线路修补方法技术

本发明专利技术公开了一种线路修补方法，其用于连接线路上断路的导电线，该方法包括如下步骤：ａ．确定线路上需要连接的两导电线；ｂ．分别确定上述两导电线的连接点，蚀刻掉连接点处的介质层，形成蚀刻孔露出导电线；ｃ．用导电胶水电性连接露出的导电线，从而电性导通两导电线。与现有技术相比，本发明专利技术线路修补方法采用导电胶水作为连线，不仅使连线电阻很小，还可以减少操作时间，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，具体地说，涉及修补线路上断路的导电线 的。
技术介绍
线路设计出来之后，大部分都会存在某些缺陷，这些缺陷在设计阶段可能 无法发现， 一般只有等流片出来之后，通过测试才能发现。设计人员通常会用 线路修补的方法进行改进。线路修补的一般做法就是切断一些短路的导电线或 把先前应该连接却没有连接即断路的导电线连接起来，通常上述操作步骤是由聚焦离子束(FocusedIon Beam,以下简称FIB)来完成的。图1是采用FIB连接断路的两导电线的示意图。请参阅图1，目前业界采 用的包括如下步骤a0.在线路r上找到要连接的第一导电线2'、 第二导电线3，，在需要连接的点，蚀刻掉钝化剂、氧化硅和氧化氮等介质层形 成蚀刻孔4，， 5，，露出第一导电线2'、第二导电线3，； b0.分别在上述蚀刻孔 里，通过用FIB沉积铂金属(或钨金属)的方法各接出一个导电垫(未图示)；c0, 用FIB沉积铂金属线6，作为连线将两个导电垫电性连接，从而电性导通上述两 导电线。当两连接点距离较近时，铂金属线6，作为连线可以满足性能要求。然而， 当两连接点距离较远时，作为连线的铂金属线就会较长，电阻也就很大。举例 来说，通常FIB沉积的铂金属线为线宽lum，厚0.3um，即铂金属线4黄截面面积 (S)较小，铂的电阻率(p)比较大，研究表明约为400uacm，根据公式R-p丄/S 可知，当沉积铀金属线的长度为1000um,连线电阻(R)就会达到lOkH之多， 有可能在测试的时候净皮认为是断路。这对于线路诸如芯片，尤其是对速度要求 很高的先进制程的芯片，无疑是不可接受的。通常FIB沉积一条厚0,3um，宽lum,长100um的铂金属线，需要半个小时，若上述两个导电垫之间相距000um，则FIB需要沉积5个小时，且长度越 长，用的时间越多，由于FIB按使用时间计费的，随之成本也就越高。另外， 由于芯片表面是凹凸不平的，铂金属线太长之后很容易断线，不小心划到也会 断线。鉴于上述原因，本专利技术提供一种新的。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种连线电阻低、节省操作时间及成本低的 。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，其用于连接断路的 导电线，该方法包括如下步骤a.确定线路上需要连接的两导电线；b.分别确 定上述两导电线的连接点，蚀刻掉连接点处的介质层，形成蚀刻孔露出导电线； c.用导电胶水电性连接露出的导电线，从而电性导通上述两导电线。与现有技术相比，本专利技术采用导电胶水作为连线，由于导电 胶水的形状、大小、厚度都没有限制，使得导电通路的阻值可以很小。 一般情 况下，只需要一滴导电胶水就可以实现连接，有效地节省了操作时间，降低了 成本。而且导电胶水又宽又厚，不容易划伤，使得导电通路具有较好的稳定性。附图说明通过以下对本专利技术一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其专利技术的 目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1为采用FIB连接断路的导电线的示意图。图2为使用本专利技术连接断路的导电线的示意图。具体实施方式本专利技术公开了一种，其用于连接线路上断路的导电线。请参 阅图2，该包括如下步骤a.确定线路l上需要连接的第一导电线 2及第二导电线3; b.分别在上述导电线2， 3上确定连接点，用FIB或激光束 或其他方法蚀刻掉连接点处的介质层，形成蚀刻孔4， 5露出导电线2， 3,所述蚀刻孔不限于圆形孔，也包括其他形状如方形的孔。该介质层一般由钝化剂、氧化硅和氧化氮等等形成；c.用导电胶水6作为连线电性连接露出的导电线2， 3，从而使得两导电线2， 3电性导通。步骤b还包括通过FIB沉积铂金属或其他合适的金属的方法从上述蚀刻孔 4, 5中各引出一个导电垫(未图示)，步骤c中导电胶水通过细针引流，将两个 导电垫电性连接起来，再低温短时间固化，就完成了两导电线2， 3的连线。由 于导电胶水的形状、大小、厚度都没有限制，所以导电通路的阻值可以很小。 一般情况下，只需要一滴导电胶水就可以将两个导电垫连接，不仅节省了成本， 而且有效地节省了操作时间。而且导电胶水又宽又厚，不容易划伤，浸润性又 好，所以不会有断层、断路的现象，从而导电通路具有很好的稳定性。丝比如粘细铜线、金线、银线，这样使连线的阻值更低。需要注意的是，本专利技术的不仅用于修补具有缺陷的线路，还 可以用于通过修改线路已有连接，改变原有线路的功能。对本领域普通技术人 员来说，可以根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，而所 有这些改变或替换都应属于本专利技术所要求保护的范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路修补方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：ａ．确定线路上需要连接的两导电线；ｂ．分别确定上述两导电线的连接点，蚀刻掉连接点处的介质层，形成蚀刻孔露出导电线；ｃ．用导电胶水电性连接露出的导电线，从而电性导通两导 电线。

【技术特征摘要】
1. 一种线路修补方法，其特征在于，该方法包括如下步骤a.确定线路上需要连接的两导电线；b.分别确定上述两导电线的连接点，蚀刻掉连接点处的介质层，形成蚀刻孔露出导电线；c.用导电胶水电性连接露出的导电线，从而电性导通两导电线。2、 如权利要求1所述的线路修补方法，其特征在于步骤b采用聚焦离子束蚀刻介质层。3、 如权利要求l...

【专利技术属性】
技术研发人员：张启华，高强，赵燕丽，王燕君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]