像素的形成方法技术

一种像素的形成方法，包括下列步骤：形成薄膜晶体管于基板上，其中薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极以及漏极；接着，形成保护层于薄膜晶体管上，然后，形成图案化光阻层于保护层上，于图案化光阻层、部分薄膜晶体管以及部分基板上形成透明导电层；接下来，形成第一金属层于透明导电层上，再以剥离制作工艺将位于图案化光阻层上的透明导电层与第一金属层移除。接着，以酸性溶剂溶解已剥离的透明导电层及第一金属层。然后，移除残留的第一金属层以裸露出未被图案化光阻层覆盖的薄膜晶体管及位于基板上的透明导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种应用剥离制作工艺的 像素形成方法。
技术介绍
薄膜晶体管主要系经由数道繁琐的光刻技术(photolithography)以及显影蚀刻 技术来形成，且此些步骤需于黄光室内进行，以确保光阻曝光图案的正确性。由于黄 光制作工艺的成本相当昂贵，因此假若能有效地减少黄光制作工艺内的步骤便能有效 地的縮短制作工艺的时间，减少光罩及黄光制作工艺的使用，进而降低制造成本。目前减少黄光制作工艺步骤较为常见的方法为剥离(lift off)制作工艺，请参照 图1至图3，其绘示一种传统应用剥离制作工艺的像素结构制造流程图。在像素结构 制作过程中，首先请参照图l，当完成保护层IO的制作后，保留制作保护层10的制 作工艺所需的图案化光阻层12于保护层10上，接下来，像素电极14全面性的覆盖 于光阻层12及保护层10上。接着，请参照图2，此时加入碱性剥离液，用以剥离图案化光阻层12与位于其 上的像素电极14。同时，没有覆盖于图案化光阻层12上的像素电极14则会留下， 在剥离制作工艺的步骤中同时完成像素电极14的图案化步骤，如图3所示。这是由 于图案化光阻层12的聚合物(polymer)材质会溶于碱性剥离液但像素电极14并不溶 于碱性剥离液，故加入的碱性剥离液将保护层IO上的图案化光阻层12溶解，而使图 案化光阻层12与保护层IO脱离。如此一来，于图案化光阻层12上的像素电极14自 然会因图案化光阻层12的脱离而顺带脱离。传统上利用剥离制作工艺来达成像素电 极图案化的结果，而不需要多加一道制作工艺来进行像素电极图案化的步骤。因此， 便能有效减少制作工艺的时间，并降低成本。然而，由于液晶显示器中的玻璃基板的尺寸逐步放大，相对所使用的各项化学药 剂的消耗量亦同步增高。如何减少化学药剂的消耗量，已成为了各界关切的问题。因 此各种化学药剂回收已逐渐应用于各个制作工艺中，除可有效降低制造成本外，更能减少有害事业废弃物的产生。如前所述，应用于剥离制作工艺中的碱性剥离液必需只能溶解图案化光阻层12 而无法溶解像素电极14，才能够在不破坏像素电极14之前提下进行此剥离制作工艺。 随着光阻层12—起被剥离的像素电极14正因为无法溶解而于回收槽中的碱性剥离液形成为数众多的固体颗粒，若是直接将其回收使用，以具有颗粒的碱性剥离液再次冲 洗薄膜晶体管基板将对基板造成污染与损害。目前已有人提出一种回收化学品的方法在收集剥离制作工艺的碱性剥离液于储存槽之后，加入约略2%wt的硫代苯酸 (Thiobenzoic acid)或磺酸(sulfonic acid)用以溶解像素电极M材料的颗粒，再继 续做为下批薄膜晶体管剥离制作工艺中的碱性剥离液。然而，就算加入2/。wt的硫代 苯酸及磺酸处理30分钟以上只能将部分的像素电极14溶解，碱性剥离液中仍然还会 有些许像素电极14的颗粒(particle)。然而，原本便需使用大量的碱性剥离液于剥离制作工艺中，现今又为使碱性剥离 液中的像素电极14溶解，而需停留于储存槽中超过30分钟。因此，用于储存的碱性 剥离液的储存槽必定需要庞大的体积。此外，像素电极14于碱性剥离液中仍然会存 有微小的颗粒，若在重复使用碱性剥离液的回路管路中加装一组过滤器，不但会减慢 液体回流速度，更由于像素电极14无法完全溶解于碱性剥离液中，而使大量的颗粒 容易堵塞过滤器，必须中断流程来更换滤网，使整个碱性溶剂回收制作工艺的实际应 用效果不彰，也更加的复杂。
技术实现思路
本专利技术系有关于一种，系通过剥离(lift-off)制作工艺将位于图 案化光阻层上方的透明电极层剥离，再经由酸性溶剂将已剥离的透明电极层溶解，以 加速制作工艺蚀刻溶解的速度，縮短制作工艺的时间，并可避免透明电极层颗粒堵塞 过滤器，且降低制作工艺的成本。本专利技术提供一种，此形成方法包括下列步骤形成栅极于基板上； 形成栅极绝缘层于栅极上以覆盖栅极；形成通道层于栅极上方的栅极绝缘层上；形成 源极及漏极于栅极两侧的通道层上，且栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管； 形成保护层于薄膜晶体管上并曝露出部分的漏极；形成图案化光阻层于保护层上；形 成透明导电层于基板上、图案化光阻层及未被图案化光阻层覆盖的薄膜晶体管上；形 成第一金属层于透明导电层上；以剥离制作工艺将位于图案化光阻层上的透明导电层 与第一金属层移除；以酸性溶剂溶解已剥离的透明导电层及第一金属层；以及移除残留的第一金属层以裸露出未被图案化光阻层覆盖的薄膜晶体管上的透明导电层及位 于基板上的透明导电层。本专利技术另提供一种，此形成方法包括下列步骤；提供基板，该基 板具有数个像素区，且各此些像素区内包括非透光区以及透光区；形成薄膜晶体管于基板的非透光区上；形成保护层于一部分的薄膜晶体管上；形成图案化光阻层于保护 层上；形成透明导电层于基板的透光区、图案化光阻层及未被图案化光阻层覆盖的薄 膜晶体管上；形成第一金属层于透明导电层上；以一剥离制作工艺将位于图案化光阻 层上的透明导电层与第一金属层剥离；以酸性溶剂溶解己剥离的透明导电层及第一金 属层；移除残留的第一金属层以裸露出其下方的透明导电层；以及以碱性蚀刻液移除 图案化光阻层。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式， 作详细说明如下附图说明图1至图3绘示一种传统应用剥离制作工艺的像素结构制造流程图； 图4A至图4E绘示依照本专利技术第一实施例的像素形成方法的示意图； 图5A系绘示形成第二金属层于图4A中的示意图； 图5B绘示实施一剥离制作工艺于图5A的示意图；图5C系绘示移除图5B中残留的第一金属层及第二金属层的示意图；以及 图5D系绘示移除图5C中图案化光阻层的示意图。具体实施方式以下系提出第一及第二实施例作为本专利技术的说明。然而该些实施例所提出的方法 步骤及结构仅为举例说明的用，并非对本专利技术欲保护的范围做限縮。再者，图式中已 省略实施例中不必要的元件，以利清楚显示本专利技术的技术特点。第一实施例请参照图4A至图4E，其绘示依照本专利技术第一实施例的像素形成方法的示意图。 本实施例的像素形成方法包括下列步骤。如图4A所示，首先提供基板200，且基板 200具有数个像素区c，各像素区c内包括非透光区a以及透光区b。接着，形成薄 膜晶体管210于基板200的非透光区a上。薄膜晶体管210的形成方法包括下列步骤，8首先会先形成栅极100于基板200上。接着，形成栅极绝缘层102于栅极100上，以 覆盖栅极100。然后，形成通道层110于栅极100上方的栅极绝缘层102上。接着， 形成源极120及漏极130于栅极100两侧的通道层110上，且栅极100、通道层110、 源极120以及漏极130构成薄膜晶体管210。接着，形成保护层140于部分的薄膜晶体管210上，较佳地曝露出薄膜晶体管 210部分的漏极130。接着，请参照图4B。形成图案化光阻层150于保护层140上。然后，形成透明 导电层160于基板200的透光区b、图案化光阻层150及未被图案化光阻层150覆盖 的薄膜晶体管210上。于本实施例中，透明导电层160例如为一无机物，较佳地为氧 化铟锡(Indium Tin Oxide， ITO)。然后，形成第一金属层170于透明导电层160上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素的形成方法，包括：形成一栅极于一基板上；形成一栅极绝缘层于该栅极上，覆盖该栅极；形成一通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成一源极及一漏极于该栅极两侧的该通道层上，且该栅极、该通道层、该源极以及该漏 极构成一薄膜晶体管；形成一保护层于该薄膜晶体管上并曝露出部分的该漏极；形成一图案化光阻层于该保护层上；形成一透明导电层于该基板上、该图案化光阻层及未被该图案化光阻层覆盖的该薄膜晶体管上；形成一第一金属层于该透 明导电层上；以一剥离制作工艺将位于该图案化光阻层上的该透明导电层与该第一金属层移除；以一酸性溶剂溶解已剥离的该透明导电层及该第一金属层；以及移除残留的该第一金属层以裸露出未被该图案化光阻层覆盖的该薄膜晶体管上的该透明 导电层及位于该基板上的该透明导电层。

【技术特征摘要】
1.一种像素的形成方法，包括形成一栅极于一基板上；形成一栅极绝缘层于该栅极上，覆盖该栅极；形成一通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成一源极及一漏极于该栅极两侧的该通道层上，且该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管；形成一保护层于该薄膜晶体管上并曝露出部分的该漏极；形成一图案化光阻层于该保护层上；形成一透明导电层于该基板上、该图案化光阻层及未被该图案化光阻层覆盖的该薄膜晶体管上；形成一第一金属层于该透明导电层上；以一剥离制作工艺将位于该图案化光阻层上的该透明导电层与该第一金属层移除；以一酸性溶剂溶解已剥离的该透明导电层及该第一金属层；以及移除残留的该第一金属层以裸露出未被该图案化光阻层覆盖的该薄膜晶体管上的该透明导电层及位于该基板上的该透明导电层。2. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，于以该酸性溶剂溶解已 剥离的该透明导电层及该第一金属层的步骤包括以该酸性溶剂将已剥离的该透明导电层及该第一金属层冲刷至具有该酸性蚀 刻液的一溶解槽；以及于该溶解槽中以该酸性溶剂溶解该透明导电层及该第一金属层。3. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，于移除残留的该第一金 属层的步骤系以该酸性溶剂进行蚀刻。4. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，另包括 于覆盖该第一金属层的步骤之后及进行该剥离制作工艺的步骤之前，覆盖一第二金属层于该第一金属层上。5. 根据权利要求4所述的的形成方法，其特征在于，于以该酸性溶剂溶解 己剥离的该透明导电层及该第一金属层的步骤包括以该酸性蚀刻液溶解已剥离的该第二金属层溶解。6. 根据权利要求5所述的的形成方法，其特征在于，于以该酸性蚀刻液溶 解的步骤包括以该酸性溶剂将已剥离的该第二金属层冲刷至具有该酸性蚀刻液的一溶解 槽；以及于该溶解槽中以该酸性蚀刻液溶解该第二金属层。7. 根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，该形成方法于蚀刻残留 的该第一金属层的步骤前包括移除覆盖于该第一金属层的该第二金属层。8. 根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，该第二金属层的材质为 钼(molybdenum)、钼氮化物、钛(titanium)、钛氮化物、钽(tantalum)、钜氮化物、 铝或铜。9. 根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，该酸性溶剂对于该第二 金属层的蚀刻速率实质上较低于对于该第一金属层的蚀刻速率。10. 根据权利要求l所述的形成方法，其特征在于，另包括在蚀刻残留的 该第一金属层的该步骤之后，移除该图案化光阻层。11. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，该图案化光阻层的材质 系为高分子有机物。12. 根据权利要求l所述的形成方法，其特征在于，该透明导电层以及该第 一金属层的材质系为无机物。13. 根据权利要求l所述的形成方法，其特征在于，该第一金属层的材质为 钼(molybdenum)、钼氮化物、钛(titanium)、钛氮化物、钽(tantalum)、钽氮化物、 铝或铜。14. 根据权利要求l所述的形成方法，其特征在于，该剥离制作工艺系为加 热该图案化光阻层。15. 根据权利要求l所述的形成方法，其特征在于，该剥离制作工艺系以镭 射处理该图案化光阻层。16. —种像素的形成方法，包括提供一...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹勋昌，林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]