经表面包覆而被包封的表面活性剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造过程中采用的平坦化研磨法和半导体装置的制 造方法。
技术介绍
在半导体装置即所谓的半导体集成电路的制造过程中，在形成浅沟隔 离(shallow trench isolation)(STI)区作为半导体集成电路元件隔离区的步骤 中，广泛采用化学机械研磨(chemical mechanical polishing)(CMP)技术作为表 面平坦化技术。通常，以图6所示的方式形成半导体装置中的STI区。首先，如图6A所示，在硅半导体基板1的表面上沉积氮化硅(SiN)膜2。 接着，利用光刻技术在该氮化硅膜2上形成抗蚀剂掩模(未示出)。该抗 蚀剂掩模具有所需的图案，与将形成的STI区相对应的区域为镂空部分。 接着参考图6B,通过经由该抗蚀剂掩模进行干法刻蚀，对所述氮化硅膜2 进行图案化，并利用所述氮化硅膜2作为刻蚀掩模，通过干法刻蚀在所述 硅基板1上形成具有所需图案的沟道3。形成有氮化硅膜2的区域随后将作 为元件形成区。接着，参考图6C，通过化学蒸镀(CVD)将二氧化硅(Si02)膜4填覆在沟 道3中。在填覆过程中，二氧化硅膜4同时还沉积在沟道3以外的基板表 面(即氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
将待研磨晶片研磨为平坦表面的平坦化研磨方法，该方法包括以下步骤：通过使用研磨浆将待研磨面研磨为平坦表面，所述研磨浆含有磨粒和经表面包覆而被包封的表面活性剂。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-8 029798/071.将待研磨晶片研磨为平坦表面的平坦化研磨方法，该方法包括以下步骤通过使用研磨浆将待研磨面研磨为平坦表面，所述研磨浆含有磨粒和经表面包覆而被包封的表面活性剂。2. 根据权利要求1的平坦化研磨方法，其中待研磨面为氧化物膜。3. 根据权利要求2的平坦化研磨方法，其中使用含二氧化铈颗粒作为 磨粒的二氧化铈类研磨浆。4. 根据权利要求2的平坦化研磨方法，其中所述表面活性剂作用于将 被研磨的氧化物膜。5. 根据权利要求2的平坦化研磨方法，其中所述氧化物膜为二氧化硅 膜，该二氧化硅膜形成在基板中的沟道和所述沟道之外的底层氮化硅膜上， 并且所述表面活性剂作用于该二氧化硅膜。6. 根据权利要求2的平坦化研磨方法，其中使用第一研磨浆进行研磨 直到待研磨面上的凸起部分平坦化，所述第一研磨浆含磨粒和经表面包覆 而被包封的表面活性剂，并使用不含表面活性剂的第二研磨浆进行后续研 磨。7. 根据权利要求1的平坦化研磨方法，其中经包封的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井美香，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]